扫描非线性电介质显微镜(SNDM)是扫描探针技术测量探针尖端之间的振荡频率的变化和voltage-biased样本。随着探测器在半导体器件表面,振荡频率的变化对介电性能的变化,电荷和载体密度、掺杂剂浓度、界面状态,或任何其他变量影响当地的电容。在过去的几年中,日本东北大学的研究人员在电介质显微镜多次改进,最新的数字版本被称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)。他们描述他们的新技术和现在的应用程序中使用它获得的简历,d C / d V-V, dlt SiO 2 / SiC接口数据样本。

微分霍尔效应测量深度(DHEM)提供了概要文件的所有关键的电气参数通过半导体层在纳米级深度分辨率。本文描述了相对较新的方法并展示如何使用它来衡量流动性和载体浓度资料在不同的材料和结构。

本文提出了一种nanoprobing方法,利用高速脉冲特征在SRAM细胞。作者描述了测试系统的基本设置和证明其使用six-transistor细胞失败。方法减少了故障定位时间和减少的可能性deprocessing过去的失败,因为测试是在金属化层1。位的反应的形式捕获模拟电流测量,导致失败的一个独特的签名。

一个大型直流电机伺服定位系统开始表现不正常时转子在特定位置。本文描述了进行了检查和测试,以确定故障的根本原因,这是做空电动机绕组阻止形式最有可能造成的损害工具用于包装导体进入核心位置。

在大多数情况下,微电子失效分析植根于观察电压、逻辑水平或基于时间的波形。这是由于很大程度上的缓解这样的测量。因此,目前的测量往往被忽视。本文讨论方面,目前的测量,可以用于故障定位过程中,经常提供信息,无法通过其他方式获得的。

ICs的易感性电磁干扰越来越关心两个设计师和故障分析。本文讨论了瞬态电磁干扰的原因和影响,影响电磁敏感性的因素。它解释了如何确定基于瞬态脉冲磁化率测试和礼物和解释三个汽车电路的测试结果。