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插入器

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期刊文章

tsv为硅插入器

大肠Jan Vardaman
摘要技术文章(2011)13 (1):46-48。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011 - 1. p046
发表:2011年2月01
…E。本专栏Jan Vardaman解释说,硅插入器被认为是完整的3 d集成一个临时解决方案,可能会超过一个垫脚石沿着小路向3 d ICs。版权©ASM国际®201beplay体育官网地址1 2011 ASM国际3 d ICs硅插入器…
文摘
这篇专栏文章解释说,硅插入器,被认为是一个临时解决方案完整的3 d集成,可能是超过一个垫脚石,沿着通向3 d ICs。
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期刊文章

方法,使故障隔离在2.5 d型插入器包

道格拉斯·亨特,丹尼尔·贝德,帕斯卡蒸馏器,海科巴斯
摘要技术文章(2021)23 (4):14 - 17。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 4. p014
发表:2021年11月01
…放大器。版权©ASM国际®202beplay体育官网地址1 2021国际ASM 2.5 - d插入器包故障隔离微波诱导等离子体蚀刻overmold现货切除14 EDFAAO (2021) 4:14-17 httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 4. - p014©1537 - 0755 / 19.00美元ASM国际®电子…beplay体育官网地址
文摘
本文讨论了失效分析的挑战与大型overmolded 2.5 d包和解释了激光被膜剥除术其次是微波诱导等离子体(MIP)现货蚀刻去除overmold同时保持一切完好无损。它还描述了一个缺陷的隔离程序样例分析在大型室内环境扫描电镜与球阵列直接连接到一个EBAC放大器。
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期刊文章

物理安全路线图异构集成技术

Aslam a汗,成喜,Navid Asadizanjani
摘要技术文章(2022)24 (2):/。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022 - 2. p024
发表:2022年5月01
…Aslam a汗;成喜;Navid Asadizanjani插入器发挥重要作用在2.5 d和3 d包路由权力和死亡之间的通信信号,同时保持与I / O引脚电接触。这个角色和他们的相对简单的建设插入器一个目标……
文摘
插入器扮演着重要的角色在2.5 d和3 d包路由权力和死亡之间的通信信号,同时保持与I / O引脚电接触。这个角色和他们的相对简单的建设使插入器恶意攻击的目标。在这篇文章中,作者评估插入器的制造和固有的漏洞描述各种类型的光学攻击以及实用的对策。
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期刊文章

TSV发展

大肠Jan Vardaman
摘要技术文章(2012)14 (3):46-47。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 3. p046
发表:2012年8月01
…E。Jan Vardaman 2.5 - d包装解决方案的开发的步伐似乎加速的时间轴采用3 d通过(TSV)在矽技术继续下滑。本专栏讨论了2.5 - d或的最新进展插入器包装技术和日益增长的……
文摘
发展的速度为2.5 - d包装解决方案似乎是加速的时间轴采用3 d通过(TSV)在矽技术继续下滑。本专栏讨论了2.5 - d或插入器包装技术的最新进展和越来越多的应用。
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期刊文章

使用虚拟已知良好的设备(VKGD)加速三维包装的发展

杰西奥尔顿,马丁Igarashi),李卡钟
摘要技术文章(2015)17 (4):32-36。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2015 - 4. p032
发表:2015年11月01
…杰西奥尔顿;马丁Igarashi);Ka涌李本文讨论虚拟认识好设备的概念(VKGD)以及它如何使用先进的3 d发展的包装。它解释说,一个VKGD本质上是一个集成电路的电磁模型包,包括肿块,插入器…
文摘
本文讨论了一个虚拟的概念(VKGD)以及它如何使用好设备发展的先进的3 d包装。它解释说,一个VKGD本质上是一个集成电路的电磁模型包,包括肿块,插入器,在矽通过。中使用这些模型,结合反射计数据,帮助工程师隔离故障的早期阶段集成电路包装开发,大大降低周期时间。
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期刊文章

的微观结构和可靠性Tin-Silver Micro-Copper支柱总成

穆罕默德Genanu,Babak Arfaei,埃里克·j·科特,弗朗西斯Mutuku,Eric美味极了…
摘要技术文章(2018)20 (1):20-31。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 1. p020
发表:2018年2月01
…硅和玻璃的性能进行比较插入器。IBM工程师最近进行了一项研究,更好地理解和控制铜柱焊点的可靠性在2.5 - d包。在这里他们描述他们的方法和结果。他们解释如何创造测试……
文摘
IBM工程师最近进行了一项研究,更好地理解和控制铜柱焊点的可靠性在2.5 - d包。在这里他们描述他们的方法和结果。他们解释如何创造测试样品来评估不同焊料成分、支柱的几何图形,对微观结构和热历史和评估他们的影响,沉淀形态、金属间化合物层厚度和剪切强度。他们也存在热循环测试结果对比硅和玻璃插入器的性能。
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期刊文章

集成电路包装光学攻击的安全评估

Chengjieξ,Aslam a汗,m . Tanjidur拉赫曼,Navid Asadizanjani
摘要技术文章(2021)23 (2):4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 2. p004
发表:2021年5月01
....2000年,新的晶圆和互连技术,如硅插入器和micro-bump出现上述问题,随着新兴解决方案导致SIP作为高性能芯片的一个更合适的选择。SIP包括同构和异构集成…
文摘
倒装芯片封装的反方向死使它容易受到光从背后攻击。本文讨论的本质脆弱性,评估光学检验工具和技术构成的威胁,并提供洞察有效对策。
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期刊文章

edfa用户组2021系列集锦

Tejinder甘地,安妮塔马丹,泰德Kolasa
摘要技术文章(2021)23 (2):33-37。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 2. p033
发表:2021年5月01
....一个问题被问到CNC口袋被人作为起点的大截面。小组成员也提到了一些使用数控部分暴露这些包类型的区域。讨论搬到当面对挑战插入器到内部IO(互连……
文摘
本文提供了一个回顾和总结edfa的虚拟用户组车间在2021年1月举行。总结覆盖关键参与者,演讲主题,讨论了聚焦离子束,样品制备,非接触式探测和Nanoprobing虚拟小组会议系统方案。
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期刊文章

新的挑战在Microsystems-Enabled光伏发电模块的测试和故障分析

jose luis Cruz-Campa,Bongsang金,布拉德利贾里德,Murat Okandan,格雷戈里·n·尼尔森…
摘要技术文章(2013)15(1):4 - 9日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013 - 1. p004
发表:2013年2月01
…细胞(720米直径和厚度20米)组装到FR-4印刷电路板Microsystems-Enabled光电模块(继续从4页)模块。相反,他们提供了一个缺点——nection一组垫的对面。一个插入器董事会组成的532 pogo针……
文摘
桑迪亚国家实验室的工程师们已经开发出一种技术,可以降低成本,提高光伏能量转换的效率。他们解释他们如何生产光伏组件包含多达100000硅太阳能电池使用传统的集成电路制造和PCB组装技术。他们也解释了如何估计模块效率基于单个细胞的第四特征和开放和短路的检测。
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期刊文章

先进的包装故障隔离EOTPR的案例研究和发展

杰西奥尔顿,托马斯•白,马丁Igarashi)
摘要技术文章(2018)20 (4):24-29。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 4. p024
发表:2018年11月01
…插入器MEMS器件晶圆级扇出包2 4 httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 4. - p024 EDFAAO (2018) 1537 - 0755 / 4:24-29©ASM 19.00美元国际®电子设备失效分析| 20卷。beplay体育官网地址4先进包装故障隔离的案例研究和促进EOTPR杰西Alton1托马斯……
文摘
电子光学太赫兹脉冲反射计(EOTPR)是一种无损故障隔离技术,非常适合今天的ICs。本文提供的示例EOTPR是如何被用于调查2.5 d和3 d包,晶圆级扇出包,和MEMS设备。它也讨论了近年EOTPR系统和软件的发展进步。
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期刊文章

血浆FIB提供至关重要的机构扁平化和特有的故障分析功能来大规模的结构

苏伦德拉Madala
摘要技术文章(2016)18(1):30至35。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016 - 1. p030
发表:2016年2月01
…成像的分层侧壁层。DIE-TO-DIE互联的基本要求任何3 d互连方案连接彼此堆叠骰子的方法和/或任何插入器使用。叠加方案可以使用面对面的组合,faceto-back和渴望插入器…
文摘
等离子体聚焦离子束(PFIB)系统可以生成离子束流与更高的电流,因此能够去除大卷的材料以快得多的利率仍保持精确地控制光束和铣削行动。这篇文章解释了PFIB的改进的性能是导致新的应用程序在减少层级,deprocessing和特定站点失效分析。
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期刊文章

Chiplets:新时代先进的包装

Jan Vardaman
摘要技术文章(2021)23 (4):2-37。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 4. p002
发表:2021年11月01
…IP块之间。与其他chiplets chiplet功能,设计必须co-optimized,硅不能孤立地进行设计。可以由分区chiplet死到功能和通常连接到硅插入器今天或有机基质,但新选项…
文摘
这篇社论讨论chiplets的出现及其潜在影响集成电路设计、制造、和失效分析。
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期刊文章

使真正的根源故障分析使用一个大气Oxygen-Only等离子体被膜剥除术的先进的包

Lea Heusinger-Jonda,嘉唐,Kees Beenakker
摘要技术文章(2021)23(1):4到10。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 1. p004
发表:2021年2月01
…包装[5]另一个高级包类型,最近收到行业关注2.5 d包装。利用大气压力MIP工艺去除填充不足或约2.5 d结构不改变样品上的所有其他材料。插入器互联,例如……
文摘
进行了失效分析案例研究在过去的几年中,说明保护根源证据的重要性通过artifact-free被膜剥除术。三个研究的结果提出了在本文中。在一个案例中,失败的根本原因是氯污染。在另一个,这是一个组合的腐蚀和金属迁移。第三例涉及一个EOS失败,证据是隐藏在一层碳化模型化合物。除了案例研究,本文还包括图像不同的被膜剥除术方法的结果进行比较。
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期刊文章

新兴技术对2 d / 2.5 - d / 3 d包失效分析:EOTPR, 3 d x射线,和血浆FIB函数

基督教施密特,杰西奥尔顿,马丁Igarashi),丽莎陈,爱德华·普林西比
摘要技术文章(2016)18 (4):30 - 40。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016 - 4. p030
发表:2016年11月01
…设备出现越来越多的成为标准流程应用程序,导致一个更紧凑的设计和高功能密度。图1给出了一个例子,展示了一个现代2.5 - d测试车辆包括包装技术,如硅插入器和micropillar互联。[3…
文摘
样品制备的复杂性和deprocessing指数上升2.5 - d和3 d包的出现。本文提供了答案和见解的挑战如何应对日益复杂的半导体包。与最先进的FA确定紧迫问题和潜在瓶颈后流,作者提出了两个案例研究演示的功能光电太赫兹脉冲反射计(EOTPR)、血浆FIB铣、和3 d x射线成像。英足总结果证实这三种技术的潜力和表明完全无损的集成流3 d包可以实现进一步发展和优化。
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期刊文章

三维系统包:如何应对越来越多的挑战

沃尔特·麦克
摘要技术文章(2012)14 (3):4。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 3. p004
发表:2012年8月01
…插入器)。如果一个人认为先进的包访问互联线/空间维度(~ 15µm),它可以观察到典型的导电路径宽度在IC和包水平变得越来越近。典型装配流wafer-level包装涉及生产步骤恢复……
文摘
似乎扩展芯片技术根据摩尔定律将继续为数字功能(逻辑和内存);然而,增加系统集成芯片和包装上的水平,被称为“摩尔多,”已经在过去的几年里。这个全球半导体行业的强劲趋势使更多的功能,通过创建智能微系统多样化,价值更高。本文讨论3 d芯片的FA面临许多挑战,在素质和装备FA实验室是至关重要的。此外,英足总正在成为一个重要的战略因素对新产品,不仅仅是另一个“成本因素”。
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期刊文章

一个IARPA成功出生在电路分析程序的工具

卡尔·e·麦坎
摘要技术文章(2015)17(3):百分比较。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2015 - 3. p050
发表:2015年8月01
…两到三年。此外,大量使用2.5 - d与硅包装插入器和三维结构对电路分析和失效分析提供额外的挑战。情报高级研究项目活动(IARPA)电路分析工具(猫)计划是由博士……
文摘
的第二阶段IARPA电路分析工具(CAT)计划,截至2015年6月,专注于原型的开发工具来展示可伸缩性10 nm节点。IARPA项目经理,我们的客人专栏作家卡尔·e·麦坎,提供了一个简易的参与团队完成。
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期刊文章

什么是3 d测试和IEEE标准如何帮助?

“克劳奇,詹妮弗Dworak
摘要技术文章(2011)13 (4):4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011 - 4. p004
发表:2011年11月01
…在每个地方死去,他们可能直接堆放。另外,死亡堆积可能涉及使用硅插入器(硅模具只有内部路由和外部连接疙瘩)一致的tsv死的tsv另一个死亡。三维集成[1,2],tsv可以…
文摘
三维硅集成是实现它可能被部署。三维硅集成不同于三维包装的三维包装涉及整个封装芯片,每个芯片仍然可以单独测试在制造和装配过程中,比如在晶片测试,之前和之后包装之前和之后,集成到一个复杂的芯片组装。因此,方法用于测试、调试和验证多片模块通常可扩展到三维包装空间。三维硅集成使用在矽通过,问题是调试或测试访问一个人死在堆栈。本文报告一个IEEE P1838工作组努力开发一个每死亡标准。
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期刊文章

三维集成电路:进步更新,可靠性问题,和失败的机制

盖勒尼汉,大肠Jan Vardaman,格雷格•卡斯韦尔,克雷格·希尔曼
摘要技术文章(2014)16 (4):20 - 24。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 4. p020
发表:2014年11月01
…在这些产品还必须通过跌落测试。一些可靠性数据在2.5 - d硅插入器,短期内替代三维包装,已经出版,但很少有可靠性数据发布的影响下降测试与三维结构或2.5 - d tsv。可靠性的担忧一些可靠性问题……
文摘
本文评估了进步,这在开发和实施在矽(TSV)技术,通过工作尚未完成,相关的挑战与潜在的失效机制。
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期刊文章

ISTFA 2021了

摘要技术文章(2022)24 (1):33-42。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022 - 1. p033
发表:2022年2月01
…案例研究有关热带病研究和培训特别规划定位的焊料non-wet插入器的包。更多的讨论出现后表示。相关问题删除散热器在这些包长大。几个谨慎的方法被与会者建议。计算机数值…
文摘
测试和失效分析47国际研讨会(ISTFA 2021)在凤凰城举行。,从2011年10月31日至11月4日。本文总结了主题演讲中,技术项目、座谈会、教程、用户组会议,女性在电子产品失效分析(分析)事件。
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ISTFA 2011用户的组概要

摘要技术文章第27 - 31 (2012)14 (1):。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 1. p027
发表:2012年2月01
…政府办倒装芯片技术,需要更高的频率锁定。这些最初的结果表明,相同的方法将适用于新兴2.5 - d TSV插入器技术。皮特Carleson先生,经理领导聚焦离子束(FIB)范发展,提出使用……
文摘
本文提供了一个总结的四个用户组会议,发生在ISTFA 2011。总结覆盖关键参与者,演讲主题,讨论了从下列每组:第1组,聚焦离子束;组2、3 d包装和失效分析;组3,发现看不见的缺陷;和组4,Nanoprobing和电气特性。
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