本文讨论了样品制备方面的挑战，这些挑战阻碍了从电子元件中生产偏置TEM样品的进展，以及缓解这些问题的策略。

扫描微波阻抗显微镜是一种利用微波以纳米级横向分辨率探测材料电性能的近场技术。

描述了局部减薄感兴趣的区域到所需剩余硅厚度的过程和考虑因素。

这是主流的Omniprobe FIB提出解决方案是如何被发明并交付给市场的故事。

封装创新路线图委员会(PIRC)是在EDFAS董事会的指导下作为失效分析技术路线图活动的一部分而成立的。本专栏概述了PIRC撰写的一篇技术论文，重点介绍了包故障隔离和故障分析方面的最新创新、技术差距和未来发展趋势。本文主要关注三个主要类别:1)人工智能(AI)应用，2)样本处理，以及3)FA工具鲁棒性。

本文提出并评价了一种能显著提高从半导体器件获得的光子发射信号中提取光谱信息的校准方法。一步一步的说明给出了校准光子发射显微镜的具体测量，如设备参数和材料带隙。本文还讨论了校准过程中可能出现的误差类型。虽然所提出的程序用于InGaAs传感器，但它适用于所有常见的光子发射探测器。

本文介绍了一种称为memometer的硬件计量指纹技术，它解决了现场可编程门阵列(fpga)的供应链完整性问题。memometer是一种基于交叉耦合查找表的物理不可克隆功能(PUF)，克服了制造内存上电预设。指纹图谱具有唯一性和可靠性，平均汉明距离接近理想值50%(芯片间)和0%(芯片内)。与每台设备只有一个指纹不同，记忆计提供了数百个指纹，并有可能提供更多指纹。

本文描述了如何使用故障分析工具对不同类型的非易失性存储器(NVM)单元发起物理攻击。它解释了存储在这些设备中的位信息如何容易受到读出和故障注入攻击的影响，并定义了漏洞参数，以帮助量化与不同攻击方式相关的风险。它还对新兴的NVM技术进行了深入的安全分析，并讨论了潜在的对策。

本文是多部分系列文章中的第一篇，介绍了如何通过使用多点厚度测量校正机械表面轮廓来精细控制剩余硅厚度(RST)。解释了多点厚度测量的必要性，并讨论了硅厚度测量的实际情况。通过仔细的加工、清洁和RST测量，样品可以可靠地加工到50 μm的厚度，大部分模具的变化范围为+/- 2.5 μm。

本专栏描述了在EDFAS委员会的指导下从事故障分析技术路线图工作的委员会所遵循的结构和过程。FA路线图活动最近重组为建立三个委员会:模具级路线图委员会(DLRC)，封装创新路线图委员会(PIRC)和FA未来路线图委员会(FAFRC)。为了合并一个通用的FA工作流，DLRC将托管两个独立的域团队:隔离和后隔离域。该专栏描述了在ISTFA 2022会议上进行的FA路线图工作以及计划在2023年开展的活动。

本月的客座专栏作家解释了他在建造一条新生产线时学到的一些东西是如何帮助他回到实验室，承担起购买和安装工具并确保它们有效使用的责任的。

本文论证了原子力显微镜的价值，特别是不同的电模式，以表征复杂的微电子结构。本文介绍了用SCM和SSRM分析得到的深沟槽隔离(DTI)结构的实验结果，重点讨论了AFM施加的电压。根据这些测量，提出了一个失效分析工作流，有助于AFM电压优化，以揭示横截面样品的结构，进行比较，并确定失效的根本原因。

本文提出了一种实时木马检测系统的设计，并探讨了大规模扫描电镜图像采集挑战的可能解决方案。其中一个解决方案是一种深度学习方法，可以从布局图像中生成合成显微照片，这显示出了很大的前景。基于学习的方法也用于细胞的合成和分类。分类结果与设计交换格式文件条目相匹配，以确保底层IC的纯度。

内联晶圆电气测试(WET)通过对整个晶圆的测试结构进行测量，提供了对半导体制造过程的早期了解。然而，解释这些数据可能具有挑战性。在许多情况下，在生产中只监视测试站点的一个样本。复杂的制造要求使问题进一步复杂化，因为一些操作是在给定晶圆的子区域内迭代执行的，而另一些操作是在整个晶圆上同时运行的，还有一些是批量应用于晶圆的。这导致了一种嵌套的变化结构，在这种结构下，不同的物理机制对地点到地点、晶圆到晶圆和批次到批次的变化表现出不同的敏感性。本文使用蒙特卡罗模拟来探讨这些分层方差成分对WET性能感知的影响。

这篇文章提供了一个商业3D x射线系统的概述，解释了它是如何获得亚微米缺陷的大完整样品的高分辨率图像。它给出了一些例子，其中该系统用于揭示薄再分布层中的裂纹，有机衬底中的空洞以及300毫米晶圆上TSV金属化的变化。正如作者所解释的那样，无论样品大小如何，每次扫描都可以在短短几分钟内完成，并且所得到的图像清楚地显示了在故障分析和逆向工程中经常导致问题的光束硬化伪影。

失效分析已成为半导体技术创新的关键推动者。随着新材料和晶体管架构的引入，逻辑和内存的扩展仍在以有增无减的速度进行。像小芯片、2.5D和3D这样的先进封装技术在主流设备中的集成正在爆炸式增长。为了应对这些挑战，EDFAS董事会于2020年创建了一个新的全行业FA技术路线图，并获得了该路线图的批准。本专栏将讨论路线图项目中计划的后续步骤。

便携式计算机中白光LED背光模块的故障说明了组件和系统供应商必须克服的挑战，以便确定故障的根本原因机制并采取纠正措施来解决问题。

中间层在2.5D和3D封装中发挥重要作用，在封装之间路由电源和通信信号，同时保持与I/O引脚的电接触。这个角色及其相对简单的构造使得中间人成为恶意攻击的目标。在本文中，作者评估了中介器制造中固有的漏洞，并描述了各种类型的光学攻击以及实际的对策。

样品制备是FinFET器件掺杂谱分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文介绍了一种基于低能量、浅角离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化和改善扫描电容显微镜(SCM)信号，代表局部活性掺杂浓度。

本文讨论了与纳米探测先进技术节点器件相关的挑战，并解释了如何在100 eV或更低的光束电压下优化SEM图像。