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STEM-in-SEM

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期刊文章

电子书预览:阀杆- - - - - - -扫描电镜微电子失效分析的成像技术

杰森·d·霍尔姆，本杰明·w·卡普林斯
EDFA技术条款(2020) 22(1): 26-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-1.p026
发表:2020年2月1日
．.．杰森·d·霍尔姆;这篇文章描述了一本名为阀杆- - - - - - -扫描电镜:微电子故障分析的扫描透射电子显微镜介绍，旨在为那些很少或没有透射成像经验的入门教程，并作为来源…
摘要
这篇文章描述了一本名为STEM-in-SEM的电子书:微电子故障分析扫描透射电子显微镜入门，旨在为那些很少或没有透射成像经验的人提供入门教程，并作为SEM用户寻求扩展其设备的成像和衍射能力的想法来源。
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扫描电子显微镜中扫描透射电子显微镜的简要概述

杰森河中沙洲
EDFA技术条款(2021) 23(4): 18-26。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-4.p018
发表:2021年11月1日
．.．本文提供了一个简要的概述阀杆- - - - - - -扫描电镜，讨论了正反两面，探测器技术的最新进展，以及4D的出现阀杆- - - - - - -扫描电镜，一种相对较新的方法，使用记录在不同光栅位置的衍射图案来增强离线图像…
摘要
本文简要介绍了STEM-in-SEM，讨论了优点和缺点，探测器技术的最新进展，以及4D STEM-in-SEM的出现，4D STEM-in-SEM是一种相对较新的方法，使用在不同光栅位置记录的衍射图案来增强选定感兴趣区域的离线图像。
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突破扫描电子显微镜的分辨率障碍

威廉Vanderlinde
EDFA技术条款(2004) 6(4): 32-40。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2004-4.p032
发表:十一月一日
．.．本文描述了两种可以显著提高分辨率的创新方法扫描电镜成像:扫描电子显微镜中的扫描透射电子显微镜(阀杆- - - - - - -扫描电镜)和前向散射电子成像(FSEI)。两种方法都可以实现…
摘要
本文介绍了两种可以显著提高扫描电子显微镜成像分辨率的创新方法:扫描电子显微镜中的扫描透射电子显微镜(STEM-in-SEM)和正向散射电子成像(FSEI)。这两种方法都可以在任何使用特殊样品夹的SEM中实现。无需进行其他修改。文中给出的测试结果表明，在薄片、无涂层多晶硅门和光刻胶中，1到2纳米的分辨率是可能的。
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先进的缺陷表征阀杆分析

山姆萨勃拉曼尼亚，Raghaw拉伊，范家谦Ly，托尼Chrastecky，兰迪·穆德．.．
EDFA技术条款(2008) 10(2): 20-28。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2008-2.p020
发表:二零零八年五月一日
．.．污染后阀杆成像。然而，需要注意的是，等离子清洗也可以改变缺陷的性质;例如，如果碳是缺陷中的化学元素之一，它就会被氧化。阀杆在一个扫描电镜 阀杆扫描电子显微镜可进行成像(扫描电镜)在simple…
摘要
定位单一故障中的缺陷可能需要几天、几周甚至几个月的时间，然后进行详细的物理分析以确定根本原因。TEM和STEM在这一过程中发挥互补作用;TEM是因为其优越的空间分辨率，STEM是因为它产生的图像更容易解释，而且不太容易受到较厚样品中可能出现的色差的影响。在过去，由于在成像模式之间切换所需的时间，STEM在FA中的使用受到了限制，但随着带有计算机控制镜头的TEM/STEM显微镜的出现，STEM的使用正在增加。本文概述了STEM技术，并给出了示例，展示了它如何用于描述集成电路中微妙和复杂的缺陷。
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自动化工作流程提高了22 nm FinFET结构S/TEM过程监测的速度和精度

拉里·德沃金
EDFA技术条款(2013) 15(4): 26-36。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013-4.p026
发表:2013年11月1日
．.．系统具有扫描电镜和聚焦离子束)或通过机械抛光。然后将其传输到S/ TEM，在那里获取图像和分析数据。最后，对数据进行了分析并报告了结果。自动化阀杆工具已被用于测量cd，速率高达10个样本每…
摘要
利用透射电子显微镜(TEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)在自动图像采集和计量方面的最新发展显著提高了这些技术控制先进半导体器件制造过程的速度、精度和可用性。随着器件尺寸的不断缩小，可能需要这些技术来取代扫描电子显微镜(SEM)来进行最小临界尺寸(CD)测量。本文介绍了在高通量cd -计量工作流程中自动化S/TEM的使用，以支持流程开发和控制，并解释了自动化样品制备、数据采集和计量工具如何提高吞吐量和数据质量。
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建立连接:原位TEM偏置的挑战与机遇

威廉·a·哈伯德
EDFA技术条款(2023) 25(1): 4-8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2023-1.p004
发表:2023年2月1日
．.．讨论了阻碍从电子元件中生产带有偏差的TEM样品的样品制备挑战，以及缓解这些问题的策略。聚焦离子束铣削原位TEM偏压样品制备阀杆EBIC成像4 httpsdoi.org/10.31399…
摘要
本文讨论了阻碍从电子元件中生产带有偏差的TEM样品的样品制备挑战，以及缓解这些问题的策略。
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扫描透射电子显微镜中EBIC技术的pn结定位

克里斯汀·李·邦克，特里·斯塔克，戴尔的后面，胡安·卡洛斯·冈萨雷斯，菲利普·e·拉塞尔
EDFA技术条款(2002) 4(4): 29-33。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002-4.p029
发表:二零零二年十一月一日
．.．显微镜(阀杆)，电子束诱导电流(EBIC)是一种可以对这种器件进行电特性表征的技术。EBIC提供了关于电活性缺陷、少数载流子扩散长度、表面复合速度和pn结宽度、位置和均匀性的信息。1-4在扫描电镜．.．
摘要
STEM-EBIC成像是一种纳米表征技术，已用于研究Si pn结中的电活性缺陷、少数载流子扩散长度、表面复合速度和不均匀性。在这篇文章中，作者解释了他们如何开发和构建了一个STEM-EBIC系统，然后他们用它来确定InGaN量子阱LED的结位置。他们还开发了一种新型的基于fib的样品制备方法和定制的样品固定器，便于同时收集z对比，EBIC和能量色散光谱图像。pn结相对于量子阱的相对位置为距离量子阱中心19±3nm。
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电子材料低温FIB失效分析扫描电镜

尼古拉斯·安东尼奥由于
EDFA技术条款(2013) 15(3): 12-19。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013-3.p012
发表:8月1日
．.．对于III-V型化合物半导体和某些互连金属来说，FIB铣削是困难的，如果不是不可能的话，因为这些材料与大多数FIB系统中使用的镓反应不好。本文讨论了这一问题的性质，并解释了低温FIB-扫描电镜．.．
摘要
对于III-V型化合物半导体和某些互连金属来说，FIB铣削是困难的(如果不是不可能的话)，因为这些材料与大多数FIB系统中使用的镓反应不好。本文讨论了该问题的性质，并解释了低温FIB-SEM技术如何提供解决方案。它描述了FIB-SEM系统的基本设置，并提供了其在InN纳米晶体、GaN薄膜和含铜多层光伏材料上的应用实例。
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自动样品制备

古里Basat，杰森·德雷克，乍得Tabatt
EDFA技术条款(2001) 3(1): 24-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001-1.p024
发表:二月一日
．.．纤薄法。它也用于最后的制备阀杆样品或用于截面扫描电容光谱。结果我们将展示改进后的结果比手工方法制备精确扫描电镜横断面图。这种技术也适用于难处理的材料，比如铜……
摘要
本文介绍了一种基于亚微米抛光的扫描电镜和透射电镜自动样品制备工艺。该方法使用机器人技术、图像处理和计算机控制下的抛光轮，实现完全自动化的配方驱动过程，以0.1 μm精度生成精确的截面。
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失效分析方法对65 nm CMOS技术节点有多有效?

Magali拉米，马克·德拉·巴多尼，弗雷德里克Lorut，瑞恩•罗斯，克利斯朵夫Wyon．.．
EDFA技术条款(2006) 8(2): 14-20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2006-2.p014
发表:二六年五月一日
．.．的上限扫描电镜的性能。因此，对于最小缺陷的成像，TEM或扫描透射电子显微镜(阀杆)用来代替扫描电镜．图5展示了在65nm SRAM内存中对单位故障执行的位图分析示例。对于这种类型的分析，一个…
摘要
本文评估了失效分析技术在65纳米CMOS集成电路中的性能。它演示了使用OBIRCH，电压对比，塞贝克效应成像，SEM和TEM技术，以及故障的FIB截面，如介电击穿，开放和电阻通孔，空隙，短路，分层和栅氧化缺陷。
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阀杆EBIC:迈向高分辨率预测失效分析

威廉·a·哈伯德
EDFA技术条款(2020) 22(4): 4 - 8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-4.p004
发表:2020年11月1日
．.．相反，是由对物理结构几乎没有影响的电子和热过程介导的，需要额外的工具来确定故障的原因。在这篇文章中，作者提出的结果表明阀杆EBIC采用全新的SEEBIC模式，可提供电子对比…
摘要
分辨样品中原子的组成和位置的能力使TEM成为微电子元件最强大的表征工具之一。然而，对于许多装置来说，正常运作下的动力学并不会使原子发生位移。相反，器件功能是由对物理结构几乎没有影响的电子和热过程调节的，因此需要额外的工具来确定故障的原因。在本文中，作者提出的结果表明，采用新的SEEBIC模式的STEM EBIC可以提供电子对比，补充基于物理对比的STEM成像。通过识别故障风险较高的设备特征，这两种方法可能为预测故障分析开辟一条道路。
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扫描显微镜的最佳采样与重建策略

奈杰尔·d·布朗宁，丹尼尔·尼科尔斯，杰克井，亚历克斯·w·罗宾逊
EDFA技术条款(2022) 24(1): 11-16。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022-1.p011
发表:2022年2月1日
…-0.5海里。对于许多最令人印象深刻的原子分辨率阀杆从光束稳定样本中获得的图像，放大倍率被提高到像素大小远小于探针大小的水平，导致图像的过采样。当一个扫描电镜/阀杆运行在低…
摘要
本文讨论了在扫描透射电子显微镜(STEM)中最小化光束剂量相关的权衡，并解释了如何通过次采样和修补来减少光束曝光，这是一种优化图像质量和分辨率的信号重建技术。虽然该方法是在STEM成像的背景下描述的，但它适用于任何扫描成像系统。
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EDS在硅集成电路制造及失效分析中的应用述评

赖Li-Lung
EDFA技术条款(2011) 13(2): 20-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011-2.p020
发表:5月1日
．.．元素分析，能量色散谱，能量分辨扫描电镜-EDS空间分辨率TEM-EDS x射线探测器httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2011-2.p020 EDFAAO(2011) 2:20-27能量色散谱1537-0755/$19.00©ASM国际®关于EDS在硅集成电路中的应用评论…beplay体育官网地址
摘要
本文提供了能量色散光谱(EDS)及其在半导体器件制造和故障分析中的各种用途的实际概述。它解释了EDS技术通常是如何实现的，比较和对比不同的方法，并讨论了决定空间和能量分辨率、测量深度、灵敏度、信噪比和易用性的因素。
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期刊文章

非易失性存储器对物理探测的安全评估

利顿·库马尔·比斯瓦斯，沙夫卡特·汗，列奥尼达Lavdas，Navid Asadizanjani
EDFA技术条款(2022) 24(4): 22-29。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022-4.p022
发表:2022年11月1日
．.．，it can erase the stored asset Table 1 Possible attacking scenario on NVM Adversary End user Assets Configuration bitstream Logic locking key Cryptographic key Firmware Secret data Attack vectors Laser stimulation MOCI, QDM sMIM, SCM扫描电镜/阀杆(EDS) edfas.org威胁数据机密性和完整性…
摘要
本文描述了如何使用故障分析工具对不同类型的非易失性内存(NVM)单元发起物理攻击。它解释了存储在这些设备中的位信息如何容易受到读出和错误注入攻击，并定义了漏洞参数，以帮助量化与不同攻击方式相关的风险。本文还对新兴NVM技术进行了深入的安全分析，并讨论了潜在的对策。
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期刊文章

DC/DC变换器的失效分析:一个案例研究

杰雷米Dhennin
EDFA技术条款(2017) 19(4): 4 - 9。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-4.p004
发表:2017年11月1日
．.．，a cross section was performed with optical (Fig. 7) and scanning electron microscopy (扫描电镜)成像(图8)。在一个引脚下确认有裂纹。组件的另一侧没有受到影响。引脚和焊盘之间的焊料厚度非常低。的扫描电镜观察显示……
摘要
在这个案例研究中，作者描述了一个有缺陷的DC-DC变换器的调查，从飞机上检索到异常系统行为的报告。电气测试、局部探测、x射线成像和横截面分析导致在几个引脚和一些焊料材料上发现了裂纹。裂纹是由不同的热膨胀率引起的，并在热力学分析、EBSD成像和厚、薄焊点相图比较的帮助下得到了补救。
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45nm节点串行外设接口模块去层制备流程示例

亚许帕特尔，约书亚·鲍尔，乔纳森肖勒，亚当·r·怀特，亚当木村．.．
EDFA技术条款(2021) 23(4): 4 - 13。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-4.p004
发表:2021年11月1日
．.．文章阀杆横截面。Edfas.org纳米，小于1微米的特征是具有挑战性的观察。扫描电子显微镜在一个去层的框架内扫描电镜用于观察OM无法解析的特征，在先进技术节点设备中更常用来观察层…
摘要
基于sem的特征提取工具用于设计验证和失效分析的进一步发展取决于可靠的样品制备方法。本文介绍了如何适应130nm技术的去层框架，并将其应用于45 nm SPI模块，该模块由11层金属层、10层通孔层、两层多晶硅和一个有源硅层组成。它解释了如何使用不同的抛光和蚀刻方法来暴露每一层，并为SEM成像和随后的特征提取提供足够的对比度。通过组合代表每一层的多边形集合，重建了设备的完整设计，如图所示。
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利用图像强度分析的高级缺陷隔离

James J. Demarest，Derren邓恩，乍得街，Yun-Yu王
EDFA技术条款(2007) 9(2): 14-18。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2007-2.p014
发表:二零零七年五月一日
…然而，使用常规技术，如二次电子和背散射电子扫描电子显微镜(扫描电镜)，并不总是会导致物理缺陷在所获得的图像中很明显。在某种程度上，这是由于人类的眼睛天生……
摘要
图像增强已被证明有助于定位集成电路中的缺陷。本文讨论了两种图像分析技术，图像比较和强度分析，并展示了它们如何揭示否则会遗漏的缺陷。
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14 nm和其他finfet TEM样品的集中氩离子铣削fib后清洗

塞西尔索，迈克尔Campin，凯文McIlwrath，保罗Fischione
EDFA技术条款(2019) 21(4): 4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-4.p004
发表:2019年11月1日
．.．采用氩离子铣削系统对样品进行最终抛光和减薄，使其厚度小于20nm。与FIB相似，该系统包括LaB6电子源和电子探测器(二次电子探测器[SED]和扫描透射电子显微镜[阀杆)探测器…
摘要
使用Ga FIB制备的TEM样品容易受到伪影的影响，例如表面非晶化和离子注入层，这在先进的技术节点中可能会出现问题，特别是对于finfet。然而，正如这篇文章所示，通过集中氩离子铣削的fib后清洗为FinFET器件提供了一个快速有效的样品制备过程，其厚度控制在20 nm以下。虽然本文给出的结果是基于14纳米节点FinFET，但该方法也适用于目前正在生产的10和7纳米FinFET技术。
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集成电路互连中的应力空化:失效分析人员的证据规则

威廉·f·菲尔特
EDFA技术条款(1999) 1(4): 21-23。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999-4.p021
发表:一九九九年十一月一日
．.．Can val)疯狂地，不仅从一块地到另一块地，甚至在同一块地的薄饼中。例如，我们观察到同一天完成加工的两批产品之间存在巨大差异。我们只能推测这种反复无常茎从成核的零星性质来看，而不是…
摘要
压力排空是一种潜在的IC失效机制，很难识别和阻止。对于那些生产和测试铝合金互连ic或评估具有长使用寿命的传统设备可靠性的人来说，这尤其值得关注。本文解释了压力空洞是如何形成和增长的，以及如何通过收集物理证据和排除其他失败机制来确定根本原因。区分应力失效与其他类型失效的关键是认识到应力失效是三种不同物理现象的结果，即应力、成核和扩散，在尝试进行工艺修正之前必须确认所有这些现象。
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定位当前设备节点中的故障:EBIC/EBAC，电流成像和纳米探测

Stephan Kleindiek，Rosalinda环，克劳斯Schock，Andreas Rummel，迈克尔Zschornack．.．
EDFA技术条款(2018) 20(3): 24-33。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018-3.p024
发表:2018年8月1日
．.．，further analysis of the fault s root cause is performed, e.g., by preparing a site-specific transmission electron microscopy (TEM) section. As semiconductor nodes get smaller and smaller, there is an increased need to move a large portion of EFI to scanning electron microscopes (扫描电镜)或结合重点…
摘要
集成电路技术的进步使得故障位置定位极具挑战性。通过一系列案例研究，本文作者展示了如何使用EBIC/EBAC、电流成像和纳米探针来克服这些挑战。这些案例涉及范围广泛的问题，包括电阻链缺陷、衬底泄漏、微裂纹、微污染以及由于镀铜问题和通孔缺失而导致的打开故障。
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