1997年国家半导体技术路线图(NTRS)和1999年国际半导体技术发展路线图(也是)包括章节概述了计量需要硅半导体行业在未来五年,beyond1。大挑战包括负担得起的扩展、新材料和新结构,和产量和可靠性。尽管额外的需求在这些分类详细,它常常是困难的分析专家或计量设备供应商将这些大的挑战转化为详细的和有意义的分析应用程序或工具开发成功的路线图。path-to-impact单一计量活动并不总是明确的。

新优惠腐蚀(100)和(111)为导向,p, n型硅了。本文描述的基本化学蚀刻过程和提供的例子如何定义关键特性,比如oxidation-induced堆积层错,混乱,漩涡,条纹与最低表面粗糙度和点蚀。腐蚀速率相对较慢约1μm / min在室温下提供腐蚀好控制和一个很长的保质期可以存储大量的解决方案。