微切割和精密宽离子束技术的结合使故障分析人员能够以0.5 μm的精度制备特定部位的SEM分析样品。正如文章所解释的那样，微切割利用了单晶半导体衬底固有的切割特性。由于基板的质量明显大于工艺层，它决定了样品的整体横截面质量和精度。切割没有损失任何材料，保留了指定区域的完整性，并且可以对横截面的两侧进行分析。当切割因目标埋置或碎片位于截面表面而偏离时，在SEM分析之前，使用离子束蚀刻和涂层来微调切割位置并去除碎片。

故障分析的捷径有时是为了节省时间或金钱，或者因为设备或专业知识不可用。本文在四个方面提出了简单而有效的解决方案，包括预处理，FIB铣削，微切割和TEM样品制备，可以帮助分析人员解决或绕过这些情况。

许多标准的物理故障点隔离技术需要电刺激来驱动测试设备进入故障状态。该功能已经由台架测试电子设备提供了一段时间，但设备复杂性的增加正在导致向更复杂的设备(如模式发生器和逻辑分析仪)的迁移。随着引脚数和密度的进一步增加，一种新型的小足迹测试器正在出现。这些便携式系统，称为ASIC验证测试仪，有助于以相对较低的成本将ATE测试程序转移到故障分析实验室。