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发射光谱分析
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期刊文章

阴极发光的进步:最近步骤半导体晶圆厂和FA实验室

基督教Monachon,马修·j·戴维斯
摘要技术文章(2020)22(4):进一步。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020 - 4. p028
发表:2020年11月01
文摘
本文讨论的基本原则SEM-based阴极发光(CL)光谱和展示了其在发展过程的有效性,统计过程控制和故障分析。技术在CL光谱是最明显的好处是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管作为反映在应用程序的例子。
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期刊文章

光发射光谱分析:电场和光谱之间的关系

丹尼尔·l·巴顿,Paiboon Tangyunyong,杰瑞·m·Soden,克里斯托弗·l·亨德森,Rainer Danz…
摘要技术文章(2000)2 (4):36-38。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2000 - 4. p036
发表:2000年11月01
文摘
最近的进步光谱仪现在给足够的灵敏度测量的光谱内容非常微弱的光发射失败产生的半导体器件。本文研究光光谱从最常见的缺陷类为了证明光谱分析的优点和弱点的半导体故障调查。特征分析的结论是可能无法提供一个明确的根源,但它可以帮助确认问题的根源后,进行进一步的分析。
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