本文提供了一个实用的概述能量色散谱(EDS)和它的各种使用半导体器件制造和失效分析。它解释了EDS技术通常是如何实现的,比较和对比不同的方法,并讨论了确定空间和能量分辨率的因素,测量深度、灵敏度、信噪比和易用性。

Microcalorimeter-based能量色散光谱在半导体材料的分析是一个突破。不到10电动汽车的能量分辨率,它允许明确识别的元素在低能范围(& lt; 3 kV),直到现在,需要wavelength-dispersive技术。

电子设备失效分析通常始于电气测试,其次是目视检查通过光学显微镜,扫描电子显微镜检查。当成像揭示了需要确定材料的组成、缺陷、和可疑污染物,产生的电子束扫描电镜可以用来获得必要的信息。这篇文章解释说,这是方法背后的基本概念被称为能量色散x射线能谱(EDX)和它的广泛使用的关键。此外,本文提出了三个例子展示了SEM / EDS测量失败帮助分析师识别人类污染物死样本,确定一个粒子源晶片嵌入电影堆栈,并得出结论,主要从焊接飞溅模具粘合粗加工造成丝焊。