STEM-in-SEM本文提供了一个简单的概述,讨论利弊,最近探测器技术的进步,和4 d STEM-in-SEM的出现,一个相对较新的方法,使用在不同的光栅衍射模式记录位置来增强图像离线选择感兴趣的区域。

本文讨论了大面积集成电路deprocessing的现状,发展的最新成果自动deprocessing设备、气体腐蚀发展的潜在影响,离子源选择,紧凑的光谱,和高速激光。

本文讨论的优点SEM-based nanoprobing和不同的方式可以用来定位缺陷与集成电路有关的失败。它描述了电子束感生电流的基本测量物理,电子吸收,和电压分布对比成像和礼物的例子显示如何使用不同的方法来隔离低收入和高阻网站,短裤,并打开以及离子注入金属模式的缺陷。

掺杂剂的概要文件在亚微米硅设备通常使用扫描探针技术测量。SEM-based方法最近出现了,然而,这可能是一个更强大的工具来定量掺杂剂成像。本文讨论潜在对比二次电子成像的物理测量和评估其能力分析的基础上碳化硅功率晶体管、垂直腔面发射激光器和量子井设备。

其次是电子束感生电流电压对比成像是一种有效的方法来隔离集成电路故障。本文简要回顾了物理学的信号生成技术,提出了几个例子说明如何强大的组合有利于先进的缺陷定位。

本文描述了两个创新的方法,可以显著提高扫描电镜成像的分辨率:扫描透射电子显微镜的扫描电子显微镜(STEM-in-SEM)和forward-scattered电子成像(FSEI)。这两种方法都可以实现在任何扫描电镜使用特殊样品持有人。不需要其他修改。本文中提出的测试结果表明,1 - 2纳米分辨率的薄片,盖茨裸多晶硅,光刻胶。

电压之下,这种现象发生在扫描电子显微镜,产生亮度变化SEM图像对应测试样本的潜在变化。通过适当的处理,信号电压对比可以揭示广泛的集成电路的功能的信息。电压对比可以被使用,例如,绘制电气逻辑水平和时间波形芯片内部节点的操作时,在扫描电镜室。本文描述了电压对比的基本原理及其在集成电路失效分析中的应用。

扫描电子显微镜(sem)的主要工具是电子设备测试、失效分析和表征。这种状态并不明显,然而,当第一个商业SEM,剑桥立体扫描,出现在1963年。当时厂家的市场调查预测全球六到十单元的总销售额。在过去的四十年,sem平均售价每24小时一个单位,有三分之二的仪器的半导体行业。

电子束感生电流(EBIC)分析是一个通用的工具,可以使用任何访问SEM。本文解释了如何使用EBIC模式失败分析师sem检测结和氧化缺陷,简化结描述,揭示地下通过多层金属化损伤。

扫描电子显微镜可以用于分析几乎任何导电容易失败,包括继电器、线圈,电感、电容、电阻、晶体管、二极管、igbt、mosfet、和混合电路。这篇文章的作者解释说,sem是最通用的工具之一失效分析如果使用,充分发挥他们的能力。他们的操作模式包括放射成像、反向散射电压之下,EBIC或标本当前,电导率电阻映射。作者描述了每个操作模式,提出了各种方法的例子可以使用他们。