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FinFETs

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期刊文章

三维原子探针层析成像表征的优势与挑战FinFETs

安德鲁·j·马丁，Ajay Kumar Kambham，Ahmad D. Katnani
EDFA技术条款(2017) 19(2): 22-30。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-2.p022
发表:2017年5月1日
…收集和重建。它还包括一个案例研究，其中3D原子探针技术用于绘制掺杂物剖面和识别SiGe源漏区缺陷FinFET晶体管。本文综述了原子探针层析成像技术(APT)及其在半导体FA中的应用。
摘要
本文综述了原子探针层析成像技术(APT)及其在半导体FA和新产品开发中的应用。讨论了原子探针的基本组成，APT尖端的制作，以及数据收集和重建的一般方法。它还包括一个案例研究，其中3D原子探针技术用于绘制掺杂物轮廓并识别SiGe FinFET晶体管源漏区缺陷。
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期刊文章

14 nm及其他波长TEM样品的fib后清洗FinFETs用浓氩离子铣削

塞西尔索，迈克尔Campin，凯文McIlwrath，保罗Fischione
EDFA技术条款(2019) 21(4): 4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-4.p004
发表:11月1日2019
…塞西尔索;迈克尔Campin;凯文McIlwrath;使用Ga FIB制备的TEM样品容易受到人工制品的影响，例如表面非晶化和离子注入层，这在先进的技术节点中可能会出现问题，特别是对于FinFETs。如本文所示……
摘要
使用Ga FIB制备的TEM样品容易受到伪影的影响，例如表面非晶化和离子注入层，这在先进的技术节点中可能会出现问题，特别是对于finfet。然而，正如本文所示，通过浓氩离子铣削进行fib后清洗，可以为厚度控制在20nm以下的FinFET器件提供快速有效的样品制备过程。虽然本文给出的结果是基于14纳米节点的FinFET，但该方法也适用于目前生产的10纳米和7纳米FinFET技术。
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期刊文章

先进节点掺杂谱分析的新型样品制备方法综述FinFET扫描电容显微镜设备

“Adhikari，菲尔Kaszuba，盖坦字马修，Daminda Dahanayaka
EDFA技术条款(2022) 24(2): 18-23。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022-2.p018
发表:2022年5月1日
…“Adhikari;菲尔Kaszuba;盖坦字马修;样品制备是样品分析的关键步骤FinFET装置，尤其是针对单个鳍的装置。本文介绍了一种基于低能、浅角离子铣削的样品制备技术。
摘要
样品制备是FinFET器件掺杂谱分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文介绍了一种基于低能量、浅角离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化和改善扫描电容显微镜(SCM)信号，代表局部活性掺杂浓度。
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期刊文章

自动化工作流程提高了22纳米S/TEM过程监控的速度和精度FinFET结构

拉里·德沃金
EDFA技术条款(2013) 15(4): 26-36。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013-4.p026
发表:11月1日
…吞吐量和数据质量。版权所有©ASM Intbeplay体育官网地址ernational®2013 2013 ASM International 22 nmFinFET结构过程监测样品制备扫描透射电镜httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2013-4.p026 EDFAAO (2013) 4:26-36 S/TEM过程监测1537…
摘要
使用透射电子显微镜(TEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)的自动图像采集和计量的最新发展显着提高了这些技术用于控制先进半导体器件制造过程的速度，精度和可用性。随着器件尺寸的不断缩小，这些技术可能需要取代扫描电子显微镜(SEM)来进行最小临界尺寸(CD)测量。本文描述了在高通量cd计量工作流程中使用自动化S/TEM来支持过程开发和控制，并解释了自动化样品制备、数据采集和计量工具如何提高吞吐量和数据质量。
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期刊文章

软误差敏感性FinFET静态存储器

安东尼·s·奥茨，Yi-Pin方
EDFA技术条款(2016) 18(2): 16-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016-2.p016
发表:2016年5月1日
…安东尼·s·奥茨;本文综述了近年来在体硅制备的SRAM电路中的软误差效应的研究FinFETs。在6T平面和平面上进行加速试验FinFET通过将它们暴露在高能中子和α粒子中…
摘要
本文回顾了最近的研究工作，旨在表征用大块硅finfet制造的SRAM电路中的软误差效应。利用高能中子和α粒子对6T平面和基于finfet的SRAM电池进行了加速试验。基于测试结果和模拟，作者表明，由于翅片的几何形状限制了电荷的收集，在FinFET器件中，软误差率要低得多。
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细胞内部的机器学习解决复杂问题FinFET缺陷机制与卷扫描诊断

Manish沙玛，燕锅
EDFA技术条款(2019) 21(1): 4-9。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-1.p004
发表:2019年2月1日
…Manish Sharma;本文介绍了在半导体FA中使用机器学习的最新突破。第一次，细胞内部缺陷FinFETs不仅已检测和诊断，但也细化，澄清，并解决使用细胞感知诊断随着根…
摘要
本文介绍了在半导体FA中使用机器学习的最新突破。这是第一次，finfet的细胞内部缺陷不仅被检测和诊断，而且还通过细胞感知诊断和根本原因反褶积(RCD)技术进行了细化、澄清和解决。作者描述了该方法的发展，并评估了每一步所做的增量改进。
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高级设备可靠性挑战FinFET技术

Xinggong广域网
EDFA技术条款(2019) 21(4): 30-37。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-4.p030
发表:11月1日2019
…本文讨论了热载流子注入、偏置温度不稳定性和随时间变化的介电击穿对光电性能的影响FinFET性能和可靠性。本文讨论了热载流子注入、偏置温度不稳定性和随时间变化的影响。
摘要
本文讨论了热载流子注入、偏置温度不稳定性和随时间介电击穿对FinFET性能和可靠性的影响。
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单片机与纳米探针相结合的SOI电阻性失效研究FinFET设备

露西尔·c·蒂格·谢里丹，唐Nedeau
EDFA技术条款(2020) 22(2): 22 - 28。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-2.p022
发表:2020年5月1日
…露西尔·c·蒂格·谢里丹;扫描电容显微镜(SCM)和纳米探针是隔离和理解晶体管级故障的关键工具。在本案例研究中，使用SCM和纳米探针来确定14nm SOI中簇型故障的电特性FinFET…
摘要
扫描电容显微镜(SCM)和纳米探针是隔离和了解晶体管级故障的关键工具。在本案例研究中，在标准FIB横截面成像未能显示任何可见缺陷后，使用SCM和纳米探针来确定14nm SOI FinFET SRAM中簇型故障的电特性。
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超导单光子探测器实现了低电压刻度集成电路的时间分辨发射测试

Andrea Bahgat Shehata报道，佛朗哥Stellari，Peilin歌
EDFA技术条款(2016) 18(4): 16-22。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016-4.p016
发表:11月1日
…测量显示在14纳米FinFET技术和电源电压低至0.4 V的逆变器链。光电探测器技术的进步使半导体失效分析中的时间分辨发射(TRE)技术重新焕发生机。在这篇文章中，作者解释了……
摘要
光电探测器技术的进步使半导体失效分析中的时间分辨发射(TRE)技术重新焕发生机。在这篇文章中，作者解释了超导单光子探测器如何提高TRE测量的能力，并在14纳米FinFET技术和电源电压降至0.4 V的逆变器链上进行了演示。
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用于集成电路成像的最先进的高分辨率3D x射线显微镜

米尔科叫喊，Manuel Guizar-Sicairos，Jorg·拉伯
EDFA技术条款(2021) 23(2): 13-19。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-2.p013
发表:2021年5月1日
…x射线层析成像(PyXL)与变焦。为了演示PyXL的功能，我们使用了一个16nm的FinFET将逻辑IC机械抛光至20 μ m厚度，并以不同分辨率对多个区域进行成像。最近的研究表明，x射线照相技术……
摘要
最近的研究表明，x射线型照相术有可能弥补传统x射线成像和电子显微镜之间存在的差距。本文介绍了从基本的二维成像到计算机断层扫描再到带变焦的三维平面x射线层析成像(PyXL)技术的演变。为了证明PyXL的能力，将16纳米FinFET逻辑IC机械抛光至20 μ m厚度，并以不同分辨率对多个区域进行成像。
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期刊文章

用TEM表征VLSI的最新进展

弗里德·鲍曼
EDFA技术条款(2019) 21(3): 26-32。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-3.p026
发表:2019年8月1日
…吞吐量和快速周转的分辨率只有几纳米。然而，随着器件尺寸缩小到50纳米以下，成像的作用已经慢慢转移到更复杂的透射电子显微镜(TEM)工具上。最后，随着3D设备的出现，比如FinFETs在20nm…
摘要
在过去的二十年里，透射电子显微镜已经以各种方式得到了改进，从而产生了新的表征技术。本文讨论的创新包括场发射枪的引入，CCD相机和x射线探测器的结合，以及透镜校正系统的使用。通过新的TEM技术的出现，这些改进对失效分析产生了重大影响，包括用于晶粒和应变分析的进动电子衍射，用于超低k材料的低剂量EELS测绘的降噪处理，以及用于纳米尺度上缺陷元素3D成像的EDX断层扫描。
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期刊文章

ISTFA 2017总结

EDFA技术条款(2018) 20 (1): 36-s-6。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018-1.p036
发表:2018年2月1日
…Kristofor Dickson，恩智浦半导体，2017杰出论文:迈向集成电路自动去处理的步骤ISTFA 2017与会者最佳论文:NMOS中栅氧化针孔缺陷的表征FinFET设备……
摘要
第43届测试与失效分析国际研讨会(ISTFA 2017)于2017年11月5日至9日在加州帕萨迪纳举行。本文提供了主题演讲、技术计划、小组讨论、教程和用户组会议的摘要。
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期刊文章

失效前的结构分析

本杰明Cipriany
EDFA技术条款(2014) 16(2): 46-47。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014-2.p046
发表:2014年5月1日
…并对平面和平面的集成前端工艺进行了评价FinFET技术。Cipriany博士的工作重点是开发过程精确的计算模型和3-D可视化，以支持跨团队协作并协助战略决策。访问电子设备故障分析…
摘要
本专栏建议，开发3D结构模型作为观察和探索虚拟领域故障的工具，可以在不提交硬件的情况下避免故障。同样，不需要构建硬件来系统地评估存在随机效应的故障，通过3D模型进行虚拟化可以为进行受控实验提供完全用户定义的环境。在这样的虚拟环境中，可以引入和解析系统和随机行为，以便更清楚地查找故障的根本原因。
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期刊文章

利用晶圆厂和设计数据加速失效分析

Rao Desineni，燕锅
EDFA技术条款(2017) 19(4): 62-63。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-4.p062
发表:11月1日
…晶体管架构，例如FinFETs为生产包含数十亿逻辑门的复杂片上系统(soc)增加了额外的复杂性。尽管对晶圆代工厂有上市时间和量产时间的要求，但生产soc的盈利难度越来越大……
摘要
本专栏讨论使用IC设计和晶圆处理测试数据进行故障分析的好处。
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期刊文章

电子设计自动化中的人工智能协助物理故障分析

于黄
EDFA技术条款(2018) 20(3): 54-55。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018-3.p054
发表:2018年8月1日
…可以模拟真实的硅缺陷。然而，当新技术节点移动到纳米级时，这种情况发生了变化，FinFET其他先进技术开始流行，更复杂的细胞库出现了。目前，精确地模拟硅缺陷是非常困难和昂贵的。
摘要
本专栏解释了在IC设计过程中如何使用机器学习来诊断电气故障并识别潜在的热点和系统缺陷。
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期刊文章

量子计算仍处于基础研究阶段

保罗Teich
EDFA技术条款(2020) 22(4): 50-51。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-4.p050
发表:2020年11月1日
…然后是7nmFinFET盖茨。为了超越仅使用几十个量子位的模拟量子计算，必须开发量子纠错码。为了实现这一点，量子计算机架构师必须检测到错误何时发生。为了了解当前量子计算的基础，最近的实验……
摘要
本专栏评估了与量子计算相关的近期挑战，并指出15年是商业上可行的量子云计算的乐观估计。然而，在斗争中也有机会，特别是在计量和组件开发方面。
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期刊文章

用三维原子探针分析电子器件

卡里莫夫问好
EDFA技术条款(2013) 15(4): 4 - 11。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013-4.p004
发表:11月1日
…关于量子阱层。参考文献11，三维finFET用高k金属栅极进行了分析。如本文所示，APT能够在亚纳米空间分辨率下获得复杂材料堆的正确化学成分。优化了FIB制样方法。
摘要
本文讨论了原子探针层析成像(APT)的基本程序，并演示了其在复杂材料堆中的应用。虽然APT仍然是一项相对较新的技术，但它已经走到了半导体失效分析的前沿，因为它可以在近原子尺度上提供各种材料的3D化学成分。
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期刊文章

IARPA的成功案例-电路分析工具计划

卡尔·e·麦坎茨
EDFA技术条款(2015) 17(3): 50-52。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2015-3.p050
发表:2015年8月1日
…项目安全运营办公室项目经理Carl E. McCants carl.mccants@iarpa.gov项目概述半导体行业正在继续推进摩尔定律，即14纳米FinFET集成电路目前正在生产中，预计10纳米电路将在未来…
摘要
IARPA电路分析工具(CAT)计划的第二阶段于2015年6月结束，重点是开发原型工具，以演示10nm节点的可扩展性。我们的客座专栏作家，IARPA项目经理，Carl E. McCants，提供了一个参与团队完成的总结。
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期刊文章

Xe等离子体与镓FIB脱层

Sharang Sharang，保罗Anzalone，约瑟夫·文森特·奥伯纳
EDFA技术条款(2019) 21(3): 4-6。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-3.p004
发表:2019年8月1日
…，2014.3.R. Alvis等:等离子体FIB双光束:14纳米原子力纳米探测的分层FinFETSRAM阵列中的器件。计算机协会。测试。失败。分析的(中国农业科学杂志)，2015,p 388-400。4.吴建军，等:基于等离子体FIB的14nm节点技术集成电路，欧洲显微技术大会。
摘要
液态金属离子和等离子束FIB系统在半导体工业中广泛应用于TEM薄片制备、电路编辑和截面分析。本文比较了Ga等离子体FIB和Xe等离子体FIB的去处理能力。这两种系统都用于将英特尔14纳米处理器从M8延迟到晶体管触点。如图所示，Xe等离子体FIB打开了一个100 × 100µm的窗口，Ga FIB打开了一个20 × 20µm的窗口。相关的问题，如处理时间，终点检测和表面粗糙度也进行了讨论。
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期刊文章

ISTFA 2019亮点

EDFA技术条款(2020) 22(1): 30-41。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-1.p030
发表:2020年2月1日
…社区。文件在图书馆里。电子设备故障分析|卷22第22期。祝贺以下获奖者:ISTFA 2019最佳论文:扫描电容显微镜和光谱学用于特定位置个体的根本原因分析FinFETPhil Kaszuba…
摘要
第45届测试与失效分析国际研讨会(ISTFA 2019)于2019年11月10日至14日在俄勒冈州波特兰举行。本文简要总结了该事件的亮点，并确定了该事件的主要贡献者。它还包括来自电子故障分析女性(WEFA)首届会议的小组讨论亮点和小组讨论“人工智能对故障分析工程师意味着什么?”文章最后简要回顾了会议期间举行的四次用户组会议:样品准备、系统封装、FIB/电路编辑和纳米探测。
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