本文讨论了与大型复模2.5D封装相关的失效分析挑战，并解释了激光解封接微波诱导等离子体(MIP)点蚀刻如何去除复模，同时保持其他一切完好无损。它还描述了一种缺陷隔离程序，在该程序中，样品在大型腔室环境SEM中进行分析，其球栅阵列直接连接到EBAC放大器。

进一步发展基于sem的特征提取工具用于设计验证和失效分析取决于可靠的样品制备方法。本文描述了如何在45纳米SPI模块上采用130纳米技术的脱层框架，该模块由11个金属层、10个通孔层、两层多晶硅和一个活性硅层组成。它解释了如何使用不同的抛光和蚀刻方法来暴露每一层，并为SEM成像和随后的特征提取提供足够的对比度。通过组合代表每一层的多边形集，重构出器件的完整设计，如图所示。

对平板电脑内部的倒装焊点进行了基于FIB刻蚀和SEM图像采集的详细分析。从扫描电镜图像重建的3D视图显示，似乎是一个铜柱，焊接帽连接到基板上的铜迹。研究人员认为，该接缝是由预填底料的热压缩粘合形成的。分析还揭示了空洞和金属间化合物的存在以及填充物夹带的迹象。

本文提供了用于后台分析的工具和技术的高级回顾。它讨论了激光扫描和传统显微镜，液体和固体浸没透镜，光子发射显微镜(PEM)的使用，以及基于激光的故障隔离方法，重点是光致电压改变(LIVA)。它解释了激光电压探测如何用于背面波形采集，并描述了背面样品制备和预处理技术，包括并行抛光和铣削，激光化学蚀刻，以及FIB电路编辑和修改。

微切割和精密宽离子束技术的结合使故障分析人员能够以0.5 μm的精度制备特定部位的SEM分析样品。正如文章所解释的那样，微切割利用了单晶半导体衬底固有的切割特性。由于基板的质量明显大于工艺层，它决定了样品的整体横截面质量和精度。切割没有损失任何材料，保留了指定区域的完整性，并且可以对横截面的两侧进行分析。当切割因目标埋置或碎片位于截面表面而偏离时，在SEM分析之前，使用离子束蚀刻和涂层来微调切割位置并去除碎片。

单元级可追溯性(ULT)是一个强大的工具，可以在测试和分析过程中访问完整的模具历史。它对于识别微处理器故障的可能原因以及在故障分析资源有限的情况下特别有用。在文章中，作者解释了他如何在0.25µm CMOS处理器的研究中使用ULT。使用该模具的ULT，他发现了基于晶圆上的模具位置的故障特征。失败的一个根本原因是由于边缘焦点控制导致光刻过程中的交叉场变化。另一个故障，在烧坏后观察到，被追溯到金属蚀刻后残留的钛的存在。

开发了一种新的(100)和(111)取向p型和n型硅的优先蚀刻剂。本文描述了蚀刻过程的基本化学过程，并提供了如何定义关键特征的例子，如氧化引起的层错、位错、旋流和具有最小表面粗糙度和点蚀的条纹。在室温下，相对较慢的蚀刻速率约为1 μm/min，可以很好地控制蚀刻，并且保质期长，可以大量存储。

提出了一种检测栅氧化缺陷的新方法。正如文章所解释的那样，这种方法是基于湿化学蚀刻的，对带有浮栅的设备特别有效。测试样品暴露多晶硅栅极放置在KOH: h2o溶液和电压施加到硅衬底。在一定电压下，普通栅极开始蚀刻，而那些通过栅极氧化物缺陷短路到衬底的栅极则形成阳极氧化物，从而保持不蚀刻。事实证明，这种方法可以有效地评估栅极氧化物的完整性，而不需要直接观察氧化物，这需要复杂的脱处理和大量的时间。它还揭示了传统物理分析难以识别的栅极氧化物的电特性。