本文提出了一种设计实时木马检测系统,探讨了可能的解决方案的挑战大规模SEM图像采集。这样一个解决方案,一种深度学习的方法,生成合成显微图从布局图像,显示了巨大的承诺。上优于方法也被用来合成和细胞进行分类。分类的结果与设计交换格式文件条目确保底层IC的纯度。

内嵌晶片电测试(湿)提供了一个早期阅读在半导体制造过程通过测量测试结构放置在整个晶片。然而,解释数据可能是一个挑战。在许多情况下,只有一个样本的测试网站监控生产。复杂的制造需求问题进一步复杂化,因为一些操作内部条件之间迭代执行给定的晶片,而另一些则运行在整个晶片,还有一些应用在批次晶片。这导致一个嵌套方差结构在不同的物理机制表现出不同的敏感性站点,薄片,lot-to-lot变化。本文使用蒙特卡罗模拟来探讨影响这些等级方差组件可以发挥对湿性能。

本文提出了一种自动化工作流的发展两阶段过程模拟和混合信号设备类似于用于集成电路的设计和验证逻辑。联合仿真的使用界面模型可以构建和验证失败。

失效分析是研究和表示可见或可测量的现象。风险评估,另一方面,当根源进行了研究,预测未来潜在的失败。在这篇文章中,作者描述了一个结构化的解决问题的方法,包括失效分析、风险评估和先进的建模。一个案例研究提出未来失败的概率,由于分层缺陷,确定基于字段的回报。

微波阻抗扫描显微镜(sMIM)是一种相对较新的方法进行电气测量在afm测试样品。本文提供的示例中sMIM技术是用来测量介电系数,掺杂浓度,和纳米C-V曲线为不同的半导体和绝缘材料。这也解释了如何测量结果与理论模型进行比较,证实了每种方法的有效性。

本文讨论了一个虚拟的概念(VKGD)以及它如何使用好设备发展的先进的3 d包装。它解释说,一个VKGD本质上是一个集成电路的电磁模型包,包括肿块,插入器,在矽通过。中使用这些模型,结合反射计数据,帮助工程师隔离故障的早期阶段集成电路包装开发,大大降低周期时间。

这一列表明发展中三维结构模型用于观察和探索失败的工具在虚拟域可能有助于避免失败不提交硬件。同样地,而不是构建硬件系统地评估故障在随机效应的存在,通过三维模型可以提供一个完全虚拟化定义的环境进行控制实验。在这样一个虚拟环境中,系统和随机行为可以介绍和解析提供更清晰的在寻找失败的根源。

Thermally-induced电压改变(TIVA)是一种基于激光的本地化互连ICs缺陷的方法。它的主要限制是激光必须加热缺陷和变更其阻力足以产生一个可测量的电压变化。任何干扰激光吸收或改变缺陷加热会减少TIVA效果。本文的研究结果TIVA当地结构成像的影响。作者选择polysilicon-metal测试结构作为研究的焦点,它需要随着建模与仿真试验研究。发现TIVA配置文件在这个深受当地的几何结构,特别是层间的变异二氧化硅的厚度和位置多晶硅线对铝线。理解这种关系对定位缺陷使用TIVA技术至关重要。

这篇专栏文章解释了模拟工具和材料数据可以提供一种新的生活的生产力水平的工程师参与法医分析MEMS设备。

微微秒成像电路分析(异食癖)是一种先进的诊断技术,测量设备切换活动CMOS集成电路通过背后的死亡。由于其相对较大的视野,它可以快速地找到缺陷大量的候选人之一。在这个案例研究中,作者解释如何使用异食癖来识别一个特定的I / O电路缺陷在IBM System / 390 G5微处理器。他们也解释了如何通过电路模拟验证了诊断结果。