英飞凌科技的工程师们开发了一种实时检测probing-induced骨折在半导体晶片使用声发射传感和猝发信号能量过滤技术。在这篇文章中,他们描述了测量过程和展示其使用复杂的半导体垫栈。他们还提供实验结果,揭示探针针尖接触力之间的关系和裂缝概率薄,脆层CMOS集成电路的典型BEOL层堆栈。

本文解释如何找到空组件在PCB组件使用infrared-based直流注入,无损方法有几个优点磁力显微镜和压降测量技术。应用程序还提供了示例涉及电源板故障。

本文描述了一种锁定温度记录,实现三维定位的热活性缺陷堆死包。在这种方法中,相移与热相关的传播延迟进行了分析作为频率的函数。这允许一个精确定位缺陷的三维空间,可以作为指导后续高分辨率的物理分析。

非侵入式热成像的方法提出了基于thermoreflectance原理分析先进的半导体器件。几个例子说明这种方法在检测热异常的价值和缺陷没有被其他技术。

电子光学太赫兹脉冲反射计(EOTPR)是一种无损故障隔离技术,非常适合今天的ICs。本文提供的示例EOTPR是如何被用于调查2.5 d和3 d包,晶圆级扇出包,和MEMS设备。它也讨论了近年EOTPR系统和软件的发展进步。

研究人员研制出了一种成像技术,揭示了布线的缺陷在打包ICs无需被膜剥除术。传感机理是基于电阻变化,类似于IR-OBIRCH,而是一个红外光束,金属导体在芯片内由超声波加热。本文描述了超声波束诱导阻力变化的基本原则(SOBIRCH)成像和显示其有效性在范围广泛的应用程序中,包括多层金属栈。

正电子能谱可以识别缺陷深处金属和半导体的分辨率比单个原子晶格的网站。本文讨论的基本原则和实现正电子湮没谱学和一个关键的发展使其更半导体应用程序更有用的工具。

3 d芯片级集成,芯片是变薄,堆放,并使用tsv垂直互连和microbumps,带来了许多挑战,改进,尤其是在失效分析领域。本文评估各种FA技术的能力的3 d集成带来的挑战并识别当前的缺陷和未来的需要。

本文概述的类型的失败往往发生在光伏(PV)模块的字段和方法通常用于调查。它涵盖了破裂的原因和影响和侵蚀的互联,裂缝和受损细胞,短的和开放的旁路二极管,分层,水分进入,密封剂变色。它描述了工具和技术普遍采用在光伏故障的分析,包括第四测量,致发光、红外成像、和视觉检查。它还讨论了当前和新兴挑战PV失效分析和可靠性。

本文提出了一种新的锂电池的健康监测技术。而传统方法使用电流、电压和温度数据来推断总体的健康细胞,利用超声波测量新方法评估结构性变化如肿胀、扩张,激怒,分层。这篇文章解释了如何以及为什么发生这些变化,他们是如何被衡量的,以及它们如何与电池容量损失,安全,和失败。它还讨论了充电和放电周期和因素的影响,导致气体的产生。

本文综述表面装配钽电容器的基本失效模式和方法用于确定原因。讨论的因素导致泄漏,短裤,打开时,串联电阻,每个失效模式的特征和失效分析的最佳方法。

退缩的几何图形在当今三维集成电路(IC)设计产生迫切需要各种工具来隔离故障在先进的半导体器件。没有单一的技术,充分解决所有类型的失败与所需的快速循环时间。复杂故障没有解决的更快的全球最佳解决方法探测技术、波形或从节点到节点电压测量。这些方法是费时的,通常需要了解电路的操作。全球地图技术缺陷的继发效应被广泛用于尽可能多的失败。这些副作用包括热发射、光子发射,电路操作依赖于局部加热或载波生成缺陷的网站。每个技术解决一些失败的机制,但没有一个是普遍有效的本身。热发射技术的使用已经减弱由于低电源电压的问题,导致贫困老年技术的灵敏度和降低最小特征尺寸来解决。

本文讨论的设置和使用thermoreflectance成像,热映射技术在亚微米范围的空间分辨率和时间分辨率几十纳秒。它描述的基本物理thermoreflectance测量方法的优势和局限性。它还提供了示例展示thermoreflectance成像用于热特性、设计优化和可靠性分析大功率晶体管,通过静电放电装置,和铜。

失效分析越来越困难的出现3 d集成包由于其复杂的布局,不同材料、缩小尺寸,严格符合。本文演示了几个FA技术,包括高频扫描声学显微镜,锁定温度记录,FIB浆纱切片结合等离子体离子刻蚀或激光消融。详细的案例研究显示可以使用各种方法来分析不同材料之间的粘结完整性,到界面结构、埋互连缺陷,和在矽通过在设备或包级别。

锁定温度记录(点燃)是一个强大的故障隔离和表征太阳能电池ICs的工具。本文描述了基本照明成像过程wafer-based硅太阳能电池以及它的各种模式,应用程序和结果。

本文解释了为什么透射x射线显微镜(TXM)和x射线计算机断层扫描(XCT)可能成为选择的方法缺陷定位在未来几年。

本文提出了一种工作流为复杂的集成电路失效分析和设备包。英足总流决定使用无损故障的根源分析和先进的样品制备技术。无损测试通常使用x射线摄影、扫描声学显微镜,时域反射计,磁成像。获得连接失败,使用激光消融,通常结合化学腐蚀完成腐蚀过程。重新包装也足总流的一部分,简要讨论。

充满液体metallized-polymer-film电容器具有独特的故障机制,其中许多都与液面不足,不当安装几何,或两者兼而有之。尽管这样的失败可以使用x射线分析检测设备,通常是不切实际或浪费。本文描述的一些失效模式中观察到充满液体电容和解释了如何分析它们容易和便宜。

背后光学分析通常是借助于固体浸没透镜(SILs),但作为这篇文章的作者解释,SILs提高正面温度记录的分辨率。作者描述固体浸没透镜背后的物理学,并提供例子演示使用的字体的优点和局限性。

一连串的失败最终测试期间发现装配后就带着分析师寻找原因,这被证明是一个不寻常的形式的静电放电(ESD)。大多数ESD对集成电路的影响发生的方式。几乎所有的ESD模型,包括广泛使用人体模型、charged-device模型,和机器模型,是基于这样的假设。然而,随着这个案例研究证明,钝化的晶圆和散装的死也容易受到静电损伤。作者解释,虽然这种类型的故障难以诊断,他们能够使用锁定microthermography和查明原因排除机械、FIB、和激光故障,外貌很相似。