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LIVA

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期刊文章

abc的iva

爱德华·科尔Jr。
摘要技术文章(2002)4(2):10到16。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002 - 2. p010
发表:2002年5月01
…爱德华。科尔Jr。本文提供了一个定性的概述一些新的缺陷定位技术,包括charge-induced电压改变(CIVA)、光致电压改变(LIVA)、thermally-induced电压改变(TIVA)和塞贝克效应成像(SEI)。它解释了…
文摘
本文提供了一些新的缺陷的定性概述定位技术,包括charge-induced电压改变(CIVA)、光致电压改变(LIVA) thermally-induced电压改变(TIVA)和塞贝克效应成像(SEI)。它解释了每个方法的物理信号生成和类型的图像。它还包括一个总结突出每个技术的异同。
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期刊文章

与可见光和1064 nm激光TIVA测量

Paiboon Tangyunyong,安德里亚罗达特
摘要技术文章(2019)21 (2):4 - 7。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019 - 2. p004
发表:2019年5月01
....在实践中,大多数FAs使用1340 nm (IR)激光TIVA测量和532海里(可见的)或1064海里(近红外)激光LIVA分析。然而,正如本文演示,可见光和近红外激光还可以用于TIVA分析和,在某些情况下,可能是preferrable基于信号强度…
文摘
激光刺激被广泛用于揭示缺陷ICs通过加热或光子效应。上面的标准方法是使用激光波长硅的能带波长创建局部加热和它下面产生光电流。在实践中,大多数FAs使用1340 nm (IR)激光TIVA测量和532海里(可见的)或1064海里(近红外)激光LIVA分析。然而,正如本文演示,可见光和近红外激光还可以用于TIVA分析和,在某些情况下,可能是preferrable基于信号强度和空间分辨率。
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期刊文章

失效分析颠倒:回顾背后分析技术

迈克尔·r·布鲁斯,维多利亚·j·布鲁斯,赛斯Prejean,杰弗瑞黄齐
摘要技术文章(2003)5(4):24里面。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 4. p013
发表:2003年11月01
…)和激光故障隔离方法,强调光致电压变化(LIVA)。它解释了激光探测电压用于背后波形采集和描述背后样品制备和deprocessing技术包括并行抛光和铣削、激光化学……
文摘
本文提供了一个高级评论背后所使用的工具和技术分析。论述了使用激光扫描和传统的显微镜,液体和固体浸没透镜,光子发射显微镜(PEM)和激光故障隔离方法强调光致电压改变(LIVA)。它解释了激光探测电压用于背后波形采集和描述背后样品制备和deprocessing技术包括并行抛光和铣削、激光化学腐蚀,和FIB电路编辑和修改。
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期刊文章

与iva发生什么?

爱德华·科尔,Jr .)
摘要技术文章(2010)12 (3):4 - 8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 3. p004
发表:2010年8月01
…)和light-IVA (LIVA1994年)并发。[3,4]LECIVA CIVA相似,除了——(继续6页)(继续6页)图1 CIVA开放的信号导体与二次电子图像叠加iva年代发生了什么?(继续从4页)代替直接电子…
文摘
的一个开创性的开发者感应电压改变(IVA)测量技术评估技术的现状,主要发展的影响,以及潜在的进一步改进。评估特定关注偏置方法,锁相环检测技术,固体浸没透镜的空间分辨率的影响,和产品类型的出现样品制备方法。
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期刊文章

路线图:先进的故障隔离技术

理查德•克拉克,Valluri饶,大卫Vallett
摘要技术文章(1999)1(3):6 - 17日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999 - 3. p006
发表:1999年8月01
…OptoMetrix。梁(LIVA)。这些技术都是利用检测在CMOS设备。此外,LIVA也可以用来读出逻辑状态信息。一个优秀的回顾可以发现在一篇E.I.科尔,J.M. Soden, J.L.盛行d·l·巴顿和c . l . Henderson.3热检测……
文摘
技术相对较新的失效分析,比如time-correlated光子计数、光电探测、抗反射涂层(AR),纹影显微镜,和超导量子干涉(鱿鱼)设备被用于创建更快、更强大的工具来满足日益困难的挑战在失效分析。本文综述最近的进步和研究在故障隔离和电路维修。
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期刊文章

失效分析和扫描光学显微镜

r·亚伦福尔克
摘要技术文章(2008)10 (2):12 - 18。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2008 - 2. p012
发表:2008年5月01
…,and they dominate at the shorter laser wavelength (1.064 m). Various means are used to sense changes in the I-V characteristics produced by a SOM. Each has its own acronym, for example, optical beam induced current (OBIC), light-induced voltage alteration (LIVA),热感应电压改变(TIVA…
文摘
扫描光学显微镜(索姆)的力量在于能够直接的一小点光集成电路,产生photocarriers和热在一个局部区域的电路。光子能量和热影响电路的电流-电压特性以不同的方式,根据缺陷的存在和地方材料属性。这篇文章解释了光束与半导体和金属以及它们如何影响电路的电流-电压特性和设备。它描述了SOM的基本物理测量,提供了静态和动态SOM技术的例子,并讨论了新兴的应用程序。
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期刊文章

基于激光的故障隔离技术:过去十年的趋势

r·亚伦福尔克
摘要技术文章(2010)12 (3):44-47。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 3. p044
发表:2010年8月01
…大约十年前,我在我们第一次的收尾工作商业激光信号注入显微镜(LSIM)。那个阶段的研究和发展是速度与激情。缩略词是飞研究页面:OBIC(图1),LIVA,OBIRCH TIVA SCOBIC,瑞来斯,SDL,等等……
文摘
这一列提供了一个十年回顾激光故障隔离技术和激光信号注入显微镜的重要作用。
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期刊文章

常见问题和故障分析的未来

吉姆•科尔文
摘要技术文章(2005)7 (2):42-44。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005 - 2. p042
发表:2005年5月01
…失败。建立工具,如OBIC OBIRCH,LIVA,和XIVA TIVA[1, 2]目前识别细微缺陷通过激光刺激的一种形式。新工具,如波纹热成像模式,闪烁液晶,稳定的低温荧光成像,软缺陷定位……
文摘
在许多公司,失效分析(FA)进化意味着比分析部分从去年提交的一份报告只是为了满足一个需求。失效分析工程师经常接口设计、测试和产品工程和提高良率是不可或缺的一部分。本文地址几种常见误解关于失效分析过程。
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期刊文章

失效分析的选择性介质去除薄膜半导体器件

杰森奔驰,威廉·宾利,约瑟夫·迈尔斯
摘要技术文章(2009)11 (2):。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2009 - 2. p023
发表:2009年5月01
…大约8到10纳米的钽,使用标准的技术是不可见的。这种类型的缺陷1。福尔克:先进LIVA-TIVA技术,Proc, Int。电脑。测试和失效分析(ISTFA), 2001(11月11日- 15日,这家总部位于加州圣克拉拉的59 - 65页。和材料可以共同在波纹的过程……
文摘
薄膜设备异常导致许多失败,但他们往往很难看到。在这篇文章中,作者解释他们如何发现并确认一个8到10纳米钽薄膜导致销短裤在大多数ASIC模块从特定很多。最初试图延迟器的一些模块失败导致的损失故障信号。然后决定用聚焦离子束通过层间电介质选择性磨。在铣削过程中,二次电子图像显示异常材料之间的功率晶体管的手指,随后被确认为钽。等缺陷,作者解释,在波纹的过程是常见的材料不正确在腐蚀过程中被除去。
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期刊文章

小说使用电镀技术检测高阻故障

H.S.王,J.H.周,H.C.挂,得出他,w•h•杨…
摘要技术文章(2005)7 (4):32-36。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005 - 4. p032
发表:2005年11月01
…(RCI4]和被动电压对比(PVC5]已经发表在过去。然而,这些技术需要复杂和昂贵的设备。此外,IR-OBIRCH TIVA,LIVA,或者RCI不准在网站上确定缺陷的芯片长和重复结构。同时,PVC有很…
文摘
最近一个半导体工程师团队开发了一种新的故障定位方法为高阻故障。在这篇文章中,他们讨论技术的基本原理和解释他们如何为各种测试用例验证它。
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期刊文章

探测失效分析的未来

大卫·p·Vallett
摘要技术文章(2002)4 (4):5 - 9。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002 - 4. p005
发表:2002年11月01
…失败的地图和逻辑诊断可通过适当的适当时机(DFT)策略。但物理故障隔离方法像光子发射,OBIRCH,LIVA等,是唯一的集成电路失效分析。如果我们不驱动开发,那么没有人会知道。路线图路线图预测……
文摘
回顾2001年版的国际半导体技术发展路线图显示的主要障碍。三个基本的故障分析steps-inspection deprocessing,和故障isolation-the后者是最危险的,尤其是物理故障隔离。
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期刊文章

简要介绍高速模拟失效分析

史蒂夫·弗兰克
摘要技术文章(2003)5 (3):。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 3. p023
发表:2003年8月01
…晶体的分析,LIVA(光感应电压改变),TIVA(热感应电压改变),等可以分离出很多类型的失败。至于功能失败,许多高速电路能在较低,更容易管理的速度。因为速度不再是问题,理解…
文摘
本文提供了一个高水平的概述高速模拟电路和相关的失效分析技术。它讨论了基准电压电路的失效模式和机制,高速放大器,数模转换和模拟数字转换器,基本构建块用于创建高速模拟设备。这也解释了如何处理困难涉及电路节点访问,电路负载和性能。
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期刊文章

与激光脉冲激光检测灵敏度提高

阿尔弗雷德比较温度Quah,孟Choon蔡,很快Huat谭,丽安Ser Koh,雅各h Phang…
摘要技术文章(2008)10 (3):18-26。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2008 - 3. p018
发表:2008年8月01
…(ISTFA), 2001(11月11日- 15日,这家总部位于加州圣克拉拉的171 - 77页。7所示。福尔克:先进LIVA-TIVA技术,Proc, Int。电脑。测试。和失效分析(ISTFA), 2001(11月11日- 15日,这家总部位于加州圣克拉拉的59 - 65页。8。A.C.T. Quah L.S. Koh,蔡,m .印度J.M.下巴,和J.C.H. Phang: DC-Coupled激光……
文摘
使用脉冲激光锁定放大器可以增加扫描光学显微镜检测灵敏度的十倍。在这篇文章中,作者解释如何实现激光脉冲没有锁定放大器通过软件控制。检测灵敏度的方法,它是基于数字信号集成算法,已被证明是与实现锁定放大器。几个案例研究说明了定位技术的有效性不同类型的缺陷。
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期刊文章

先进的动态Laser-Stimulation使用锁定和Mixed-Frequency技术的方法

Christof Brillert,Zhongling钱,基督教发热管
摘要技术文章(2010)12 (4):12-20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 4. p012
发表:2010年11月01
…互连本地化,Int,计算机协会。测试。和失效分析(ISTFA), 2001年,页4350。2。核磁共振布鲁斯et al。:软缺陷定位(SDL Int协会。测试。和失效分析(ISTFA), 2002年,页。-。3所示。福尔克:先进LIVA/ TIVA技术,Int,计算机协会。测试。和失效分析(ISTFA), 2001年。4……
文摘
广泛的电气故障显示通过热激光刺激(TLS)。原则上,一个电参数,典型的电流或电压,是监测的变化引起的激光的热效应的影响。大多数测试设备的设置是为了限制活动为了减少信噪比,但是在某些情况下,故障的电气足迹只能检测到设备时刺激在一个动态的方式。本文描述的设置和实现各种动态TLS方法并给出了示例应用程序展示了每种方法的优点和局限性。
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