在酸铜导线易受损失被膜剥除术,必须保护停止过程在合适的时刻。本文描述的开发和评估方法,使用极化电流测量end-of-etch检测和随后的冲洗。

IBM工程师最近进行了一项研究,更好地理解和控制铜柱焊点的可靠性在2.5 - d包。在这里他们描述他们的方法和结果。他们解释如何创造测试样品来评估不同焊料成分、支柱的几何图形,对微观结构和热历史和评估他们的影响,沉淀形态、金属间化合物层厚度和剪切强度。他们也存在热循环测试结果对比硅和玻璃插入器的性能。

铜层电介质材料分离性能的存在在当今集成电路对电路编辑工程师是一个主要的问题。本文解释了为什么和提供了一个解决方案,地址CE工程师所面临的挑战。根据作者,困难主要是由于离子束的互动与变化铜晶粒取向、卤素腐蚀的影响,CuF的存在。因此,铜铣往往是不均匀和编辑时间往往很长。提出的解决方案是基于chemically-assisted铣和蚀刻过程快速、均匀去除铜和介电层,同时保持平面性。

有一个鲜为人知的失效机理,影响直流线圈,特别是用于low-side-switched电路。这种机制包括电解运输的铜绕组与化学腐蚀。对于这种现象发生,几个条件必须同时存在。本文讨论了此类故障发生的条件,解释了如何减少它们的影响如果没有阻止他们。

99 ISTFA”活动,主办方安排了第一次小组讨论在纯粹的EOS / ESD问题相关的失效分析。每个专家给出了他们的专业领域,其次是两个小时的活泼与与会者和与会者之间的交流。委员会讨论了如何区分EOS和ESD失败。这些失败更重要的行业转移到亚微米几何图形和更新的互连材料和其他处理技术,如铜和倒装芯片处理。