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微观结构

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微观结构和可靠性的Tin-Silver Micro-Copper支柱总成

穆罕默德Genanu,Babak Arfaei,埃里克·j·科特,弗朗西斯Mutuku,Eric美味极了…

摘要技术文章(2018)20 (1):20-31。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 1. p020

发表:2018年2月01

…他们获得的。他们解释如何创造测试样品来评估不同焊料成分、支柱几何图形,和热历史和评估其影响微观结构沉淀形态,金属间化合物层厚度和剪切强度。他们也存在热循环测试结果…

文摘

IBM工程师最近进行了一项研究,更好地理解和控制铜柱焊点的可靠性在2.5 - d包。在这里他们描述他们的方法和结果。他们解释如何创造测试样品来评估不同焊料成分、支柱的几何图形,对微观结构和热历史和评估他们的影响,沉淀形态、金属间化合物层厚度和剪切强度。他们也存在热循环测试结果对比硅和玻璃插入器的性能。

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高分辨率声学GHz显微镜

塞巴斯蒂安品牌,迈克尔Kogel,弗兰克•阿尔特曼

摘要技术文章(2018)20 (4):4 - 12。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 4. p004

发表:2018年11月01

…塞巴斯蒂安品牌;迈克尔Kogel;弗兰克•阿尔特曼工程师弗劳恩霍夫研究所微观结构的材料和系统构建和测试扫描声学显微镜(SAM)运行在2 GHz的频率。这里描述的设计他们的GHz-SAM和现在的例子…

文摘

工程师弗劳恩霍夫研究所的材料微观结构和系统构建和测试扫描声学显微镜(SAM)运行在2 GHz的频率。这里描述的设计他们的GHz-SAM和现在的例子展示如何使用它来检测压力诱导的空洞,检查导线债券接口,并检查在矽通过(tsv)时间分辨模式。

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锁定温度记录:一个多用途的失效分析的工具的太阳能电池

简•鲍尔,Otwin Breitenstein,Jan-Martin瓦格纳

摘要技术文章(2009)11 (3):6 - 12。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2009 - 3. p006

发表:2009年8月01

…Jan鲍尔Otwin Breitenstein, Jan-Martin瓦格纳的马克斯普朗克研究所微观结构物理,德国jbauer@mpi-halle.mpg.de介绍可再生能源研究目前是一个重大的挑战。近年来,世界范围内的晶体硅太阳能电池的产量增加了…

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锁定红外显微镜分辨率1.4μm使用固体浸没透镜

Otwin Breitenstein,弗兰克•阿尔特曼,托尔斯滕Riediger,迪特尔Karg

摘要技术文章(2006)8 (2):42。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2006 - 2. p004

发表:2006年5月01

…EDFAAO (2006) 2:4-13 SIL温度记录1537 - 0755 / 19.00美元©ASM 1.beplay体育官网地址4国际®锁定红外显微镜µm分辨率使用固体浸没透镜Otwin Breitenstein,奥特曼*弗兰克·托尔斯滕Riediger和Dieter Karg *马克斯普朗克研究所的微观结构物理、哈雷、德国* *弗劳恩霍夫……

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3 d热点定位锁定温度记录

塞巴斯蒂安品牌,弗兰克•阿尔特曼

摘要技术文章(2020)22 (2):29-35。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020 - 2. p029

发表:2020年5月01

…品牌定位,锁定温度记录塞巴斯蒂安和弗兰克•阿尔特曼弗劳恩霍夫研究所微观结构材料和系统的世界地图,哈雷,德国sebastian.brand@imws.fraunhofer.de介绍当今包发展包括系统包(SIP)方法,晶圆级封装巨头(…

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锡晶须的空间系统的风险评估

Maribeth梅森,Genghmun英格,马丁梁,加里Stupian,特伦斯杨紫琼

摘要技术文章(2012)14(1):14到20。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 1. p014

发表:2012年2月01

…现在和分析几个失败的例子由锡须形成空间系统引起的。版权©ASM国际®201beplay体育官网地址2 2012 ASM国际金属蒸气电弧长度分布模型风险评估空间系统镀锡微观结构锡须tin-copper锡…

文摘

锡须是单晶纤维,可以从废料铜或镍组件。本文讨论了镀层厚度的影响,组成、粒度锡须形成和解释如何评估损失潜在的微量分析的基础上,晶须长度分布模型和金属蒸气电弧风险因素。作者也呈现和分析几个失败的例子由锡须形成空间系统引起的。

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电子断层扫描和透射电子显微镜的三维方面

答:约翰马尔丁省

摘要技术文章(2005)7 (3):6 - 12。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005 - 3. p006

发表:2005年8月01

……?对于纯材料科学应用程序,完成随机横截面来推断总体三维的性质微观结构的材料。有时,需要做交叉分割在多个方向,但是我们的目标是相同的。当工作量化,分析……

文摘

透射电子显微镜(TEM)半导体过程开发中起着重要的作用,缺陷识别、产量提高,根源故障分析。然而,与此同时,某些工件的样品制备和成像线性扩展的TEM技术的障碍。本文评估这些挑战并解释如何使用电子断层扫描来克服它们。

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回顾2012年ISTFA小组讨论:失效分析的挑战3迪包装

戴夫Vallett

摘要技术文章(2013)15 (1):34。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013 - 1. p034

发表:2013年2月01

…材料IWM中心的应用微观结构必要的工具。因此,需要服务提供——诊断哈雷(Saale)、德国;安东尼奥ings从独立实验室可用奥罗斯科Neocera LLC在贝茨维尔,马里兰州。和小公司被提及是关键…

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TEM研究氧气分压影响早期LSM-YSZ表面相互作用在固体氧化物燃料电池

H.J.王,m·陈,Y.L.刘,库恩·l·赛尔,jr博文

摘要技术文章(2021)23 (2):22-32。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 2. p022

发表:2021年5月01

H.J.…王;m·陈;刘Y.L.;库恩·l·赛尔;jr Bowen长期稳定性研究表明,阴极退化是失败的一个主要机制anode-supported固体氧化物燃料电池。为了更好地理解微观结构阴极的降解机制和氧气的影响……

文摘

长期稳定性研究表明,阴极退化是失败的一个主要机制anode-supported固体氧化物燃料电池。为了更好地理解阴极的微观结构退化机制和氧分压的影响相关的操作温度,本文的作者获得了TEM技术样本细胞研究阳离子相互扩散机制和LSM-YSZ交互,特别是在地区LSM谷物与YSZ电解质接触。他们现在和解释结果。

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三维集成电路:进步更新,可靠性问题,和失败的机制

盖勒尼汉,大肠Jan Vardaman,格雷格•卡斯韦尔,克雷格·希尔曼

摘要技术文章(2014)16 (4):20 - 24。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 4. p020

发表:2014年11月01

....方法IMEC的研究人员报道,例如一个明确的共同用于沉积铜可以诱导应力。关系注入铜和铜TSV化学汽相淀积(CVD)为主微观结构。包含单个晶粒的tsv 22电子设备失效分析……

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裂开的突破:删除旧的新方法的局限性

Efrat穆瓦亚尔这样,Ekkehart Brandstadt

摘要技术文章(2014)16 (3):26-31。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 3. p026

发表:2014年8月01

…对于这样一个大的目标。它允许一个90°轧机和视图和FIB操作更容易。在第二个案例研究中,弗劳恩霍夫应用中心微观结构诊断接头nostics,[5]的目标是通过横截面上到下一排在矽通过(tsv),从最大的到最小的。(c…

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ISTFA:回顾

杰瑞·m·Soden

摘要技术文章(2005)7 (3):32-33。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005 - 3. p032

发表:2005年8月01

…等人的IBM。三篇论文获得优秀论文奖:亚微米薄二氧化硅薄膜缺陷失效分析技术和设备影响IBM的D.P. Vallett等人;超大规模集成金属化和分析微观结构通过高分辨率机械交叉分割和俄歇分析R……

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回顾2013年ISTFA小组讨论:失效分析和可靠性在光伏系统的挑战

山姆萨勃拉曼尼亚,埃德·凯斯

摘要技术文章(2014)16 (1):30 - 31。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2014 - 1. p030

发表:2014年2月01

…技术方面:材料:硅、CdTe,硒化铜铟镓-,砷化镓,有机光电微观结构:单晶、多晶或非晶板结构:刚性薄膜,或灵活,他补充说,这种多样性需要调优FA工具和技术为每个…

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抛光样品TEM分析使用三脚架抛光技术

摩根大通(J.P.本尼迪克特,.安德森,中华民国Klepeis

摘要技术文章(2000)2 (3):19。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2000 - 3. p012

发表:2000年8月01

…,板牙。Soc >,Proc。523年,匹兹堡,宾。,1998年,p 19。4所示。本笃,摩根大通(J.P. et al .,微观结构科学卷。23日,进步和应用金相学和表征的材料和微电子组件,Proc。28日技术。年会的Int。金相…

文摘

本文描述一个特定区域的样品制备技术在集成电路可以手动抛光TEM透明度。技术,称为三脚架抛光或楔形方法,产生横截面样本在几小时内,几乎不需要额外的TEM分析变薄。该方法也可以用来准备计划视图TEM样品以及样品的扫描电镜分析和光学显微镜。

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新兴技术对2 d / 2.5 - d / 3 d包失效分析:EOTPR, 3 d x射线,和血浆FIB函数

基督教施密特,杰西奥尔顿,马丁Igarashi),丽莎陈,爱德华·普林西比

摘要技术文章(2016)18 (4):30 - 40。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016 - 4. p030

发表:2016年11月01

…一个创新的故障隔离工具,Proc。60电子。Compon。抛光工艺。相依(ECTC), 2010年6月1 - 4(拉斯维加斯,NV), 1309 - 15页。13。j·迈克尔:聚焦离子束诱导微观结构改变:结构开发、晶粒生长和金属间化合物的形成,j . Microsc。Microanal。,2011,17, pp. 386...

文摘

样品制备的复杂性和deprocessing指数上升2.5 - d和3 d包的出现。本文提供了答案和见解的挑战如何应对日益复杂的半导体包。与最先进的FA确定紧迫问题和潜在瓶颈后流,作者提出了两个案例研究演示的功能光电太赫兹脉冲反射计(EOTPR)、血浆FIB铣、和3 d x射线成像。英足总结果证实这三种技术的潜力和表明完全无损的集成流3 d包可以实现进一步发展和优化。

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新兴技术对三维集成System-in-Package故障诊断

弗兰克•阿尔特曼,马提亚风格的作品

摘要技术文章(2012)14(2):14到20。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012 - 2. p014

发表:2012年5月01

…从几个µA picoamps到1.3。plasma-FIB (PFIB)图像分辨率较低束电流是< 30 nm,大电流的可实现的光斑大小是几个微米。由于PFIB铣削表面形貌和地方变化利率取决于材料和的影响微观结构…

文摘

失效分析越来越困难的出现3 d集成包由于其复杂的布局,不同材料、缩小尺寸,严格符合。本文演示了几个FA技术,包括高频扫描声学显微镜,锁定温度记录,FIB浆纱切片结合等离子体离子刻蚀或激光消融。详细的案例研究显示可以使用各种方法来分析不同材料之间的粘结完整性,到界面结构、埋互连缺陷,和在矽通过在设备或包级别。

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ISTFA 2014年总结

丹把

摘要技术文章(2015)17(1):24 - 27日。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2015 - 1. p024

发表:2015年2月01

…微观结构诊断,弗劳恩霍夫研究所的材料力学,哈雷,2014年德国)ISTFA最佳海报:应用程序和技术对二维微微秒成像电路分析佛朗哥Stellari, 1 Peilin歌曲,2和艾伦·j·Weger3 (1 ibm Research,纽约约克镇;2测试电路和诊断…

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40国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2014) 11月8日至14日举行,2014年在乔治·r·布朗会议中心在休斯顿,德克萨斯州。“探索故障分析的许多方面,”2014年ISTFA的主题,强调了不同性质的半导体失效分析在21世纪。技术会议、主题演讲和教程ISTFA 2014涉及广泛的话题从故障隔离和样品准备到极端环境失败和数字信号处理器的诞生。

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在多晶硅盖茨Monograin缺陷

蒂埃里Parrassin,洛朗•克莱门特

摘要技术文章(2018)20 (1):10 - 18。

DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018 - 1. p010

发表:2018年2月01

…或scanning-TEM (STEM)。图5 (b)和(c)不显示任何失败的晶体管和引用的区别。结论之前失败的晶体管没有异常,TEM暗场成像(图5 d)提供的定性结果微观结构:一个主要的取向差异……

文摘

软电力故障造成monograin缺陷可以产生重大影响收益率低于40纳米技术节点。此外,失败难以识别的缺陷给很少的签名在本地化测试。在这篇文章中,作者解释如何使用nanobeam衍射与自动晶体取向和相位映射确定单个晶粒取向导致的问题,因此,现在能够认识到这种类型的失败的症状,观察缺陷,限制了影响电时间利润通过设计和修正过程。

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