扫描非线性电介质显微镜(SNDM)是扫描探针技术测量探针尖端之间的振荡频率的变化和voltage-biased样本。随着探测器在半导体器件表面,振荡频率的变化对介电性能的变化,电荷和载体密度、掺杂剂浓度、界面状态,或任何其他变量影响当地的电容。在过去的几年中,日本东北大学的研究人员在电介质显微镜多次改进,最新的数字版本被称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)。他们描述他们的新技术和现在的应用程序中使用它获得的简历,d C / d V-V, dlt SiO 2 / SiC接口数据样本。

本文讨论的基本原则SEM-based阴极发光(CL)光谱和展示了其在发展过程的有效性,统计过程控制和故障分析。技术在CL光谱是最明显的好处是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管作为反映在应用程序的例子。

本文讨论了大面积集成电路deprocessing的现状,发展的最新成果自动deprocessing设备、气体腐蚀发展的潜在影响,离子源选择,紧凑的光谱,和高速激光。

透射电子显微镜以各种方式提高了在过去的二十年里,引起新的表征技术。在本文中讨论的创新场发射枪的引入,将CCD相机和x射线探测器,使用镜头校正系统。这样的改善有显著影响失效分析通过新的TEM技术的出现,包括粮食和应变分析,旋进电子衍射降噪处理低剂量鳗鱼的映射ultra-low-k材料,和EDX断层元素3 d成像纳米尺度上的缺陷。

本文介绍了一种新技术在GaN HEMTs测量温度。该方法是基于拉曼光谱和氧化铈粒子像台的使用温度计与紫外激光扫描时。这篇文章解释说,由于拉曼散射声子线变化是用来估计氮化镓层的温度虽然表面温度是通过氧化铈粒子。给出的结果还验证粒子,它们分布在半导体和金属表面,不要修改的电气特征GaN设备。

正电子能谱可以识别缺陷深处金属和半导体的分辨率比单个原子晶格的网站。本文讨论的基本原则和实现正电子湮没谱学和一个关键的发展使其更半导体应用程序更有用的工具。

本文讨论的发展resonance-enhanced AFM-IR光谱和演示了其有效性与纳米硅测试晶片皮肤颗粒污染物和聚酯。

本文讨论了暗电流光谱学的基本原理(DCS)测量技术,可以检测和识别低水平的金属污染物在CMOS图像传感器。一个例子给出了DCS是用来确定钨和金污染物的浓度在一个图像传感器和估计单个原子所产生的暗电流的金属。

本文提供了一个实用的概述能量色散谱(EDS)和它的各种使用半导体器件制造和失效分析。它解释了EDS技术通常是如何实现的,比较和对比不同的方法,并讨论了确定空间和能量分辨率的因素,测量深度、灵敏度、信噪比和易用性。

几乎所有的半导体材料表现出拉曼散射导致光子能量的频移。在这篇文章中,作者解释如何利用这种机制亚微米结构的测量温度,从而制作温度高分辨率的地图。他们审查喇曼散射的基本理论和目前的应用实例包括high-bandgap材料以及硅设备。

微电子失效分析是基于几种方法去研究和理解失败的起源。除了“经典”的基本方法(西姆斯、光电子能谱等),有许多不常见的技术可以是有价值的但需要大量设备投资、专业运营商,分析师和管理基础设施,使它们可用,如果必要的。离子束分析方法(RBS, PIXE NRA),发现在波尔多核研究中心(法国),是这些专业的工具集的例子。这个网站的功能和改善敏感性通过几个例子演示了设备检查。

Microcalorimeter-based能量色散光谱在半导体材料的分析是一个突破。不到10电动汽车的能量分辨率,它允许明确识别的元素在低能范围(& lt; 3 kV),直到现在,需要wavelength-dispersive技术。

扫描电容光谱学(SCS)是一种新的方式使用扫描电容显微镜(SCM)描绘在硅pn结设备。SCS产生二维pn结地图,小如10 nm的特性。它还可以估计pn结耗尽宽度,因此掺杂水平附近的结。本文解释了SCS和scm允许一个全新的政权涉嫌现象的探索在Si设备和集成电路。

本文讨论了太赫兹时域光谱(THz-TDS)的基本原理和关键部件的功能和局限性THz-TDS系统。它还提供了示例的一些方面THz-TD成像是单独使用,结合其他分析技术。

最近的进步光谱仪现在给足够的灵敏度测量的光谱内容非常微弱的光发射失败产生的半导体器件。本文研究光光谱从最常见的缺陷类为了证明光谱分析的优点和弱点的半导体故障调查。特征分析的结论是可能无法提供一个明确的根源,但它可以帮助确认问题的根源后,进行进一步的分析。

二次离子质谱(SIMS)通过轰击固体样品表面的离子,释放带电原子和分子物种,然后收集和分析。这篇文章解释说,西姆斯有能力检测元素周期表中的所有元素除了固有的深度分析能力,使其不可或缺的工具,描述和分析半导体元器件和材料。它还介绍了几个应用实例。

电子设备失效分析通常始于电气测试,其次是目视检查通过光学显微镜,扫描电子显微镜检查。当成像揭示了需要确定材料的组成、缺陷、和可疑污染物,产生的电子束扫描电镜可以用来获得必要的信息。这篇文章解释说,这是方法背后的基本概念被称为能量色散x射线能谱(EDX)和它的广泛使用的关键。此外,本文提出了三个例子展示了SEM / EDS测量失败帮助分析师识别人类污染物死样本,确定一个粒子源晶片嵌入电影堆栈,并得出结论,主要从焊接飞溅模具粘合粗加工造成丝焊。