本文解释了如何使用基于红外的直流电注入来发现PCB组件上的短路组件，这是一种非破坏性的方法，比磁显微镜和电压降测量技术有几个优点。还提供了涉及电源板故障的应用实例。

本文描述了一种锁定式热成像技术，它可以在堆叠的模具包中实现热活性缺陷的三维定位。在这种方法中，与热传播延迟相关的相移被分析为频率的函数。这允许在所有三个空间维度上对缺陷进行精确定位，并可作为后续高分辨率物理分析的指南。

提出了一种基于热反射原理的非侵入性热成像分析先进半导体器件的方法。几个例子说明了这种方法在检测热异常和其他技术所遗漏的缺陷方面的价值。

芯片级3D集成，即使用tsv和微凸点对芯片进行减薄、堆叠和垂直连接，在带来改进的同时也带来了许多挑战，特别是在故障分析领域。本文根据3D集成带来的挑战，评估了各种FA技术的能力，并指出了当前的缺点和未来的需求。

本文概述了现场光伏(PV)模块中容易发生的故障类型以及通常用于调查它们的方法。它涵盖了断裂和腐蚀的互连，破裂和损坏的电池，短和开放的旁路二极管，分层，水分进入和密封剂变色的原因和影响。它描述了PV故障分析中常用的工具和技术，包括IV测量，电致发光，红外成像和视觉检查。它还讨论了光伏故障分析和可靠性中当前和新出现的挑战。

当今三维集成电路(IC)设计中的几何尺寸不断缩小，迫切需要各种工具来隔离先进半导体器件的故障。目前还没有一种技术能够在所需的快速周期内充分解决所有类型的故障。快速全局方法无法解决的复杂故障最好通过探测技术来解决，其中从节点到节点测量波形或电压。这些方法都很耗时，通常需要对电路操作有详细的了解。映射缺陷的次要影响的全局技术已被广泛用于尽可能多的故障。这些次要效应包括热发射、光子发射和电路操作依赖于局部加热或缺陷部位的载流子产生。每种技术都解决了故障机制的某些部分，但没有一种技术本身是普遍有效的。由于电源电压较低的问题，热发射技术的使用已经减少，这导致旧技术的灵敏度较差，并且最小分辨率特征尺寸减小。

本文讨论了热反射成像的设置和使用，这是一种空间分辨率在亚微米范围和时间分辨率可达数十纳秒的热成像技术。它描述了热反射测量的基本物理和优点和局限性的方法。本文还举例说明了热反射成像如何用于高功率晶体管、静电放电器件和铜通孔的热表征、设计优化和可靠性分析。

随着3D集成封装的出现，由于其复杂的布局、不同的材料、不断缩小的尺寸和紧密的配合，故障分析变得越来越困难。本文演示了几种FA技术，包括高频扫描声学显微镜，锁定热成像，以及结合等离子离子蚀刻或激光消融的FIB横截面。详细的案例研究展示了如何使用各种方法来分析不同材料之间的键合完整性，芯片到芯片的接口结构，埋藏互连缺陷，以及器件或封装级别的过硅孔。

锁定热成像(LIT)是太阳能电池集成电路的一种强大的故障隔离和表征工具。本文介绍了基于硅片的太阳能电池的基本LIT成像工艺，以及它的各种模式、应用和结果。

背面光学分析通常由固体浸没透镜(SILs)辅助，但正如本文作者所解释的那样，SILs也提高了正面热成像的分辨率。作者描述了固体浸入式透镜背后的物理原理，并提供了从字体方面演示其使用的优点和局限性的示例。

在组装后的最终测试中发现的一系列故障导致分析人员长期寻找原因，结果是一种不寻常的静电放电(ESD)形式。大多数ESD对ic的影响是通过引脚发生的。几乎所有的ESD模型，包括广泛使用的人体模型、充电设备模型和机器模型，都是基于这一假设。然而，正如这个案例研究所证明的那样，钝化晶圆和未包装的模具也容易受到ESD损坏。作者解释说，尽管这种类型的故障很难诊断，但他们能够通过锁定微热成像来确定原因，并排除了机械故障、FIB故障和激光诱导的故障，这些故障在外观上是相似的。