本文提出了一种nanoprobing方法,利用高速脉冲特征在SRAM细胞。作者描述了测试系统的基本设置和证明其使用six-transistor细胞失败。方法减少了故障定位时间和减少的可能性deprocessing过去的失败,因为测试是在金属化层1。位的反应的形式捕获模拟电流测量,导致失败的一个独特的签名。

本文讨论的挑战与nanoprobing先进技术节点设备和解释了如何优化梁电压的扫描电镜图像100 eV或更少。

集成电路技术的进步使失败的网站本地化极具挑战性。的作者通过一系列的案例研究,本文展示如何使用EBIC / EBAC能够克服这些挑战,当前的成像,和nanoprobing。案件涉及范围广泛的问题,包括电阻链缺陷,底物渗漏、微裂缝、微污染,和开放的失败由于镀铜问题和失踪的通过。

扫描电容显微术(SCM)和nanoprobing晶体管级隔离和理解失败的关键工具。在这个案例研究中,SCM和nanoprobing是用来确定簇状的电特性的失败后14 nm SOI FinFET存储器标准FIB截面成像未能透露任何可见的缺陷。

本文讨论的优点SEM-based nanoprobing和不同的方式可以用来定位缺陷与集成电路有关的失败。它描述了电子束感生电流的基本测量物理,电子吸收,和电压分布对比成像和礼物的例子显示如何使用不同的方法来隔离低收入和高阻网站,短裤,并打开以及离子注入金属模式的缺陷。

探索在子- 100纳米领域需要新的工具和技术,相对容易学习如果用户遵循本文的作者的建议。作者提出一个基于扫描探针技术的探测方法和证明其使用90 nm晶体管失败由于成功地大门。他们还地址与样品制备相关的挑战,探头尖端污染和磨损,振动和漂移的影响。

Nanoprobing晶体管和电阻增加的重要性对设计调试和电气故障隔离。因此有必要理解的影响与电子束扫描一个电阻器或晶体管为了从nanoprobe测量得出有效的结论。在这篇文章中,作者表明,电子束能量高于4 keV暴露样本可以改变扩散电阻的值高达30%,可能在更低的电压发生变化的区域样本覆盖着更少的材料。本文还揭示了发生变化的原因。

三个案例研究涉及14 nm SRAM技术如何进步FIB浆纱切片和自上而下的分析可以补充nanoprobing和TEM断层扫描来确定失败的根源。在第一种情况下,内存失败是追溯到异常门概要文件。在第二种情况下,失败是由于金属线短,在第三个案例中,一个门缺陷。

最近的趋势在半导体失效分析需要结合使用不同的工具和技术,以获得更准确的数据的速度。本文描述一个新的工作流结合FIB, GIS, nanoprobing,所有在同一FIB倾斜位置。它还提供了使用工作流的两个例子。

本文提供了一个总结的四个用户组会议,发生在ISTFA 2011。总结覆盖关键参与者,演讲主题,讨论了从下列每组:第1组,聚焦离子束;组2、3 d包装和失效分析;组3,发现看不见的缺陷;和组4,Nanoprobing和电气特性。

原子力显微镜是一个一致的因素在过去十年的进步IC nanoprobing和失效分析。在那个时候,许多新的原子力测量技术采用了集成电路分析社区,包括扫描电导、扫描电容,脉冲电流电压,capacitance-voltage光谱学。最近,两个新技术的出现:钻石探头铣和静电力显微镜(EFM)。作为这篇文章的作者解释,钻石使用原子力显微镜探针铣削是一种很有前途的新方法原位,本地化,ICs的精密机构扁平化,而主动EFM是本地化的无损替代EBAC显微镜在集成电路分析。

本文编制2013年举行ISTFA用户组会议总结,包括接触器故障隔离用户组,聚焦离子束用户的组,样品准备/ 3 d包用户组,和Nanoprobing用户的组。对于每一个会议,一个简短的概要陈述和随后的对话框。

本文提供了一个总结报告给出的四个用户组会议ISTFA 2012。每一个用户组都集中在下列主题之一:nanoprobing,非接触式故障隔离,聚焦离子束和样品制备。

本文总结了从四个用户组会议主要讨论点ISTFA 2009举行的会议。解决的主题是“光学技术:增长和限制,”“解决Nanoprobing 45 nm和超越:新的挑战,”“撒小谎,”和“快速ASIC故障隔离:效率和准确的解决软件故障隔离。”

第44届国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2018)在凤凰城,亚利桑那州。,2018年10月28日- 11月1日。本文总结了高光和标识事件的元凶之一。它还包括一个总结小组讨论的主题“失败值得分析。“这结尾讨论了聚焦离子束,样品制备,和非接触式故障隔离/ Nanoprobing用户组会议举行的会议。

第三扩展欧洲失效分析网络(EUFANET)车间、“智能FA在电子设备新材料”在德累斯顿举行,德国,台北,2012年9月。本文总结了事件的亮点展示灵活的有机电子,在碳化硅晶体缺陷,nanoprobing,纳米x射线断层扫描的能力。

一些强调技术用户的组织在2014年ISTFA会面,讨论当前的问题和他们感兴趣的领域的进步。本文总结了非接触式的讨论要点故障隔离用户组,Nanoprobing用户的组,样品准备/ 3 d包用户组,和FIB用户的组。

45国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2019)是在波特兰举行,俄勒冈州,2019年11月10 - 14。本文简要总结和识别关键贡献者。它还包括突出就职会议的小组讨论妇女在电子产品失效分析(分析)和小组讨论“失效分析工程师人工智能是什么意思?”The article concludes with a brief recap of each of the four User Group meetings that took place during the conference: Sample Prep, System on Package, FIB/Circuit Edit, and Nanoprobing.

本文提供了一个回顾和总结edfa的虚拟用户组车间在2021年1月举行。总结覆盖关键参与者,演讲主题,讨论了聚焦离子束,样品制备,非接触式探测和Nanoprobing虚拟小组会议系统方案。

第43届国际研讨会进行测试和失效分析(ISTFA 2017)举行帕萨迪纳市加州,2017年11月5 - 9。本文总结了主题演讲中,技术程序、座谈会、教程、和用户组会议。