进一步发展SEM-based特征提取工具设计验证和故障分析是取决于可靠的样品制备方法。本文描述了如何减少层级框架130海里在45纳米技术是适应和使用SPI模块组成的11个金属层,通过10层,两层多晶硅,一个活跃的硅层。它解释了如何使用不同的抛光和腐蚀方法与充分对比揭露每一层扫描电镜成像和后续的特征提取。结合多边形集代表每一层的完整设计装置改造中所示的图像。

在这篇文章中,作者评价微型数控铣削代替手工研磨机械浆纱切片的倒装芯片封装样品平行。他们描述流程,以及他们如何与其他浆纱切片技术,清楚地说明不同之处。手工抛光的SEM图像样本显示process-induced开裂,凿,分层die-C4接口。相比之下,CNC-milled样品artifact-free和C4疙瘩均匀接触沿整个长度的横截面。

控制样品的光学抛光硅表面的厚度是成功背后成像的关键。实现手动可以是非常困难的在这种情况下,集成电路封装在包装材料。本文描述了挑战与传统(手动)硅样品制备技术和背面的改进获得与自动化。

本文提供了一个高级评论背后所使用的工具和技术分析。论述了使用激光扫描和传统的显微镜,液体和固体浸没透镜,光子发射显微镜(PEM)和激光故障隔离方法强调光致电压改变(LIVA)。它解释了激光探测电压用于背后波形采集和描述背后样品制备和deprocessing技术包括并行抛光和铣削、激光化学腐蚀,和FIB电路编辑和修改。

本文描述了一个自动化的SEM和TEM分析样品制备过程基于亚微米抛光。该方法使用机器人技术、图像处理和计算机控制下的抛光轮的全自动recipe-driven过程创建精确的横断面图0.1μm准确性。

本文描述一个特定区域的样品制备技术在集成电路可以手动抛光TEM透明度。技术,称为三脚架抛光或楔形方法,产生横截面样本在几小时内,几乎不需要额外的TEM分析变薄。该方法也可以用来准备计划视图TEM样品以及样品的扫描电镜分析和光学显微镜。