扫描非线性电介质显微镜(SNDM)是扫描探针技术测量探针尖端之间的振荡频率的变化和voltage-biased样本。随着探测器在半导体器件表面,振荡频率的变化对介电性能的变化,电荷和载体密度、掺杂剂浓度、界面状态,或任何其他变量影响当地的电容。在过去的几年中,日本东北大学的研究人员在电介质显微镜多次改进,最新的数字版本被称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)。他们描述他们的新技术和现在的应用程序中使用它获得的简历,d C / d V-V, dlt SiO 2 / SiC接口数据样本。