Energy-filtered透射电子显微镜(EFTEM)是一种成像技术,它使用inelastically散射电子和能量过滤器来制作高质量的图像和基本的地图。本文综述EFTEM的物理测量,比较和对比它与其它成像和化学分析技术,并给出了几个应用实例来展示它在半导体器件失效分析中使用。

透射电子显微镜以各种方式提高了在过去的二十年里,引起新的表征技术。在本文中讨论的创新场发射枪的引入,将CCD相机和x射线探测器,使用镜头校正系统。这样的改善有显著影响失效分析通过新的TEM技术的出现,包括粮食和应变分析,旋进电子衍射降噪处理低剂量鳗鱼的映射ultra-low-k材料,和EDX断层元素3 d成像纳米尺度上的缺陷。

长期稳定性研究表明,阴极退化是失败的一个主要机制anode-supported固体氧化物燃料电池。为了更好地理解阴极的微观结构退化机制和氧分压的影响相关的操作温度,本文的作者获得了TEM技术样本细胞研究阳离子相互扩散机制和LSM-YSZ交互,特别是在地区LSM谷物与YSZ电解质接触。他们现在和解释结果。

本地化缺陷独一无二的失败可以几天,几周,甚至几个月,之后详细物理是在确定问题的根源进行分析。TEM和阀杆在这一过程中发挥互补作用;TEM由于其优越的空间分辨率和阻止,因为它产生的图像更容易解释,更容易出现色差厚样本。过去,使用干细胞在足总已经有限的由于成像模式之间切换所需的时间,但随着出现TEM /茎显微镜与计算机控制镜头,干细胞的使用正在增加。本文概述了干细胞技术和现在的例子展示如何使用它来形容ICs的微妙和复杂的缺陷。

透射电镜标本准备使用Ga FIB易受工件,如表面无定形化和离子注入层,在先进技术节点可以有问题,特别是FinFETs。然而,正如本文所展示的post-FIB清洗通过集中氩离子铣是一种快速、有效的样品制备过程FinFET设备不到20纳米的厚度控制。虽然这里给出的结果是基于14 nm节点FinFETs,该方法也适用于10日和7海里FinFET技术目前在生产。

本文描述了聚焦离子束(FIB)技术用于结合其他分析工具对失败和产量分析MEMS设备。它提供了示例展示如何使用FIB和TEM分析,AFM分析,扫描声学显微镜和扫描激光显微镜。

图像增强已被证明有助于定位缺陷ICs。本文讨论了两个图像分析技术,图像对比和强度分析,并展示他们如何揭示缺陷,否则被错过。

第六FIB-SEM车间3月1日举行,2013年,在马萨诸塞州剑桥市。本文提供了一个事件的总结以及强调从18纸演示。

软电力故障造成monograin缺陷可以产生重大影响收益率低于40纳米技术节点。此外,失败难以识别的缺陷给很少的签名在本地化测试。在这篇文章中,作者解释如何使用nanobeam衍射与自动晶体取向和相位映射确定单个晶粒取向导致的问题,因此,现在能够认识到这种类型的失败的症状,观察缺陷,限制了影响电时间利润通过设计和修正过程。

本文评估的功能失效分析技术在65纳米CMOS集成电路。电压的对比,它演示了使用OBIRCH塞贝克效应成像,扫描电镜和透射电镜技术,和浆纱切片FIB失败如介质击穿、开放和电阻通过,空洞,短裤,分层,栅氧化层缺陷。

本文提供了洞察IDDQ和时机的本质缺陷和他们目前的挑战失败分析师基于Sematach研究的结果。

辨别的能力使样品中原子的组成和布置TEM最强大的特性之一微电子组件的工具。然而,对于许多设备,动力基本正常运行不取代原子。设备功能,相反,由电子和热过程对物理结构几乎没有影响,需要额外的工具来确定失败的原因。在本文中,作者提出了结果表明干EBIC,与新SEEBIC模式,可以提供电子相比,补充了physical-based干细胞成像的对比。通过识别设备功能失败的风险,这两种方法可能会打开一个路径预测失效分析。