1 - 6 6
介电性能
关闭
保存搜索
跟随你的搜索
访问您的帐户中的保存的搜索
你想收到警报当新项目匹配你的搜索?
闭模态
排序
期刊文章

设备可靠性挑战FinFET先进技术

Xinggong广域网
摘要技术文章(2019)21 (4):30-37。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019 - 4. p030
发表:2019年11月01
文摘
本文讨论了热载流子注入的影响,偏见温度不稳定,和时间依赖介质击穿FinFET性能和可靠性。
观点的文章 PDF
期刊文章

纳米级电容和Capacitance-Voltage曲线对于高级特性的电气性能的硅和氮化镓结构使用微波阻抗扫描显微镜(sMIM)

奥斯卡·amst,斯图亚特·弗里德曼,永亮杨,弗雷德Stanke
摘要技术文章(2017)19 (4):12-20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017 - 4. p012
发表:2017年11月01
文摘
微波阻抗扫描显微镜(sMIM)是一种相对较新的方法进行电气测量在afm测试样品。本文提供的示例中sMIM技术是用来测量介电系数,掺杂浓度,和纳米C-V曲线为不同的半导体和绝缘材料。这也解释了如何测量结果与理论模型进行比较,证实了每种方法的有效性。
观点的文章 PDF
期刊文章

钽电容器的失效分析的概述

Javaid卡齐
摘要技术文章(2014)16 (2):18 - 23。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 2. p018
发表:2014年5月01
文摘
本文综述表面装配钽电容器的基本失效模式和方法用于确定原因。讨论的因素导致泄漏,短裤,打开时,串联电阻,每个失效模式的特征和失效分析的最佳方法。
观点的文章 PDF
期刊文章

失效分析案例History-Tantalum电解电容器

斯坦Silvus
摘要技术文章(2007)9(4):26 - 30日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2007 - 4. p026
发表:2007年11月01
文摘
干钽电解电容器广泛应用于电子设备,因为他们有高功放有用的工作电压,有效的系列电阻低,相对寿命长,占用空间小。钽电容也有一定的局限性,如果不考虑在电路设计过程中,可能会产生灾难性的失败。这样一个限制的影响在这个详细说明案例研究中突出显示。
观点的文章 PDF
期刊文章

如何有效的失效分析方法为65纳米CMOS技术节点?

Magali拉米,Marc de la Bardonnie,弗雷德里克Lorut,瑞恩•罗斯,克利斯朵夫Wyon…
摘要技术文章(2006)8(2):14到20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2006 - 2. p014
发表:2006年5月01
文摘
本文评估的功能失效分析技术在65纳米CMOS集成电路。电压的对比,它演示了使用OBIRCH塞贝克效应成像,扫描电镜和透射电镜技术,和浆纱切片FIB失败如介质击穿、开放和电阻通过,空洞,短裤,分层,栅氧化层缺陷。
观点的文章 PDF
期刊文章

超薄栅氧化层击穿:失败,我们可以住在一起吗?

John s . Suehle
摘要技术文章(2004)6(1):6尺11寸。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2004 - 1. p006
发表:2004年2月01
文摘
本文讨论时变介质击穿的现象(TDDB)超薄栅氧化层电影和解释了为什么不再考虑MOSFET-containing ICs的灾难性故障。
观点的文章 PDF