集成电路技术的进步使失败的网站本地化极具挑战性。的作者通过一系列的案例研究,本文展示如何使用EBIC / EBAC能够克服这些挑战,当前的成像,和nanoprobing。案件涉及范围广泛的问题,包括电阻链缺陷,底物渗漏、微裂缝、微污染,和开放的失败由于镀铜问题和失踪的通过。

本文讨论了失效分析的挑战与大型overmolded 2.5 d包和解释了激光被膜剥除术其次是微波诱导等离子体(MIP)现货蚀刻去除overmold同时保持一切完好无损。它还描述了一个缺陷的隔离程序样例分析在大型室内环境扫描电镜与球阵列直接连接到一个EBAC放大器。

最近的趋势在半导体失效分析需要结合使用不同的工具和技术,以获得更准确的数据的速度。本文描述一个新的工作流结合FIB, GIS, nanoprobing,所有在同一FIB倾斜位置。它还提供了使用工作流的两个例子。

原子力显微镜是一个一致的因素在过去十年的进步IC nanoprobing和失效分析。在那个时候,许多新的原子力测量技术采用了集成电路分析社区,包括扫描电导、扫描电容,脉冲电流电压,capacitance-voltage光谱学。最近,两个新技术的出现:钻石探头铣和静电力显微镜(EFM)。作为这篇文章的作者解释,钻石使用原子力显微镜探针铣削是一种很有前途的新方法原位,本地化,ICs的精密机构扁平化,而主动EFM是本地化的无损替代EBAC显微镜在集成电路分析。

本文提供了一个总结报告给出的四个用户组会议ISTFA 2012。每一个用户组都集中在下列主题之一:nanoprobing,非接触式故障隔离,聚焦离子束和样品制备。

本文提供了一个总结的四个用户组会议,发生在ISTFA 2011。总结覆盖关键参与者,演讲主题,讨论了从下列每组:第1组,聚焦离子束;组2、3 d包装和失效分析;组3,发现看不见的缺陷;和组4,Nanoprobing和电气特性。

第43届国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2017)举行帕萨迪纳市加州,2017年11月5 - 9。本文总结了主题演讲中,技术程序、座谈会、教程、和用户组会议。

45国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2019)是在波特兰举行,俄勒冈州,2019年11月10 - 14。本文简要总结和识别关键贡献者。它还包括突出就职会议的小组讨论妇女在电子产品失效分析(分析)和小组讨论“失效分析工程师人工智能是什么意思?”The article concludes with a brief recap of each of the four User Group meetings that took place during the conference: Sample Prep, System on Package, FIB/Circuit Edit, and Nanoprobing.

第42届国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2016)是在沃斯堡举行,得克萨斯州,2016年11月6 - 10。本文总结了主题演讲中,技术程序、座谈会、教程、和用户组会议。

等离子体聚焦离子束(PFIB)系统可以生成离子束流与更高的电流,因此能够去除大卷的材料以快得多的利率仍保持精确地控制光束和铣削行动。这篇文章解释了PFIB的改进的性能是导致新的应用程序在减少层级,deprocessing和特定站点失效分析。

辨别的能力使样品中原子的组成和布置TEM最强大的特性之一微电子组件的工具。然而,对于许多设备,动力基本正常运行不取代原子。设备功能,相反,由电子和热过程对物理结构几乎没有影响,需要额外的工具来确定失败的原因。在本文中,作者提出了结果表明干EBIC,与新SEEBIC模式,可以提供电子相比,补充了physical-based干细胞成像的对比。通过识别设备功能失败的风险,这两种方法可能会打开一个路径预测失效分析。

40国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2014) 11月8日至14日举行,2014年在乔治·r·布朗会议中心在休斯顿,德克萨斯州。“探索故障分析的许多方面,”2014年ISTFA的主题,强调了不同性质的半导体失效分析在21世纪。技术会议、主题演讲和教程ISTFA 2014涉及广泛的话题从故障隔离和样品准备到极端环境失败和数字信号处理器的诞生。

本文提出了一种物理检查和攻击方法的全面研究,描述所使用的方法通常造假者和对手的风险和威胁。它还解释了体格检查方法可以作为信任验证工具,并提供实用的指导方针进行硬件更安全。

本文讨论的挑战与nanoprobing先进技术节点设备和解释了如何优化梁电压的扫描电镜图像100 eV或更少。

本文提供了一个回顾和总结edfa的虚拟用户组车间在2021年1月举行。总结覆盖关键参与者,演讲主题,讨论了聚焦离子束,样品制备,非接触式探测和Nanoprobing虚拟小组会议系统方案。

本文讨论了样品制备的挑战,阻碍进步生产bias-enabled TEM样品从电子元件,以及策略来减轻这些问题。

样品制备是掺杂剂的关键一步FinFET设备的分析,特别是针对个体的鳍。本文描述了一种样品制备技术基于低能,过一定离子铣和显示它最小化表面无定形化,提高了扫描电容显微术(SCM)信号代表当地活跃的掺杂剂浓度。

测试和失效分析47国际研讨会(ISTFA 2021)在凤凰城举行。,从2011年10月31日至11月4日。本文总结了主题演讲中,技术项目、座谈会、教程、用户组会议,女性在电子产品失效分析(分析)事件。