本文讨论的基本原则SEM-based阴极发光(CL)光谱和展示了其在发展过程的有效性,统计过程控制和故障分析。技术在CL光谱是最明显的好处是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管作为反映在应用程序的例子。

本文描述了一个1.8千瓦的激光二极管堆栈的资格过程为火星探测器的好奇心。seven-bar堆栈作为boom-mounted光谱仪的光学泵连接到探测器的前面。每个激光棒是由62个发射器并生成瞬时输出功率260 W。二极管堆栈的详细设计分析的结果提出了过分强调测试和故障分析。

本文讨论的缺陷类型发生在垂直腔面发射激光器(VCSELs)和工具通常用于检测和识别的原因。它描述的基本设计和操作VCSELs并解释说,大多数故障是由于材料的晶体结构混乱的设备。用于分析各种方法的缺陷,致发光(EL)是迄今为止最强大的在几个EL图像包含在这篇文章中。本文还讨论了使用EBIC分析、浆纱切片FIB,热感应电压改变(TIVA)。

电压之下,这种现象发生在扫描电子显微镜,产生亮度变化SEM图像对应测试样本的潜在变化。通过适当的处理,信号电压对比可以揭示广泛的集成电路的功能的信息。电压对比可以被使用,例如,绘制电气逻辑水平和时间波形芯片内部节点的操作时,在扫描电镜室。本文描述了电压对比的基本原理及其在集成电路失效分析中的应用。

单光束接触感应电流(SCOBIC)是一种变异的OBIC失效分析技术,只需要一个点的接触被检查的结。本文讨论了这种新方法的基本原理,以及它如何与OBIC的测量性能。它还提供了示例展示如何使用SCOBIC分析CMOS设备从前面和背面不需要复杂的FIB和探针程序。