本文介绍了一种新技术在GaN HEMTs测量温度。该方法是基于拉曼光谱和氧化铈粒子像台的使用温度计与紫外激光扫描时。这篇文章解释说,由于拉曼散射声子线变化是用来估计氮化镓层的温度虽然表面温度是通过氧化铈粒子。给出的结果还验证粒子,它们分布在半导体和金属表面,不要修改的电气特征GaN设备。

非侵入式热成像的方法提出了基于thermoreflectance原理分析先进的半导体器件。几个例子说明这种方法在检测热异常的价值和缺陷没有被其他技术。

本文讨论的基本原则SEM-based阴极发光(CL)光谱和展示了其在发展过程的有效性,统计过程控制和故障分析。技术在CL光谱是最明显的好处是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管作为反映在应用程序的例子。

本文讨论FIB-based原位提升式的实践,一个样品制备方法,已被证明对失效分析特别有用。它解释了样品正在为范围广泛的TEM技术,包括全息术、断层、倾角环形暗场扫描、和电子能量损失谱。在大多数情况下,实现最优质量需要使用备用FIB磨角,在建立过程中,侧面,背面铣,所有的讨论。

本文讨论的一些早期使用发射显微镜在半导体器件失效分析和克服的挑战,使其无价的工具。在早期的一个障碍是一种误解,硅不能发光的时候,事实上,它有几个发光机制,在电子显微镜已经证明有用。这样的一个机制,雪崩发光,发生在连接在反向击穿和有助于解决低击穿电压和静电保护电路的问题。其他发光机制讨论的文章包括正向偏压发射、MOS晶体管饱和,氧化介质发光,用于检查测试结构和检测氧化缺陷。