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封锁

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期刊文章

I / O接口封锁分析使用光学和电子测试

佛朗哥Stellari,Peilin歌,Moyra k·麦克马纳斯,罗伯特·瑟,艾伦·j .其…
摘要技术文章(2004)6 (3):20 - 30。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2004 - 3. p020
发表:2004年8月01
…佛朗哥Stellari;Peilin歌;Moyra k·麦克马纳斯;罗伯特附近;艾伦·j·weg上;Kiran健谈;穆贾希德默罕默德;Pia散打封锁长期以来一直是关心CMOS技术和问题的越来越减少晶体管尺寸和间距。尽管许多技术……
文摘
封锁长期以来一直关心CMOS技术和问题的越来越减少晶体管尺寸和间距。尽管许多技术避免封锁已经开发出来的风险,他们通常适用于特定的技术和对别人是不可移植的。的问题,IBM工程师进行深入评估结构最敏感的封锁点火和许多可能的触发机制。在这篇文章中,他们描述了工作执行结果和提供实用的指导方针,如何最小化封锁不管IC技术。
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期刊文章

发射显微镜:历史回顾

Neeraj Khurana说
摘要技术文章(2001)3 (1):20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001 - 1. p020
发表:2001年2月01
…Chynoweth等人所描述的那样到此。原则上,发光位置对应于CMOS封闭的位置。然而,问题是很多复杂,调试和解决CMOS的方法被开发封锁problems2。最初的灵敏度和空间分辨率略足够……
文摘
本文讨论的一些早期使用发射显微镜在半导体器件失效分析和克服的挑战,使其无价的工具。在早期的一个障碍是一种误解,硅不能发光的时候,事实上,它有几个发光机制,在电子显微镜已经证明有用。这样的一个机制,雪崩发光,发生在连接在反向击穿和有助于解决低击穿电压和静电保护电路的问题。其他发光机制讨论的文章包括正向偏压发射、MOS晶体管饱和,氧化介质发光,用于检查测试结构和检测氧化缺陷。
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期刊文章

在集成电路瞬态电磁干扰的影响

Bernd Deutschmann,艾蒂安Sicard,索尼娅本Dhia
摘要技术文章(2006)8 (4):24。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2006 - 4. p016
发表:2006年11月01
…集成电路,因此,一个额外的来源(电源)损害。特别是,高能脉冲可以作为触发源封锁。在这种情况下,不仅造成严重的损伤通常测试脉冲的能量但较高的电流供应的车辆年代……
文摘
ICs的易感性电磁干扰越来越关心两个设计师和故障分析。本文讨论了瞬态电磁干扰的原因和影响,影响电磁敏感性的因素。它解释了如何确定基于瞬态脉冲磁化率测试和礼物和解释三个汽车电路的测试结果。
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期刊文章

使用SEM通用故障分析:“小但非常有用”

约翰·r·Devaney
摘要技术文章(1999)1(3):21 - 24日。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999 - 3. p021
发表:1999年8月01
…是绝缘体,而不是一个导体。我最喜欢的例子,这种技术可以追溯到几年当我们正在研究塑料包装材料在过分强调和变化封锁。我们确定了集成电路包装环氧导电很快将成为一个极端封锁超载…
文摘
扫描电子显微镜可以用于分析几乎任何导电容易失败,包括继电器、线圈,电感、电容、电阻、晶体管、二极管、igbt、mosfet、和混合电路。这篇文章的作者解释说,sem是最通用的工具之一失效分析如果使用,充分发挥他们的能力。他们的操作模式包括放射成像、反向散射电压之下,EBIC或标本当前,电导率电阻映射。作者描述了每个操作模式,提出了各种方法的例子可以使用他们。
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期刊文章

光发射光谱分析:电场和光谱之间的关系

丹尼尔·l·巴顿,Paiboon Tangyunyong,杰瑞·m·Soden,克里斯托弗·l·亨德森,Rainer Danz…
摘要技术文章(2000)2 (4):36-38。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2000 - 4. p036
发表:2000年11月01
…发射过程和相关的电场。发光过程正向偏压结反向偏置连接封锁晶体管饱和门短裤左低高低混合36无花果。1。发射光谱测量正向和反向偏置Si, pn结[2]。进入零……
文摘
最近的进步光谱仪现在给足够的灵敏度测量的光谱内容非常微弱的光发射失败产生的半导体器件。本文研究光光谱从最常见的缺陷类为了证明光谱分析的优点和弱点的半导体故障调查。特征分析的结论是可能无法提供一个明确的根源,但它可以帮助确认问题的根源后,进行进一步的分析。
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期刊文章

ESREF 2011年波尔多

菲利普看不见的
摘要技术文章(2012)14 (2):27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 2. p022
发表:2012年5月01
…在Non-ElectricalContact故障定位,提出了k . Nikawa提出两种非接触式技术应用到光电激光刺激封锁现象和本地化寄生晶体管的一个工业失效分析实验室的其他一些论文集中……
文摘
22日欧洲研讨会上电子设备的可靠性,失效物理和分析(ESREF 2011) 10月3日至7日举行了2011年,在法国的波尔多。会议集中在两个主要地区电子产品这一担忧设计师,制造商和用户:(1)策略,电子电路和系统的质量和可靠性评估,和(2)先进的技术和产品评估分析技术。本文报告强调的技术项目。
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期刊文章

聚焦离子束(FIB)电路编辑

Taqi Mohiuddin
摘要技术文章(2014)16 (3):20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 3. p020
发表:2014年8月01
…拓扑结构,并增加模拟内容,电压,频率远远超出了最初试图在这些遗留节点。作为老节点设计变得更加复杂,有更大的风险,容易理解失败机制,如静电放电和封锁,可能不可靠…
文摘
本文讨论最近FIB电路改进编辑以及一般使用和优化技术。
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期刊文章

超导单光子探测器使低压了ICs的时间分辨发射测试

安德里亚·巴格谢哈塔,佛朗哥Stellari,Peilin歌
摘要技术文章(2016)18 (4):16 - 22。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016 - 4. p016
发表:2016年11月01
…,51(9), pp. 1455 62. 4. A. Weger, S. Voldman, F. Stellari, P. Song, P. Sanda, and M. McManus: Transmission Line Pulse Picosecond Imaging Circuit Analysis Methodology for Evaluation of ESD and封锁,Int, Rel。。计算机协会。(irp), 2003年,页99 - 104。5。美国Kasapi G.L.森林:电压噪声……
文摘
光电探测器技术的发展振兴时间分辨发射(过夜)技术在半导体失效分析。在这篇文章中,作者解释如何超导单光子探测器提高混乱关系测量的能力在14 nm FinFET技术和一个反相器链与电源电压0.4 V。
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期刊文章

失效分析:为什么和如何避免犯错误

大卫·伯吉斯
摘要技术文章(2014)16 (4):4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 4. p004
发表:2014年11月01
…的原因。机制与EOS包括,但不限于,介质击穿,I2R供热、第二破裂,封锁。在这种情况下,如果原因是EOS,破坏机理是什么?将过多的应用目前的设备生产观察损伤?(不跳……
文摘
半导体失效分析的工具的贸易过去几十年里,先进的快速成像带来了重大的改善,deprocessing和材料分析。与物理FA的进展,人们却很少关注失效分析过程本身。本文通过案例研究展示了如何简单的疏忽和误解可能导致代价高昂的错误。它还定义了基本的FA概念,提出了一种故障分析序列,描述每个步骤以及常见的陷阱和最佳实践。
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期刊文章

光子发射显微镜的基本知识

迈克尔·r·布鲁斯,维多利亚·j·布鲁斯
摘要技术文章(2003)5 (3):13-20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2003 - 3. p013
发表:2003年8月01
....72 - 76。20.t .青木和吉井:分析封锁全身的光电发射,Int。电子设备会议(IEDM), 1989年12月,页281 - 84。21。Lim和e . Tan:检测结飙升通过发射显微镜及其诱导封闭,Int, Rel。。计算机协会。(irp), 1988年4月,页119 - 25所示。22……
文摘
光子发射显微镜(PEM)已被证明是一个强大的工具为故障隔离和很好地适应了不断变化的技术和新兴的需求。在本教程中,作者描述光子发射的基本原理,典型的PEM系统的基本要素、程序参与各种类型的故障诊断。他们也广泛的光子释放缺陷进行分类并解释如何使用PEM背后倒装芯片封装设备的分析和诊断时间。
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