扫描微波阻抗显微镜是一种利用微波以纳米级横向分辨率探测材料电性能的近场技术。

本文论证了原子力显微镜的价值，特别是不同的电模式，以表征复杂的微电子结构。本文介绍了用SCM和SSRM分析得到的深沟槽隔离(DTI)结构的实验结果，重点讨论了AFM施加的电压。根据这些测量，提出了一个失效分析工作流，有助于AFM电压优化，以揭示横截面样品的结构，进行比较，并确定失效的根本原因。

样品制备是FinFET器件掺杂谱分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文介绍了一种基于低能量、浅角离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化和改善扫描电容显微镜(SCM)信号，代表局部活性掺杂浓度。

本文介绍了扫描氮空位显微镜(NV)的基本测量物理原理及其在半导体器件失效分析中的应用。扫描NV显微镜可以测量地形以及磁场、局部电流密度、交流噪声和局部温度变化。

扫描非线性介电显微镜(SNDM)是一种扫描探针技术，测量探针尖端和电压偏压样品之间振荡频率的变化。当探针在半导体器件表面移动时，振荡频率会随着介电特性、电荷和载流子密度、掺杂剂浓度、界面状态或影响局部电容的任何其他变量的变化而变化。在过去的几年里，东北大学的研究人员对介电显微镜进行了几项改进，最新的改进是一种称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)的数字版本。在这里，他们描述了他们的新技术，并介绍了一个应用，其中它用于从sio2 /SiC界面样品中获取CV, dc /d V-V和DLTS数据。

扫描电容显微镜(SCM)和纳米探针是隔离和了解晶体管级故障的关键工具。在本案例研究中，在标准FIB横截面成像未能显示任何可见缺陷后，使用SCM和纳米探针来确定14nm SOI FinFET SRAM中簇型故障的电特性。

扫描探针显微镜(SPM)广泛用于故障隔离、漏电流诊断、开路检测和表征掺杂相关缺陷。在本文中，作者介绍了两个SPM应用程序，它们相当少见，但在故障分析范围中同样重要。第一种情况涉及在高压非场效应管表面发现纳米台阶，这种现象与沿(111)硅平面的应力诱导晶体位移有关。在第二种情况下，作者在导电模式下使用AFM探针将隧道电流分布与高k栅极氧化膜中的热点联系起来，这被证明是比rms表面粗糙度更好的氧化物质量指标。

磁流成像为短路、漏电流、阻性开路和完全开路提供电气故障隔离。此外，它可以从芯片、晶圆、封装IC或PCB的任何一侧进行无损检测。本文回顾了MCI的基本理论和属性，描述了所使用的传感器类型，并讨论了一般的测量程序。它还介绍了应用实例，展示了MCI的最新进展和改进。

失效分析实验室在处理叠模封装中的短路和泄漏方面装备精良，但在打开时处于劣势，特别是在模或模互连级别。本文提出了一种新的FA技术，它有可能弥补这一缺点。这种新方法被称为空间域反射法(SDR)，它是基于射频磁流成像的，正如作者所展示的那样，它能够准确定位双堆叠BGA封装中的死孔，即使整个堆栈被封装在成型化合物中。

磁显微镜是一种缺陷定位技术，有几个优点。它是非破坏性、非侵入性和非接触式的。在许多情况下，它甚至可以在组件解包之前使用。本文介绍了磁流成像(MCI)显微镜的基本设置，并解释了它如何在封装和芯片级别显示3D电流路径。它还提供了应用实例，展示了MCI如何帮助故障分析人员隔离各种电气缺陷，包括短路、电阻开路和全开路。

《电子设备故障分析》(EDFA)杂志迎来了十周年纪念。这一重要的里程碑为回顾电子设备故障分析新闻(EDFAN)通讯向EDFA杂志的转变提供了机会。当《EDFAN》的编辑查克·霍金斯(Chuck Hawkins)提出从简讯转变为杂志时，《EDFAS》才成立几年，人们对这种过早的转变感到担忧。

磁流成像是一种成熟的故障隔离技术。其无与伦比的灵敏度和分辨率，加上磁场不受封装和模具材料影响的事实，使其成为各种ic和器件的宝贵FA工具。本文综述了磁流成像的基本测量物理原理，介绍了磁流成像的一般实现方法，并给出了几个实际应用实例。

在100纳米以下的领域进行探测需要新的工具和技术，如果用户遵循本文作者的建议，这些工具和技术相对容易学习。作者提出了一种基于扫描探针技术的探测方法，并演示了其在90纳米晶体管多晶硅栅极短路故障上的应用。它们还解决了与样品制备，探针尖端污染和磨损以及振动和漂移影响相关的挑战。

巨磁阻传感器的最新改进提高了封装设备上磁流成像的可实现空间分辨率，而不会显著降低磁场灵敏度。正面和背面电流成像的例子显示了这些新的传感器在模具级故障分析中的效用。

磁场成像被证明是半导体故障分析和测试工程师的一个有价值的工具。它的主要优点之一是它不需要样品制备或预处理，因为磁场可以穿过ic和器件封装中使用的大多数材料。本文讨论了磁场成像的理论和实际局限性，并演示了磁场成像在绘制电流密度和确定载流导体的位置和深度方面的应用。

随着新工艺的日益复杂和新材料的引入，对产品良率管理和过程控制的需求对半导体行业的失效分析实验室提出了前所未有的要求。这些需求要求更快、更卓越的分析能力，以确定使用深亚微米工艺制造的半导体器件的根本原因失效机制。本文介绍了一种新的自动化样品制备技术，该技术便于直接电接触感兴趣的区域，其表面质量足以用于扫描探针显微镜分析。

扫描电容光谱(SCS)是利用扫描电容显微镜(SCM)来描绘硅器件pn结的一种新方法。SCS生成二维pn结图，其特征小至10纳米。它还可以估计pn结耗尽宽度，从而估计结附近的掺杂水平。本文解释了SCS和scm如何允许在Si器件和ic中探索全新的掺杂相关现象。

扫描探针显微镜(SPM)是指一套技术，测量精细探针或尖端与接触或接近的样品之间的相互作用。这些相互作用测量允许研究诸如拓扑，磁场和电场，电容，温度，功函数和摩擦等特性。从SPM中获得的信息在集成电路失效分析中起着重要的作用。