进一步发展SEM-based特征提取工具设计验证和故障分析是取决于可靠的样品制备方法。本文描述了如何减少层级框架130海里在45纳米技术是适应和使用SPI模块组成的11个金属层,通过10层,两层多晶硅,一个活跃的硅层。它解释了如何使用不同的抛光和腐蚀方法与充分对比揭露每一层扫描电镜成像和后续的特征提取。结合多边形集代表每一层的完整设计装置改造中所示的图像。

等离子体聚焦离子束(PFIB)系统可以生成离子束流与更高的电流,因此能够去除大卷的材料以快得多的利率仍保持精确地控制光束和铣削行动。这篇文章解释了PFIB的改进的性能是导致新的应用程序在减少层级,deprocessing和特定站点失效分析。

液态金属离子和等离子体束FIB系统广泛应用于半导体行业对TEM薄板准备,电路编辑和横截面分析。本文比较了deprocessing能力的Ga FIB Xe的血浆FIB函数。两个系统是用来延迟器的英特尔14 nm处理器M8晶体管接触。正如图片在文章中所显示的,一个100×100 Xeµm窗口被打开的血浆FIB和20×20µm与Ga FIB窗户被打开了。等相关问题处理时间,终点检测和表面粗糙度进行了讨论。

Deprocessing ICs往往是最后一步的缺陷验证在足总情况下故障隔离有限的信息。本文提出了一种工作流deprocessing ICs的背后使用自动稀释和大面积血浆FIB机构扁平化。这种方法的优点包括减少手工整平depackaging和更高程度的精度和可重复性。

本文讨论了大面积集成电路deprocessing的现状,发展的最新成果自动deprocessing设备、气体腐蚀发展的潜在影响,离子源选择,紧凑的光谱,和高速激光。

原子力显微镜是一个一致的因素在过去十年的进步IC nanoprobing和失效分析。在那个时候,许多新的原子力测量技术采用了集成电路分析社区,包括扫描电导、扫描电容,脉冲电流电压,capacitance-voltage光谱学。最近,两个新技术的出现:钻石探头铣和静电力显微镜(EFM)。作为这篇文章的作者解释,钻石使用原子力显微镜探针铣削是一种很有前途的新方法原位,本地化,ICs的精密机构扁平化,而主动EFM是本地化的无损替代EBAC显微镜在集成电路分析。

失败分析师使用各种机器的样品制备,其中许多是机械。本文讨论了确定精度的因素,分辨率,XY定位系统和可重复性,旋转阶段,multiaxis机器。它能够识别关键的机器参数和解释了环境影响,跳动,几何不准确导致的不确定性和定位误差。也评估的精度、准确性和重复性要求背面稀疏和减少层级系统。

薄膜设备异常导致许多失败,但他们往往很难看到。在这篇文章中,作者解释他们如何发现并确认一个8到10纳米钽薄膜导致销短裤在大多数ASIC模块从特定很多。最初试图延迟器的一些模块失败导致的损失故障信号。然后决定用聚焦离子束通过层间电介质选择性磨。在铣削过程中,二次电子图像显示异常材料之间的功率晶体管的手指,随后被确认为钽。等缺陷,作者解释,在波纹的过程是常见的材料不正确在腐蚀过程中被除去。

edfa董事会(BOD)已经采取了行动,以帮助推动失效分析方法的发展领先的半导体技术趋于sub-20 nm政权。精简的努力和利用现有的工作,BOD最近调查了其选区来衡量他们的意见的能力差距Sematech委员会确定的。本文简要论述了调查的方法,提供了一个简易的反应以及重要发现。

传统的post-fabrication测试可以可靠地验证一个集成电路是否正常工作,但它不能区分真实和假冒芯片或不怀好意地识别设计更改。本文提出了一种集成电路分解流程,基于FA工具和技术,为组件提供了一个可量化的程度的保证零信任环境。

本文提出了一种物理检查和攻击方法的全面研究,描述所使用的方法通常造假者和对手的风险和威胁。它还解释了体格检查方法可以作为信任验证工具,并提供实用的指导方针进行硬件更安全。

集成电路嵌入在日常设备面临篡改和入侵的风险增加。在这篇文章中,作者解释如何逆向工程技术,包括自动图像分析,可以用来提供信任和保障在处理商业现成的芯片。

本文讨论了建筑分析的概念,意图和它所提供的价值的集成电路制造商和用户。它描述了半导体器件的一个建筑分析的基本步骤并提出和解释获得的测量和观察分析的几个ICs。

本专栏讨论了开发一个专用的潜在好处synchrotron-based先进工具套件,高通量表征,deprocessing, ICs的验证。

探索在子- 100纳米领域需要新的工具和技术,相对容易学习如果用户遵循本文的作者的建议。作者提出一个基于扫描探针技术的探测方法和证明其使用90 nm晶体管失败由于成功地大门。他们还地址与样品制备相关的挑战,探头尖端污染和磨损,振动和漂移的影响。

本文编制2013年举行ISTFA用户组会议总结,包括接触器故障隔离用户组,聚焦离子束用户的组,样品准备/ 3 d包用户组,和Nanoprobing用户的组。对于每一个会议,一个简短的概要陈述和随后的对话框。

本文提出了一个完整的商业模式失效分析(FA)作为高科技提供者在微电子学的世界。第一部分介绍了此类模型的基础。它始于一个业务流程的定义,然后分析流动。最后,基于关键性能指标(KPI)的操作。本文的第二部分将会出现在接下来的EDFA的问题,并将解决这样一个模型的实现在足总实验室。讨论工作量和周期的相互依赖关系——管道管理。这将打开通往定量目标设置与客户协议。一个完整的系统构建一个数据库,可以计算所有参数的FA实验室完全适应客户的需求。这样一个数据库作为参考实验室和代表最好的足总练习。

x射线ptychography,最近的研究显示,有可能桥之间存在的差距,目前传统的x射线成像和电子显微镜。本文涵盖了从基本的二维成像技术的发展,计算机断层扫描3 d ptychographic x射线辐射分层照相术(PyXL)和缩放。演示的功能PyXL, 16 nm FinFET逻辑IC机械抛光的厚度20µm和几个地区各级成像分辨率。

图像增强已被证明有助于定位缺陷ICs。本文讨论了两个图像分析技术,图像对比和强度分析,并展示他们如何揭示缺陷,否则被错过。

Wafer-level失效分析中起着重要的作用在集成电路制造、过程开发和产量的提高。本文概述了wafer-level FA的一般流程和解释它如何记忆和逻辑产品不同。它描述了工具和程序用于故障模式验证,电分析、故障定位、样品制备、化学分析和物理失效分析。它还探讨了实施纠正措施并跟踪结果的重要性。