微分霍尔效应测量深度(DHEM)提供了概要文件的所有关键的电气参数通过半导体层在纳米级深度分辨率。本文描述了相对较新的方法并展示如何使用它来衡量流动性和载体浓度资料在不同的材料和结构。

本专栏反映了对手机有影响过程和包装技术和故障分析。

电路板容易受到广泛的恶意修改完成获得信息或恶意地影响控制。本文描述了各种方式攻击电路板可能发生并给出例子说明这种攻击看起来。它还提供总体指导方针保护电路板设计的完整性。

本文解释了氧化物陷阱和移动离子可以导致ICs时机和功能故障并提供见解和建议如何识别和处理潜在的问题。

本文讨论的基本原则SEM-based阴极发光(CL)光谱和展示了其在发展过程的有效性,统计过程控制和故障分析。技术在CL光谱是最明显的好处是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管作为反映在应用程序的例子。

本文综述最近的工作旨在描述软件出错影响SRAM电路用散装FinFETs硅制作的。加速试验6 t进行平面和FinFET-based SRAM细胞暴露他们高能中子和α粒子。根据测试结果和模拟,作者表明,在FinFET设备软件出错率要低得多,因为鳍的几何限制电荷收集。

这篇专栏文章解释说,与传闻相反,光子发射活得好好的,进一步丰富FA如果几个新方法成功。

测试和故障分析的第39次国际研讨会(2013年ISTFA)在圣何塞举行,2012年11月3 - 7,。本文总结了主题演讲中,技术项目、座谈会、教程、用户组会议,和设备博览会。

详细分析基于FIB蚀刻和SEM图像捕获进行倒装芯片焊点深处一个平板电脑。3 d视图重建从SEM图像显示什么似乎是一个铜柱焊帽连接到一个铜衬底上跟踪。调查人员认为,联合成立热压缩成键与preapplied填充不足。分析还揭示了孔隙的存在和金属间化合物化合物填充陷阱的迹象。

本文评估了进步,这在开发和实施在矽(TSV)技术,通过工作尚未完成,相关的挑战与潜在的失效机制。

光学二次谐波产生(宋惠乔)是一种非侵入性技术,提供信息界面性质和晶体缺陷。本文演示了使用功能减退的研究high-k电介质,绝缘体结构,化合物半导体,在矽通过。

反映在过去的45年的半导体失效分析,趋势线的专栏作家指出,倾斜多。然后他继续指出相对较少的不连续性,最新的,出现的“看不见的缺陷,”他回他的旅程的开始。

STEM-EBIC成像,nano-characterization技术,被用于电活性的研究缺陷,少数载流子扩散长度、表面复合速度和尺度Si pn结。在这篇文章中,作者解释如何STEM-EBIC系统,开发和制造,然后用来确定InGaN量子井的连接位置。他们还开发了一个小说FIB-based样品制备方法和一个定制的样品架,便于同时Z-contrast集合,EBIC,能量色散光谱图像。pn结的相对位置对量子阱被发现19±3海里的中心。

似乎扩展芯片技术根据摩尔定律将继续为数字功能(逻辑和内存);然而,增加系统集成芯片和包装上的水平,被称为“摩尔多,”已经在过去的几年里。这个全球半导体行业的强劲趋势使更多的功能,通过创建智能微系统多样化,价值更高。本文讨论3 d芯片的FA面临许多挑战,在素质和装备FA实验室是至关重要的。此外,英足总正在成为一个重要的战略因素对新产品,不仅仅是另一个“成本因素”。

扫描非线性电介质显微镜(SNDM)是扫描探针技术测量探针尖端之间的振荡频率的变化和voltage-biased样本。随着探测器在半导体器件表面,振荡频率的变化对介电性能的变化,电荷和载体密度、掺杂剂浓度、界面状态,或任何其他变量影响当地的电容。在过去的几年中,日本东北大学的研究人员在电介质显微镜多次改进,最新的数字版本被称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)。他们描述他们的新技术和现在的应用程序中使用它获得的简历,d C / d V-V, dlt SiO 2 / SiC接口数据样本。

其次是电子束感生电流电压对比成像是一种有效的方法来隔离集成电路故障。本文简要回顾了物理学的信号生成技术,提出了几个例子说明如何强大的组合有利于先进的缺陷定位。

本案例描述遇到的困难和挑战失败分析人士在他们几乎长达一年的调查在介电薄膜开裂的原因。尽管趋势微电子使用更加昂贵和复杂的设备,进行了这次调查只使用扫描电镜和光学显微镜观察加上持续的侦探工作,最终发现了。

第38届国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2012)在凤凰城,亚利桑那州。,2012年11月11日- 15日。本文总结了主题演讲中,技术项目、座谈会、教程、用户组会议,和设备博览会。

本文讨论了热载流子注入的影响,偏见温度不稳定,和时间依赖介质击穿FinFET性能和可靠性。

本文讨论了扫描电子束技术的使用,如EBIC IBIC, OBIC edge-termination优化设计结构在垂直GaN和沃甘功率二极管。