内嵌晶片电测试(湿)提供了一个早期阅读在半导体制造过程通过测量测试结构放置在整个晶片。然而,解释数据可能是一个挑战。在许多情况下,只有一个样本的测试网站监控生产。复杂的制造需求问题进一步复杂化,因为一些操作内部条件之间迭代执行给定的晶片,而另一些则运行在整个晶片,还有一些应用在批次晶片。这导致一个嵌套方差结构在不同的物理机制表现出不同的敏感性站点,薄片,lot-to-lot变化。本文使用蒙特卡罗模拟来探讨影响这些等级方差组件可以发挥对湿性能。

本文讨论了相关的权衡与减少梁剂量扫描透射电子显微镜(STEM)并解释如何减少梁接触通过二次抽样和修补,一个信号重建技术,优化图像质量和分辨率。尽管干细胞成像的背景下描述的方法,它适用于任何扫描成像系统。