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浆纱切片

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期刊文章

聚焦离子束应用于非硅材料:交叉切片微波设备

家伙佩雷斯,佛罗伦萨”丛书,布鲁诺Benteo,罗曼Desplats
摘要技术文章(2000)2 (4):10 - 11。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2000 - 4. p010
发表:2000年11月01
…佩雷斯的家伙;佛罗伦萨的安全系数;布鲁诺Benteo;罗曼Desplats高频设备(如单片微波集成电路(MMICs)用于通信设备以及地球成像卫星和雷达的应用程序。本文讨论利用聚焦离子束(FIB)交叉 切片…
文摘
高频设备(如单片微波集成电路)是用于电信设备以及地球成像卫星和雷达的应用程序。本文讨论利用聚焦离子束(FIB)交叉分割和样本装饰技术分析MMICs和III-V材料。
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期刊文章

独特的FIB申请机械交叉切片

道格•汉密尔顿,Phoumra谭
摘要技术文章(2014)16 (4):44-45。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 4. p044
发表:2014年11月01
…道格·汉密尔顿;Phoumra谭这个失效分析案例研究说明了熟练的使用双光束FIB发现隐藏的细节在机械抛光交叉- - - - - -部分。版权©ASM国际®201beplay体育官网地址4 2014 ASM国际FIB抛光金属切削金属涂…
文摘
这个失效分析案例研究说明了娴熟的使用双光束FIB发现隐藏的细节在机械抛光的横截面。
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创新的冰球机械设计交叉- - - - - -切片和随后的分析半导体包装样品的失效分析

Fauzia Khatkhatay,Pradip Sairam Pichumani
摘要技术文章(2020)22 (2):4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020 - 2. p004
发表:2020年5月01
…Fauzia Khatkhatay;Pradip Sairam Pichumani失败的原因在倒装芯片封装设备中经常发现的死和包之间的接口。露出感兴趣的网站通常需要某种形式的机械交叉- - - - - -切片与样品嵌入在环氧冰球。这篇文章……
文摘
失败的原因在倒装芯片封装设备中经常发现的死和包之间的接口。露出感兴趣的网站通常需要某种形式的机械浆纱切片样本嵌入在一个环氧冰球。本文将关注一些当前方法的缺点,提出了一个解决方案的形式重新设计的冰球。试验结果表明,新冰球显著减少抛光时间,当演员导电环氧树脂,最大限度地减少充电构件在SEM分析和图像失真。它还促进了简单示例删除进行后续分析。
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主FA技术:Artifact-Free交叉切片高纵横比的蚀刻使用墨水腔

特拉维斯米切尔,布莱恩Popielarski,油炸鲍曼
摘要技术文章(2021)23 (2):38-39。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 2. p038
发表:2021年5月01
…特拉维斯米切尔;布莱恩Popielarski;油炸鲍曼大师FA技术专栏描述了一个简单且廉价的解决方案准备TEM的问题交叉- - - - - -截面通过样本蚀刻硅片与大长宽比。版权©ASM国际®202beplay体育官网地址1 2021 ASM国际…
文摘
这个主人FA技术专栏描述了一个简单且廉价的解决方案的问题准备TEM横断面样本通过蚀刻片大长宽比。
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自动化交叉- - - - - -截面样品准备扫描电容显微术

菲尔Kaszuba,齐夫蜻蜓,大卫•道格拉斯
摘要技术文章(2005)7 (1):6 - 8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005 - 1. p006
发表:2005年2月01
…自动化交叉- - - - - -截面样品准备扫描电容显微术菲尔•Kaszuba *齐夫蜻蜓和大卫·道格拉斯* IBM系统和科技集团,埃塞克斯结,Vt。* *矢耳石有限公司法沙巴,以色列/矢耳石Inc .,纽约Hauppauge pkaszuba@us.ibm.com介绍与日益增长的复杂性…
文摘
日益复杂化的新工艺、新材料的引入,产品收益管理和过程控制的必要性将前所未有的失效分析实验室在半导体行业的要求。这些要求呼吁更快和卓越的分析能力来确定根源故障机制在半导体设备制造使用深亚微米工艺。本文提出了一种新的自动化的样品制备技术,促进直接电接触感兴趣的领域,与表面质量满足扫描探针显微镜分析。
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机械研磨和抛光的交叉部分使用一个微型数控机床故障分析

Pradip Sairam Pichumani,Fauzia Khatkhatay
摘要技术文章14 - 19 (2020)(1):22。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020 - 1. p014
发表:2020年2月01
…Pradip Sairam Pichumani;Fauzia Khatkhatay在这篇文章中,作者评价微型数控铣削代替手工研磨机械平行交叉- - - - - -切片倒装芯片封装的样本。他们描述流程,以及他们如何与其他交叉- - - - - -切片技术……
文摘
在这篇文章中,作者评价微型数控铣削代替手工研磨机械浆纱切片的倒装芯片封装样品平行。他们描述流程,以及他们如何与其他浆纱切片技术,清楚地说明不同之处。手工抛光的SEM图像样本显示process-induced开裂,凿,分层die-C4接口。相比之下,CNC-milled样品artifact-free和C4疙瘩均匀接触沿整个长度的横截面。
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特定场地,SEM半导体样品制备0.5μm准确性

Reza阿兰尼人,Efrat m .拉兹
摘要技术文章(2001)3(2):26 - 27日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001 - 2. p026
发表:2001年5月01
…半导体基板。因为底物质量大大超过了过程层,它决定了整体交叉- - - - - -部分样品的质量和精度。分裂失去没有材料,保留指定区域的完整性,使双方的分析交叉- - - - - -部分…
文摘
microcleaving和精密的结合广泛的离子束技术允许失败分析师准备特定站点标本进行扫描电镜分析0.5μm准确性。Microcleaving,文章解释说,使用裂开单晶半导体基板中固有的特点。因为底物质量大大超过了过程层,它决定了整体截面样品的质量和精度。分裂失去没有材料,保留指定区域的完整性,使双方的横截面分析。分裂时抵消由于埋目标或碎片位于横截面的表面时,离子束刻蚀和涂层用于微调裂开的位置和SEM分析之前移除碎片。
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定位和分析Metal-Coating-Related电迁移降解在65纳米技术节点

埃克哈特·兰格,莫里茨Andreas Meyer,帕斯卡蒸馏器,德克左邻,阿克塞尔Preusse…
摘要技术文章(2008)10 (1):24-29。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2008 - 1. p024
发表:2008年2月01
…埃克哈特·兰格;莫里茨Andreas Meyer;帕斯卡蒸馏器;德克左邻右舍;阿克塞尔Preusse;奥利弗Aubel;施特菲·Thierbach 65纳米技术的引入,交叉- - - - - -截面现在尺寸的铜互连层小于100纳米,这意味着电流密度……
文摘
65纳米技术的引入,横截面尺寸的铜互连层现在小于100纳米,这意味着电流密度的几个马/平方厘米。电迁移作为芯片失效的根本原因是这样一个主要的担忧和仍在接受调查。在这篇文章中,作者展示了最近失效分析研究金属包覆铜互联,使用OBIRCH技术结合FIB浆纱切片和扫描电镜和透射电镜成像。
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电气特征基于AFM: SCM和SSRM测量多维的方法

r .公鸡Germanicus,美国Luders
摘要技术文章(2022)24 (3):24-31。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022 - 3. p024
发表:2022年8月01
…分析强调AFM的电压。从这些测量,提出了一种故障分析工作流程,促进AFM电压优化的结构交叉- - - - - -分段样本,进行比较,确定故障的根本原因。这篇文章……
文摘
本文演示了原子力显微镜的价值,特别是不同的电模式,描述复杂的微电子结构。它展示了实验结果从深沟隔离(DTI)结构使用SCM和SSRM分析强调AFM的电压。从这些测量,提出了一种故障分析工作流程,促进AFM电压优化的结构横截面样本,进行比较,确定故障的根本原因。
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抛光样品TEM分析使用三脚架抛光技术

摩根大通(J.P.本尼迪克特,.安德森,中华民国Klepeis
摘要技术文章(2000)2 (3):19。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2000 - 3. p012
发表:2000年8月01
摩根大通(J.P.…本笃;.安德森;中华民国Klepeis本文描述一个特定区域的样品制备技术在集成电路可以手动抛光TEM透明度。的技术,称为三脚架抛光或楔形方法,产生交叉- - - - - -部分样品在几小时内……
文摘
本文描述一个特定区域的样品制备技术在集成电路可以手动抛光TEM透明度。技术,称为三脚架抛光或楔形方法,产生横截面样本在几小时内,几乎不需要额外的TEM分析变薄。该方法也可以用来准备计划视图TEM样品以及样品的扫描电镜分析和光学显微镜。
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背后分析:聚焦离子束应用倒装芯片封装集成电路

玫瑰m .环,罗摩r . Goruganthu,史蒂文森
摘要技术文章(2001)3 (1):35-35C。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001 - 1. p035
发表:2001年2月01
…和准备交叉- - - - - -部分样品背面的失效分析和表征。版权©ASM国际®200beplay体育官网地址1 2001 ASM国际背后样品制备电路编辑倒装芯片封装聚焦离子束httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2001 - 1. p035..背后分析。
文摘
倒装芯片安装设备很难调试使用传统FIB工具,因为其内部电路并不容易。新倒装芯片聚焦离子束(FC FIB)系统克服这个限制,然而,从而能够访问通过批量硅电路的背后。在这篇文章中,作者解释如何使用新系统获得行背后波形采集的信号。他们还描述的一些程序开发修复和修改倒装芯片电路的背后,准备横截面样品背面的失效分析和表征。
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自动化的样品制备

古里Basat,杰森·德雷克,乍得Tabatt
摘要技术文章(2001)3(1):24 - 27日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001 - 1. p024
发表:2001年2月01
…创建精确的交叉- - - - - -部分0.1μm准确性。版权©ASM国际®200beplay体育官网地址1 2001 ASM国际样品制备亚微米抛光自动化样品httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2001 - 1. - p024自动化样品制备古里Basat,矢耳石,有限公司,以色列杰森·德雷克,矢耳石……
文摘
本文描述了一个自动化的SEM和TEM分析样品制备过程基于亚微米抛光。该方法使用机器人技术、图像处理和计算机控制下的抛光轮的全自动recipe-driven过程创建精确的横断面图0.1μm准确性。
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光电设备失效分析

丹尼尔·l·巴顿
摘要技术文章(2003)5(4):新。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 4. p027
发表:2003年11月01
…,FIB交叉- - - - - -切片,热感应电压改变(TIVA)。版权©ASM国际®200beplay体育官网地址3 2003 ASM国际混乱致发光断层定位光电设备TIVA成像VCSELs httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 4. - p027 EDFAAO (2003) 4…
文摘
本文讨论的缺陷类型发生在垂直腔面发射激光器(VCSELs)和工具通常用于检测和识别的原因。它描述的基本设计和操作VCSELs并解释说,大多数故障是由于材料的晶体结构混乱的设备。用于分析各种方法的缺陷,致发光(EL)是迄今为止最强大的在几个EL图像包含在这篇文章中。本文还讨论了使用EBIC分析、浆纱切片FIB,热感应电压改变(TIVA)。
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如何有效的失效分析方法为65纳米CMOS技术节点?

Magali拉米,Marc de la Bardonnie,弗雷德里克Lorut,瑞恩•罗斯,克利斯朵夫Wyon…
摘要技术文章(2006)8(2):14到20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2006 - 2. p014
发表:2006年5月01
…技术和心房纤颤交叉- - - - - -切片介质击穿等故障,开放和电阻通过,空洞,短裤,分层,栅氧化层缺陷。版权©ASM国际®200beplay体育官网地址6 2006 ASM国际FIB CMOS集成电路缺陷定位的故障隔离交叉- - - - - -切片…
文摘
本文评估的功能失效分析技术在65纳米CMOS集成电路。电压的对比,它演示了使用OBIRCH塞贝克效应成像,扫描电镜和透射电镜技术,和浆纱切片FIB失败如介质击穿、开放和电阻通过,空洞,短裤,分层,栅氧化层缺陷。
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特定场地分析先进的包装通过聚焦离子光束

理查德•j•年轻
摘要技术文章(2011)13 (1):19。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011 - 1. p012
发表:2011年2月01
…)和双光束FIB / SEM系统有助于缓解压力与创建特定站点的能力交叉 部分和促进门电路级电路重新连接和调试。本文综述包装趋势的影响在最近的失效分析以及改进FIB技术……
文摘
包装一体化继续增加复杂性,驾驶更多样本FA实验室开发支持和分析。对于很多的工作,也需要更大的删除卷,复合时间和吞吐量需求的工具。聚焦离子束(FIB)和双光束FIB / SEM系统有助于缓解压力的能力创建特定场地横截面和促进门电路级电路重新连接和调试。本文综述包装的影响趋势在最近的失效分析以及改善FIB技术。它也提出了例子说明这些新FIB技术被应用于解决新兴包装的挑战。
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期刊文章

新兴技术对三维集成System-in-Package故障诊断

弗兰克•阿尔特曼,马提亚风格的作品
摘要技术文章(2012)14(2):14到20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 2. p014
发表:2012年5月01
…声学显微镜,锁定温度记录,无伤大雅交叉- - - - - -切片结合等离子体离子刻蚀或激光消融。详细的案例研究显示可以使用各种方法来分析不同材料之间的粘结完整性,到界面结构、埋互连……
文摘
失效分析越来越困难的出现3 d集成包由于其复杂的布局,不同材料、缩小尺寸,严格符合。本文演示了几个FA技术,包括高频扫描声学显微镜,锁定温度记录,FIB浆纱切片结合等离子体离子刻蚀或激光消融。详细的案例研究显示可以使用各种方法来分析不同材料之间的粘结完整性,到界面结构、埋互连缺陷,和在矽通过在设备或包级别。
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高压电容器油田井下PCB上的失败

约翰Bescup
摘要技术文章(2016)18 (3):4 - 8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016 - 3. p004
发表:2016年8月01
…的生产。通过某种组合的时间、电势、困湿度,和工作温度升高,迁移到孔隙板材料,创建一个短的路径,导致失败。使用声学图像作为一个指南,失败的电容器交叉- - - - - -分段,允许调查人员……
文摘
这篇文章解释了高压电容器的失败导致一个不同寻常的发现缺陷。测试表明,该电容器短路由于银迁移,调查人员认为是通过孔隙介质中呈现的时间生产。通过某种组合的时间、电势、困湿度,和工作温度升高,迁移到孔隙板材料,创建一个短的路径,导致失败。使用声学图像作为一个指南,失败的电容器是横截面,允许调查人员检查空隙更紧密,从而证实他们的理论。
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实际的量化扫描微波阻抗显微镜

St.J。Dixon-Warren,b . Drevniok
摘要技术文章(2017)19 (3):27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017 - 3. p022
发表:2017年8月01
…在交叉- - - - - -截面分析NMOS晶体管。版权©ASM国际®201beplay体育官网地址7 2017 ASM国际交叉- - - - - -截面分析掺杂剂分析扫描微波阻抗显微镜2 2 httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2017 - 3. - p022 EDFAAO (2017) 1537 - 0755 / 3:22-27©ASM 19.00美元……
文摘
微波阻抗扫描显微镜(sMIM)是电子测量技术,可以用来确定掺杂剂配置文件在半导体器件。本文描述了基本设置和实现方法和演示了其使用的横断面分析NMOS晶体管。
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直流/直流转换器的故障分析:一个案例研究

杰雷米Dhennin
摘要技术文章(2017)19(4):4 - 9日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017 - 4. p004
发表:2017年11月01
…杰雷米Dhennin在这个案例研究中,作者描述了一个有缺陷的直流-直流转换器的调查从飞机检索报告后异常的系统行为。电气测试、本地探测x射线成像,和交叉- - - - - -截面分析导致裂缝的发现……
文摘
在这个案例研究中,作者描述了一个有缺陷的直流-直流转换器的调查从飞机检索报告后异常的系统行为。电气测试、本地探测x射线成像,和横断面分析发现了裂缝在几针和一些焊接材料。裂缝是由于不同的热膨胀率和补救的帮助下形变分析、EBSD成像,和相位地图比较厚和薄的焊点。
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Xe等离子体与镓FIB机构扁平化

Sharang Sharang,保罗Anzalone,约瑟夫Vincenc Obona
摘要技术文章(2019)21 (3):4 - 6。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019 - 3. p004
发表:2019年8月01
…Sharang Sharang;保罗Anzalone;约瑟夫Vincenc Obona液态金属离子和等离子体束FIB系统广泛应用于半导体行业对TEM薄板准备,电路编辑和交叉- - - - - -截面分析。本文比较了deprocessing Xe的Ga FIB的能力……
文摘
液态金属离子和等离子体束FIB系统广泛应用于半导体行业对TEM薄板准备,电路编辑和横截面分析。本文比较了deprocessing能力的Ga FIB Xe的血浆FIB函数。两个系统是用来延迟器的英特尔14 nm处理器M8晶体管接触。正如图片在文章中所显示的,一个100×100 Xeµm窗口被打开的血浆FIB和20×20µm与Ga FIB窗户被打开了。等相关问题处理时间,终点检测和表面粗糙度进行了讨论。
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