微切割和精密宽离子束技术的结合使故障分析人员能够以0.5 μm的精度制备特定部位的SEM分析样品。正如文章所解释的那样，微切割利用了单晶半导体衬底固有的切割特性。由于基板的质量明显大于工艺层，它决定了样品的整体横截面质量和精度。切割没有损失任何材料，保留了指定区域的完整性，并且可以对横截面的两侧进行分析。当切割因目标埋置或碎片位于截面表面而偏离时，在SEM分析之前，使用离子束蚀刻和涂层来微调切割位置并去除碎片。

故障分析人员使用各种机器进行样品制备，其中许多是机械性质的。本文讨论了影响XY定位系统、旋转工作台和多轴机床精度、分辨率和可重复性的因素。它确定了关键的机器参数，并解释了环境影响、跳动和几何不准确性如何导致不确定性和定位误差。它还评估了精密度、准确度和可重复性所需的背面减薄和脱层系统。

本文介绍了一种基于亚微米抛光的自动样品制备工艺，用于SEM和TEM分析。该方法利用机器人技术、图像处理和计算机控制下的抛光轮，实现完全自动化的配方驱动过程，可以产生精度为0.1 μm的精确横截面。

计量指标是评估成像系统性能和保持其准确性的重要工具。理想情况下，目标上的模式足够简单，期望的图像是直观的，或者至少是容易模拟的。虽然有许多这样的目标存在于正面成像，直到最近，如果有的话，很少可以找到背面应用。在本文(两部分系列的第一部分)中，作者解释了他们如何通过将现成的前端目标转换为后台使用来解决这一差距。转换过程一步一步地详细描述，以便可以复制以转换其他前端目标。由于转换目标的成功，随后开发了一种未安装的，特定于背面的版本，其可用性不仅消除了原始转换过程中较困难的步骤之一，而且还提供了额外的好处。使用这些新目标之一，作者评估了由激光扫描显微镜(LSM)和固体浸没透镜(SIL)组成的背面成像系统。这里给出了结果以及用于评估的标准。新计量指标的其他应用及其局限性在2015年5月的EDFA上进行了讨论。

人们正在探索各种NVM技术来实现神经形态系统，包括电阻性RAM、铁电RAM、相变RAM、自旋传递扭矩RAM和NAND闪存。本文讨论了RRAM在此类应用中的潜力，并评估了神经网络图像分类背景下的关键性能和可靠性指标。作者得出结论，使用替代材料堆叠和多层电介质可以进一步改善精度-功率权衡，从而更好地控制控制RRAM开关特性的氧空位或金属丝化过程。

模拟计算是将神经网络处理提升到下一个水平的重要一步。然而，正如本专栏所解释的那样，在模拟系统中，可靠性与性能和效率密切相关，比在任何现代数字系统中都要密切相关，需要进一步的工作来理解这种关系。

划线-切割法是一种广泛使用的样品制备技术，尽管许多挑战使其不太理想。本文中描述的一种新的缩进和切割方法提供了改进的结果，即使在以前认为不可切割的样品上也是如此。几个案例研究展示了新技术的能力。

半导体失效分析的最新趋势包括结合使用不同的工具和技术，以便以更快的速度获得更准确的数据。本文描述了一个结合FIB、GIS和纳米探测的新工作流程，所有这些都在相同的FIB倾斜位置执行。它还提供了使用工作流的两个示例。

随着新工艺的日益复杂和新材料的引入，对产品良率管理和过程控制的需求对半导体行业的失效分析实验室提出了前所未有的要求。这些需求要求更快、更卓越的分析能力，以确定使用深亚微米工艺制造的半导体器件的根本原因失效机制。本文介绍了一种新的自动化样品制备技术，该技术便于直接电接触感兴趣的区域，其表面质量足以用于扫描探针显微镜分析。

SRAM单元的参数分析被广泛用于故障定位和设备故障分析，但数据采集所需的pico探测和位线复用变得越来越困难。本文解释了如何增加片上低良率分析电路来解决这个问题。测量电路的简单性和使用已知曲线库的潜力，使低产率分析成为缓存故障隔离最通用的DFT技术之一。

本文讨论了虚拟已知良好设备(VKGD)的概念，以及如何在先进3D封装的开发中使用它。它解释了VKGD本质上是IC封装的电磁模型，包括凸起，中间插孔和硅通孔。这些模型与反射测量数据结合使用，帮助工程师在IC封装开发的早期阶段隔离故障，大大缩短了周期时间。

电光太赫兹脉冲反射计(EOTPR)是一种非破坏性故障隔离技术，非常适合当今的集成电路。本文提供了如何使用EOTPR来研究2.5D和3D封装、晶圆级扇出封装和MEMS器件的示例。它还讨论了EOTPR系统和软件的最新进展。

本案例研究比较了传统的纯逻辑扫描诊断和真正的布局感知扫描诊断的FA成功率和周转时间。本文讨论了基本的工艺流程，确定了关键的成功因素，并评估了从90nm技术制造的9.8 m栅极七金属层ASIC中随机选择的六个芯片的物理FA和诊断测试结果。如图所示，布局感知诊断减少了模具上的缺陷搜索区域，在某些情况下，通过一个数量级，为诊断驱动的良率改进提供了手段。

随着设备复杂性和工作频率的迅速增加，电子束探头提供了定时信息和吞吐量，它集成了CAD导航和波形测量，同时使用户几乎可以忽略“引擎顶下”的技术，是20世纪80年代末到21世纪初IC设计调试所需的工具。本文访问并描述了这个主力工具的历史、成功、创新、错误和可能的未来。

亚微米硅器件中的掺杂物分布通常使用扫描探针技术进行测量。然而，最近出现了一种新的基于扫描电镜的方法，它可以证明是定量掺杂成像的更强大的工具。本文在分析碳化硅功率晶体管、垂直腔面发射激光器和量子阱器件的基础上，讨论了二次电子势对比成像的测量物理，并对其性能进行了评价。

本文提出了一种实时木马检测系统的设计，并探讨了大规模扫描电镜图像采集挑战的可能解决方案。其中一个解决方案是一种深度学习方法，可以从布局图像中生成合成显微照片，这显示出了很大的前景。基于学习的方法也用于细胞的合成和分类。分类结果与设计交换格式文件条目相匹配，以确保底层IC的纯度。

本文评估了65纳米CMOS集成电路中失效分析技术的能力。它演示了OBIRCH，电压对比，塞贝克效应成像，SEM和TEM技术以及FIB横截面对诸如介电击穿，开孔和电阻通孔，空隙，短路，分层和栅氧化缺陷等故障的使用。

故障分析的捷径有时是为了节省时间或金钱，或者因为设备或专业知识不可用。本文在四个方面提出了简单而有效的解决方案，包括预处理，FIB铣削，微切割和TEM样品制备，可以帮助分析人员解决或绕过这些情况。

本文讨论了FIB电路编辑的最新进展，以及一般用途和优化技术。

当前集成电路的失态泄漏电流约占总电流的一半，随着每一代新技术的发展，这个问题变得越来越严重。然而，失败分析师却有不同的看法。与漏电流相关的光发射是集成电路工作的丰富信息来源。在本文中，作者解释了他们如何使用这种光来监测逻辑状态，测量温度，分析串扰和配电噪声，并诊断损坏的扫描链。失态泄漏电流的光发射(LEOSLC)被证明对于诊断位于扫描时钟树中的故障特别有用，否则这些故障很难检测到。