第三扩展欧洲失效分析网络(EUFANET)车间、“智能FA在电子设备新材料”在德累斯顿举行,德国,台北,2012年9月。本文总结了事件的亮点展示灵活的有机电子,在碳化硅晶体缺陷,nanoprobing,纳米x射线断层扫描的能力。

22日欧洲研讨会上电子设备的可靠性,失效物理和分析(ESREF 2011) 10月3日至7日举行了2011年,在法国的波尔多。会议集中在两个主要地区电子产品这一担忧设计师,制造商和用户:(1)策略,电子电路和系统的质量和可靠性评估,和(2)先进的技术和产品评估分析技术。本文报告强调的技术项目。

这篇专栏文章给出了失效分析的详细流程图。

这篇专栏文章解释说,与传闻相反,光子发射活得好好的,进一步丰富FA如果几个新方法成功。

65纳米技术的引入,横截面尺寸的铜互连层现在小于100纳米,这意味着电流密度的几个马/平方厘米。电迁移作为芯片失效的根本原因是这样一个主要的担忧和仍在接受调查。在这篇文章中,作者展示了最近失效分析研究金属包覆铜互联,使用OBIRCH技术结合FIB浆纱切片和扫描电镜和透射电镜成像。

本文地址电容器故障的问题,解释如何以及为什么发生和如何确定原因。它描述了陶瓷的频繁但经常被忽视的可靠性失败机制,铝箔、电解电容器。

使用智能卡的无线电频率识别(RFID)设备,本文研究静电放电过程中遇到风险场景组装和,和轮廓基本对策。

分析scan-based ICs本质上是两个域之间的分裂:的设计师和设备的分析师。设计师往往经营的范围内故障特征,寻找缺陷在基于测试数据逻辑块或结构。设备分析,另一方面,更关注体育方面的缺陷如位置、组成、形态。这些单独的世界开始合并,然而,这个案例研究表明,简化整个故障分析和解决过程。

汽车电子接触机械冲击和振动、热循环、化学攻击,电流和电压峰值,电磁干扰和其他危害。早期生活的失败并不罕见,很难诊断,因为许多因素。本文概述了汽车电子的失败和礼物指南确定的根本原因。

引入ultralow-k电介质中最近的一次里程碑追求更高的时钟速度和更低的功耗在ICs。一个权衡,然而,互连栈分层性能材料而不是SiO 2更容易受到机械损伤。本文提出了一种方法,可以评估互连的机械完整性栈在晶圆级别。新bump-assisted BEOL稳定缩进(BABSI)测试使用nanoindentation工具应用横向和垂直部队在晶片表面和铜焊料支柱。通过应用适当的压力,各方面的完整性,如失效模式的发生或弱界面的堆栈,可以由随后的SEM / FIB分析。作者描述的测量技术的基本原理和它的一些应用程序使用。

本文讨论了静电放电(ESD)之间的主要差异和电气过分强调(EOS)和在何种情况下发生。它也解释了如何区分ESD在EOS失效分析以及如何避免常见的误解和错误。

FIB电路编辑工具和技术迄今为止跟上互连材料的进化在ICs和向下扩展的设备尺寸。本文对FIB电路编辑技术评估未来的挑战和变化,才能保持FIB-based蚀刻、铣,沉积在未来可行的。