划线-切割法是一种广泛使用的样品制备技术，尽管许多挑战使其不太理想。本文中描述的一种新的缩进和切割方法提供了改进的结果，即使在以前认为不可切割的样品上也是如此。几个案例研究展示了新技术的能力。

微切割和精密宽离子束技术的结合使故障分析人员能够以0.5 μm的精度制备特定部位的SEM分析样品。正如文章所解释的那样，微切割利用了单晶半导体衬底固有的切割特性。由于基板的质量明显大于工艺层，它决定了样品的整体横截面质量和精度。切割没有损失任何材料，保留了指定区域的完整性，并且可以对横截面的两侧进行分析。当切割因目标埋置或碎片位于截面表面而偏离时，在SEM分析之前，使用离子束蚀刻和涂层来微调切割位置并去除碎片。

故障分析的捷径有时是为了节省时间或金钱，或者因为设备或专业知识不可用。本文在四个方面提出了简单而有效的解决方案，包括预处理，FIB铣削，微切割和TEM样品制备，可以帮助分析人员解决或绕过这些情况。

随着新工艺的日益复杂和新材料的引入，对产品良率管理和过程控制的需求对半导体行业的失效分析实验室提出了前所未有的要求。这些需求要求更快、更卓越的分析能力，以确定使用深亚微米工艺制造的半导体器件的根本原因失效机制。本文介绍了一种新的自动化样品制备技术，该技术便于直接电接触感兴趣的区域，其表面质量足以用于扫描探针显微镜分析。

亚微米硅器件中的掺杂物分布通常使用扫描探针技术进行测量。然而，最近出现了一种新的基于扫描电镜的方法，它可以证明是定量掺杂成像的更强大的工具。本文在分析碳化硅功率晶体管、垂直腔面发射激光器和量子阱器件的基础上，讨论了二次电子势对比成像的测量物理，并对其性能进行了评价。

第44届测试与失效分析国际研讨会(ISTFA 2018)在亚利桑那州凤凰城举行。， 2018年10月28日至11月1日。本文提供了一个重点摘要，并确定了该事件的主要贡献者。它还包括关于“值得分析的失败”主题的小组讨论的摘要。最后，重点讨论了在会议上举行的聚焦离子束、样品制备和非接触式故障隔离/纳米探测用户组会议。

样品制备是FinFET器件掺杂谱分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文介绍了一种基于低能量、浅角离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化和改善扫描电容显微镜(SCM)信号，代表局部活性掺杂浓度。

这是主流的Omniprobe FIB提出解决方案是如何被发明并交付给市场的故事。

本文描述了一种样品制备技术，通过该技术可以手动抛光集成电路上的特定区域，使其达到TEM透明。这种技术被称为三脚架抛光或楔形方法，在几个小时内产生横截面样品，几乎不需要或不需要额外的细化来进行TEM分析。该方法也可用于制备平面视图TEM样品以及用于SEM分析和光学显微镜的样品。

本文论证了原子力显微镜的价值，特别是不同的电模式，以表征复杂的微电子结构。本文介绍了用SCM和SSRM分析得到的深沟槽隔离(DTI)结构的实验结果，重点讨论了AFM施加的电压。根据这些测量，提出了一个失效分析工作流，有助于AFM电压优化，以揭示横截面样品的结构，进行比较，并确定失效的根本原因。

STEM-EBIC成像是一种纳米表征技术，已被用于研究Si - pn结的电活性缺陷、少数载流子扩散长度、表面复合速度和不均匀性。在本文中，作者解释了他们如何开发和构建STEM-EBIC系统，然后他们使用该系统来确定InGaN量子阱LED的结位置。他们还开发了一种新的基于纤维纤维的样品制备方法和定制样品支架，促进同时收集z对比，EBIC和能量色散光谱图像。pn结相对于量子阱的相对位置为距量子阱中心19±3 nm。

第42届测试与失效分析国际研讨会(ISTFA 2016)于2016年11月6日至10日在德克萨斯州沃斯堡举行。本文提供了主题演讲、技术计划、小组讨论、教程和用户组会议的摘要。

第六届FIB-SEM研讨会于2013年3月1日在马萨诸塞州剑桥举行。本文提供了该事件的摘要以及18篇论文演讲的亮点。

芯片级3D集成，即使用tsv和微凸点对芯片进行薄化、堆叠和垂直连接，在带来改进的同时也带来了许多挑战，特别是在故障分析领域。本文根据3D集成带来的挑战评估了各种FA技术的能力，并确定了当前的缺点和未来的需求。

封装集成的复杂性不断增加，将更多的样本引入FA实验室以进行开发支持和分析。对于许多作业，还需要更大的移除量，增加了对工具时间和吞吐量的需求。聚焦离子束(FIB)和双束FIB/SEM系统有助于缓解压力，因为它们能够创建特定站点的横截面，并有助于门级电路的重新布线和调试。本文回顾了包装趋势对失效分析的影响以及FIB技术的最新改进。它还提出了例子，说明如何这些新的FIB技术被应用于解决新兴的包装挑战。

扫描微波阻抗显微镜(sMIM)是一种相对较新的对AFMs测试样品进行电测量的方法。本文介绍了sMIM技术用于测量不同半导体和介电材料的介电系数、掺杂浓度和纳米级C-V曲线的示例。它还解释了测量结果与理论模型的比较，证实了每种方法的有效性。

随着3D集成封装的出现，由于其复杂的布局、不同的材料、缩小的尺寸和紧密的配合，失效分析变得越来越困难。本文演示了几种FA技术，包括高频扫描声学显微镜，锁定热成像，以及结合等离子体离子蚀刻或激光烧蚀的FIB横截面。详细的案例研究显示了如何使用各种方法来分析不同材料之间的键合完整性，芯片到芯片的接口结构，埋藏的互连缺陷，以及器件或封装级的硅通孔。