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TIVA

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期刊文章

背后分析:在SEI和发展TIVA

摘要技术文章(2000)2 (1):32-32A。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2000 - 1. p032
发表:2000年2月01
…两个相对较新的失效分析技术的最新进展,塞贝克效应成像(SEI)和thermally-induced电压改变(TIVA),大大提高了缺陷检测灵敏度和图像采集时间本地化开放和短路的互联。这篇文章……
文摘
两个相对较新的失效分析技术的最新进展,塞贝克效应成像(SEI)和thermally-induced电压改变(TIVA),大大提高了缺陷检测灵敏度和图像采集时间本地化开放和短路的互联。本文介绍了几个例子说明这两种方法的增强功能。
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期刊文章

了解当地建筑的影响TIVA配置文件使用热建模与仿真

Paiboon Tangyunyong,爱德华·科尔,Jr .)
摘要技术文章(2010)12 (3):10 - 18。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 3. p010
发表:2010年8月01
…Paiboon Tangyunyong;爱德华·科尔,Jr . Thermally-induced电压改变(TIVA)是一种基于激光的本地化互连ICs缺陷的方法。它的主要限制是激光必须加热缺陷和变更其阻力足以产生一个可测量的电压改变……
文摘
Thermally-induced电压改变(TIVA)是一种基于激光的本地化互连ICs缺陷的方法。它的主要限制是激光必须加热缺陷和变更其阻力足以产生一个可测量的电压变化。任何干扰激光吸收或改变缺陷加热会减少TIVA效果。本文的研究结果TIVA当地结构成像的影响。作者选择polysilicon-metal测试结构作为研究的焦点,它需要随着建模与仿真试验研究。发现TIVA配置文件在这个深受当地的几何结构,特别是层间的变异二氧化硅的厚度和位置多晶硅线对铝线。理解这种关系对定位缺陷使用TIVA技术至关重要。
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期刊文章

TIVA与可见光和1064 nm激光测量

Paiboon Tangyunyong,安德里亚罗达特
摘要技术文章(2019)21 (2):4 - 7。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019 - 2. p004
发表:2019年5月01
....在实践中,大多数FAs使用1340 nm激光(IR)TIVA测量和532海里(可见的)或1064海里(近红外)激光LIVA分析。然而,正如本文演示,可见光和近红外激光还可以用于TIVA分析和,在某些情况下,可能是基于信号强度preferrable……
文摘
激光刺激被广泛用于揭示缺陷ICs通过加热或光子效应。上面的标准方法是使用激光波长硅的能带波长创建局部加热和它下面产生光电流。在实践中,大多数FAs使用1340 nm (IR)激光TIVA测量和532海里(可见的)或1064海里(近红外)激光LIVA分析。然而,正如本文演示,可见光和近红外激光还可以用于TIVA分析和,在某些情况下,可能是preferrable基于信号强度和空间分辨率。
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期刊文章

与激光脉冲激光检测灵敏度提高

阿尔弗雷德比较温度Quah,孟Choon蔡,很快Huat谭,丽安Ser Koh,雅各h Phang…
摘要技术文章(2008)10 (3):18-26。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2008 - 3. p018
发表:2008年8月01
…定位技术的有效性不同类型的缺陷。版权©ASM国际®200beplay体育官网地址8 2008 ASM国际检测灵敏度激光脉冲脉冲TIVA扫描光学显微镜热感应电压改变httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2008 - 3. - p018 EDFAAO……
文摘
使用脉冲激光锁定放大器可以增加扫描光学显微镜检测灵敏度的十倍。在这篇文章中,作者解释如何实现激光脉冲没有锁定放大器通过软件控制。检测灵敏度的方法,它是基于数字信号集成算法,已被证明是与实现锁定放大器。几个案例研究说明了定位技术的有效性不同类型的缺陷。
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光电设备失效分析

丹尼尔·l·巴顿
摘要技术文章(2003)5(4):新。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 4. p027
发表:2003年11月01
…,FIB cross-sectioning, and thermally induced voltage alteration (TIVA)。版权©ASM国际®200beplay体育官网地址3 2003 ASM国际混乱致发光断层定位光电设备TIVA成像VCSELs httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 4. - p027 EDFAAO (2003) 4…
文摘
本文讨论的缺陷类型发生在垂直腔面发射激光器(VCSELs)和工具通常用于检测和识别的原因。它描述的基本设计和操作VCSELs并解释说,大多数故障是由于材料的晶体结构混乱的设备。用于分析各种方法的缺陷,致发光(EL)是迄今为止最强大的在几个EL图像包含在这篇文章中。本文还讨论了使用EBIC分析、浆纱切片FIB,热感应电压改变(TIVA)。
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摩擦电充电设备损坏绝缘体

Paiboon Tangyunyong
摘要技术文章(2021)23 (3):4 - 7。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 3. p004
发表:2021年8月01
…在晶圆和包级别。这种类型的损坏迹象包括空间依赖性,不同TIVA信号模式和双峰静态电流分布与老化后的重大变化。集成电路制造期间受到各种形式的摩擦和包装…
文摘
集成电路制造期间受到各种形式的摩擦和包装,由于电荷的积累创造了潜在的问题。本文考察摩擦电充电损坏绝缘体设备上的截然不同的特点在晶片和包级别。这种类型的损坏迹象包括空间依赖性,不同TIVA-signal模式和双峰静态电流分布与老化后的重大变化。
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结合折射固体浸没透镜和脉冲激光技术,集成电路失效分析

萨达姆政权吴,A.C.T. Quah,J.C.H. Phang,V.K. Ravikumar,S.L. Phoa…
摘要技术文章(2010)12 (3):20-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 3. p020
发表:2010年8月01
…变更(TIVA)可以增强通过使用脉冲激光与数字锁定检测算法(a) (b)图4 (a)TIVA形象和(b)脉冲-TIVA图像1.28 kHz的单个钢线样品在100µA偏置电流。脉冲-TIVA图像显示显著的信号增强。纳入SOM……
文摘
最好的空间分辨率,可以实现远场光学断层定位技术是20倍左右的临界缺陷尺寸45 nm制程技术节点。还有一个限制激光功率,可以安全地用于45 nm制程设备,进一步妥协故障定位精度。在这篇文章中,作者解释他们如何克服这些限制使用脉冲激光成像技术和屈光固体浸没透镜。两个案例研究表明脉冲激光扫描光学显微镜和固体浸没透镜提高定位精度和检测灵敏度。
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诊断技术选择存储器逻辑故障类型

中国的歌,劳拉·赛
摘要技术文章(2018)20 (2):18 - 24。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 2. p018
发表:2018年5月01
…SRAM逻辑类型失败需要了解可用的技术。最常见和常用的故障隔离技术包括:PEM,TIVA/ OBIRCH、会计师和LVI / LVP。在这些诊断技术中,PEM的设置是最简单的,涉及一种光学显微镜配备一个非常…
文摘
选择一个特定类型的存储器逻辑故障隔离技术失败需要了解可用的方法。在这篇文章中,作者回顾常见故障隔离技术和现在的一些案例研究,解释他们如何决定使用哪种技术。
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abc的iva

爱德华·科尔Jr。
摘要技术文章(2002)4(2):10到16。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002 - 2. p010
发表:2002年5月01
…爱德华。科尔Jr。本文提供了一个定性的概述一些新的缺陷定位技术,包括charge-induced电压改变(CIVA)、光致电压改变(LIVA) thermally-induced电压改变(TIVA)和塞贝克效应成像(SEI)。它解释了…
文摘
本文提供了一些新的缺陷的定性概述定位技术,包括charge-induced电压改变(CIVA)、光致电压改变(LIVA) thermally-induced电压改变(TIVA)和塞贝克效应成像(SEI)。它解释了每个方法的物理信号生成和类型的图像。它还包括一个总结突出每个技术的异同。
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超导电子:失效分析和可靠性的新边疆

南希Missert
摘要技术文章(2019)21 (2):54-55。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019 - 2. p054
发表:2019年5月01
…,so one approach is to interrogate the circuits at ambient temperature using standard FA techniques such as thermally induced voltage alteration (TIVA)。因为超导电路包含类似的组件作为硅微电子(例如,多层金属痕迹edfas.org 55电子设备……
文摘
本专栏评估超导装置的现状和前景在exascale计算机技术及其应用。
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期刊文章

失效分析颠倒:回顾背后分析技术

迈克尔·r·布鲁斯,维多利亚·j·布鲁斯,赛斯Prejean,杰弗瑞黄齐
摘要技术文章(2003)5(4):24里面。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 4. p013
发表:2003年11月01
…电压变化(TIVA),也开始由埃德•科尔的桑迪亚国家实验室18 LIVA相似,除了一个主要区别。许多LIVA原则相关设置,硬件,测试和激光扫描也适用于TIVA。TIVA是操作相同LIVA以各种方式…
文摘
本文提供了一个高级评论背后所使用的工具和技术分析。论述了使用激光扫描和传统的显微镜,液体和固体浸没透镜,光子发射显微镜(PEM)和激光故障隔离方法强调光致电压改变(LIVA)。它解释了激光探测电压用于背后波形采集和描述背后样品制备和deprocessing技术包括并行抛光和铣削、激光化学腐蚀,和FIB电路编辑和修改。
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期刊文章

与iva发生什么?

爱德华·科尔,Jr .)
摘要技术文章(2010)12 (3):4 - 8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 3. p004
发表:2010年8月01
…缺陷。Thermally-IVA (TIVA)和塞贝克效应成像(SEI)[5]在1998年被介绍,简化和使用当地的热刺激了清Nikawa在光学beam-induced阻力变化,[6]但恒流偏置im -图2TIVA做空的信号互连在SRAM证明……
文摘
的一个开创性的开发者感应电压改变(IVA)测量技术评估技术的现状,主要发展的影响,以及潜在的进一步改进。评估特定关注偏置方法,锁相环检测技术,固体浸没透镜的空间分辨率的影响,和产品类型的出现样品制备方法。
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期刊文章

评审的缺陷定位后发展出的技术

马丁优雅
摘要技术文章(2012)14 (4):12 - 18。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 4. p012
发表:2012年11月01
…位图。位图的诊断结果提供本地化由于已知布局数据。本地化的解决取决于布局元素分析。综述了位图技术的局限性和可能的解决方案thermally-induced电压改变(TIVA),光束……
文摘
失效分析的动态随机存取存储器遵循三步过程组成的电气测试和诊断、定位、和身体缺陷分析。电气测试交付—结果图形中显示位图,然后使用基于布局数据本地化缺陷。本文描述了每一步的过程,比较和对比激光扫描技术。
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病史:分析夹层短裤的0.5µm CMOS集成电路技术

J.M. Soden,中一段亨德森,E.I.科尔,Jr .)
摘要技术文章(1999)1 (2):13-22。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999 - 2. p013
发表:1999年5月01
…很多nonqualified过程结合0.5 / lm LOCOS技术的异常大量offailures在最初的电气测试后包装。这些失败的调查。图1:TIVA字线短的信号(箭头指向信号的结束……
文摘
桑迪亚国家实验室生产0.5µm CMOS集成电路使用本地的氧化硅(LOCOS)和浅槽隔离(STI)技术。程序基于老化和寿命测试被用于军事和空间应用的过程。代表从基线晶片很多ICs在陶瓷组装包和电测试之前,期间和之后老化和随后的生活测试。两种类型的ICs使用资格,256 k位存储器和微控制器核心。ICs超过600人通过资格测试用很少的失败,虽然最近,一群sram从开发晶片很多合并nonqualified过程通常有大量的失败在他们最初的电气测试后包装。本文描述了进行了调查,以确定这些失败的原因。
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期刊文章

锁定红外显微镜分辨率1.4μm使用固体浸没透镜

Otwin Breitenstein,弗兰克•阿尔特曼,托尔斯滕Riediger,迪特尔Karg
摘要技术文章(2006)8 (2):42。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2006 - 2. p004
发表:2006年5月01
…今天的失效分析。近年来,光子发射显微镜(PEM)[6]以及激光刺激技术,如光学光束诱导阻力变化(OBIRCH)和热感应电压分析(TIVA),出现[7],并与传统的竞争……
文摘
背后光学分析通常是借助于固体浸没透镜(SILs),但作为这篇文章的作者解释,SILs提高正面温度记录的分辨率。作者描述固体浸没透镜背后的物理学,并提供例子演示使用的字体的优点和局限性。
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期刊文章

失效分析和扫描光学显微镜

r·亚伦福尔克
摘要技术文章(2008)10 (2):12 - 18。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2008 - 2. p012
发表:2008年5月01
…,and they dominate at the shorter laser wavelength (1.064 m). Various means are used to sense changes in the I-V characteristics produced by a SOM. Each has its own acronym, for example, optical beam induced current (OBIC), light-induced voltage alteration (LIVA), thermally induced voltage alteration (TIVA…
文摘
扫描光学显微镜(索姆)的力量在于能够直接的一小点光集成电路,产生photocarriers和热在一个局部区域的电路。光子能量和热影响电路的电流-电压特性以不同的方式,根据缺陷的存在和地方材料属性。这篇文章解释了光束与半导体和金属以及它们如何影响电路的电流-电压特性和设备。它描述了SOM的基本物理测量,提供了静态和动态SOM技术的例子,并讨论了新兴的应用程序。
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期刊文章

失效分析:问题是什么?

戴夫·伯吉斯
摘要技术文章(2013)15 (1):35-36。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013 - 1. p035
发表:2013年2月01
…重复TIVA斑点。断层位置来自金属线来自一个压控电容器(变容二极管)。然而,deprocessing未能找到任何缺陷体积15日1号35失效分析:问题是什么?后端流程层。金属层和聚层被淘汰……
文摘
案例记录会议的联合主席之一ISTFA 2012提供了三篇论文的摘要,说明固体半导体FA过程的理解。第一篇论文描述了骨折的PCB痕迹的调查,第二篇论文提出了一种分析方法的缺陷由于离子注入机充电效果,第三个论文解释了分析师确定自动测试模式生成失败的原因集中在某些地区的晶片。
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期刊文章

快速电阻互连本地化

爱德华·科尔,Jr .),Paiboon Tangyunyong,查尔斯·f·霍金斯,迈克尔·r·布鲁斯,维多利亚·j·布鲁斯…
摘要技术文章(2002)4 (4):16。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002 - 4. p011
发表:2002年11月01
…本套件背后的方法,如红外光学显微镜、光发射显微镜,1、2晶体管逻辑状态映射,3和诱导热影响成像(TIVA/ SEI, OBIRCH) 4、5不总是有效或耗时的本地化电阻连接。在最先进的…
文摘
电阻之间的联系,一种软故障,极难找到使用现有的背后方法,和倒装芯片包,选择正面的方法很少或根本没有帮助。为了应对这一挑战,一个工程师团队开发了一种新方法,利用电阻加热的影响直接定位缺陷通过,联系人,和导体的死亡。在这篇文章中,他们讨论他们的新方法的基本原理并展示它的使用在两个电路的各种电阻连接失败被发现。
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基于激光的故障隔离技术:过去十年的趋势

r·亚伦福尔克
摘要技术文章(2010)12 (3):44-47。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2010 - 3. p044
发表:2010年8月01
…大约十年前,我在我们第一次的收尾工作商业激光信号注入显微镜(LSIM)。那个阶段的研究和发展是速度与激情。缩略词是飞研究页面:OBIC(图1),LIVA,TIVAOBIRCH SCOBIC,瑞来斯,SDL,等等……
文摘
这一列提供了一个十年回顾激光故障隔离技术和激光信号注入显微镜的重要作用。
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常见问题和故障分析的未来

吉姆•科尔文
摘要技术文章(2005)7 (2):42-44。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005 - 2. p042
发表:2005年5月01
…失败。建立工具,如OBIC、OBIRCH LIVA,TIVA,XIVA[1, 2]目前识别细微缺陷通过激光刺激的一种形式。新工具,如波纹热成像模式,闪烁液晶,稳定的低温荧光成像,软缺陷定位……
文摘
在许多公司,失效分析(FA)进化意味着比分析部分从去年提交的一份报告只是为了满足一个需求。失效分析工程师经常接口设计、测试和产品工程和提高良率是不可或缺的一部分。本文地址几种常见误解关于失效分析过程。
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