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利用扫描微波阻抗显微镜(sMIM)对硅和GaN结构电性能进行高级表征的纳米级电容和电容-电压曲线

奥斯卡·amst，斯图亚特·弗里德曼，永亮杨，弗雷德Stanke
EDFA技术条款(2017) 19(4): 12-20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-4.p012
发表:2017年11月1日
摘要
扫描微波阻抗显微镜(sMIM)是一种相对较新的用于原子力显微镜中测试样品的电测量方法。本文介绍了sMIM技术用于测量不同半导体和介电材料的介电系数、掺杂浓度和纳米级C-V曲线的例子。它还解释了测量结果如何与理论模型进行比较，确认每种方法的有效性。
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