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光谱学

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期刊文章

同时局部电容电压分布和深电平暂态光谱学使用时间分辨扫描非线性介电显微镜

福田曹
EDFA技术文章(2022) 24(1): 17-28。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022-1.p017
发表:2022年2月1日
…)1:17-28 httpsdoi.org/10.31399/asm.edfa.2022-1.p017 1537-0755/$19.00©ASM国beplay体育官网地址际®17电子设备故障分析|卷24号。同时局部电容电压剖面和深电平暂态光谱学用时间分辨扫描非线性介电显微镜…
摘要
扫描非线性介电显微镜(SNDM)是一种扫描探针技术，测量探针尖端和电压偏压样品之间振荡频率的变化。当探针在半导体器件表面移动时，振荡频率会随着介电特性、电荷和载流子密度、掺杂剂浓度、界面状态或影响局部电容的任何其他变量的变化而变化。在过去的几年里，东北大学的研究人员对介电显微镜进行了几项改进，最新的改进是一种称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)的数字版本。在这里，他们描述了他们的新技术，并介绍了一个应用，其中它用于从sio2 /SiC界面样品中获取CV, dc /d V-V和DLTS数据。
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期刊文章

能量色散x射线光谱学微电子失效分析

罗伯特·洛瑞
EDFA技术文章(1999) 1(4): 15-17。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999-4.p015
发表:一九九九年十一月一日
…污染物时，SEM产生的电子束可用于获取必要的信息。正如文章所解释的，这是被称为能量色散x射线的方法背后的基本概念光谱学(EDS或EDX)及其广泛应用的关键。此外，文章提出了三个……
摘要
电子设备故障分析通常从电气测试开始，然后通过光学显微镜进行目视检查，然后在扫描电子显微镜下进行检查。当成像显示需要确定材料的组成、缺陷和可疑污染物时，扫描电镜产生的电子束可以用来获得必要的信息。正如文章所解释的，这是被称为能量色散x射线光谱(EDS或EDX)的方法背后的基本概念，也是其广泛使用的关键。此外，本文还介绍了三个例子，展示了SEM/EDS测量如何帮助故障分析人员识别模具样品上的人为污染物，确定晶圆片上薄膜堆中嵌入的颗粒的来源，并得出结论，焊料模附预成型的铅飞溅导致线键升高。
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期刊文章

共振增强纳米红外表征半导体中有机纳米污染光谱学(AFM-IR)

Anirban罗伊，杰伊•安德森
EDFA技术文章(2017) 19(2): 31-34。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-2.p031
发表:2017年5月1日
…Anirban罗伊;本文讨论了共振增强AFM-IR的发展光谱学并验证了其在含有纳米级皮肤颗粒和聚酯污染物的硅测试晶片上的有效性。本文讨论了共振增强AFM-IR的发展。
摘要
本文讨论了共振增强AFM-IR光谱的发展，并证明了其在含有纳米尺度皮肤颗粒和聚酯污染物的硅测试片上的有效性。
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期刊文章

GaN hemt中温度的测量:一种基于拉曼的方法光谱学

伯特兰Boudart，亚尼克Guhel
EDFA技术文章(2019) 21(2): 10-14。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-2.p010
发表:2019年5月1日
…伯特兰Boudart;本文描述了一种测量GaN hemt中温度的新技术。该方法基于拉曼理论光谱学以及使用氧化铈颗粒，当用紫外激光扫描时，氧化铈颗粒就像微型拉曼温度计一样。正如文章所解释的，声子线…
摘要
本文介绍了一种测量GaN hemt中温度的新技术。该方法基于拉曼光谱和使用氧化铈颗粒，当用紫外激光扫描时，氧化铈颗粒就像微拉曼温度计一样。正如文章所解释的那样，由于拉曼散射引起的声子线位移用于估计氮化镓层的温度，而表面温度则通过氧化铈颗粒获得。研究结果还证实，分布在半导体和金属表面的颗粒不会改变GaN器件的电特性。
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期刊文章

集成电路的大面积自动去处理:现在与未来

E.I.普林西比，Z.E.罗素，钢桁架DiDona，m . Therezien，B.W. Kempshall…
EDFA技术文章(2019) 21(3): 8-14。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-3.p008
发表:2019年8月1日
…气体辅助蚀刻的进步，离子源的替代品，紧凑光谱学以及高速激光器。本文论述了大面积集成电路去处理的现状，自动化去处理设备的最新发展成果，以及对大面积集成电路去处理的潜在影响。
摘要
本文讨论了大面积集成电路去处理的现状，自动化去处理设备发展的最新成果，以及气体辅助蚀刻、离子源替代、紧凑光谱和高速激光等技术进步的潜在影响。
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阴极发光的进展:半导体晶圆厂和FA实验室的最新进展

基督教Monachon，马修·j·戴维斯
EDFA技术文章(2020) 22(4): 28-33。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-4.p028
发表:2020年11月1日
…基督教Monachon;本文讨论了基于sem的阴极发光(CL)的基本原理。光谱学并演示了它在工艺开发、统计过程控制和失效分析中的有用性。这些技术的好处在于CL光谱学…
摘要
本文讨论了基于sem的阴极发光(CL)光谱的基本原理，并证明了它在工艺开发，统计过程控制和失效分析中的有用性。从应用实例中可以看出，CL光谱优势最明显的技术是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管。
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用于先进半导体材料分析的微热量计EDS

Birgit Simmnacher，Rainer Weiland，Hohne Jens，弗朗茨诉菲利奇案，基督教霍尔瑞斯
EDFA技术文章(2005) 7(2): 30-34。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2005-2.p030
发表:五月一日
…Birgit Simmnacher;Rainer Weiland;Hohne Jens;弗朗茨诉菲利奇案;基于微热量计的能量色散光谱学是半导体材料分析的一个突破。它的能量分辨率小于10 eV，可以明确地识别元素…
摘要
基于微热量计的能量色散光谱是半导体材料分析的一个突破。由于能量分辨率小于10 eV，它可以明确地识别低能量范围(< 3kv)的元素，到目前为止，这需要波长色散技术。
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期刊文章

正电子束作为半导体工业有效的无损分析工具

曼弗雷德·芬克，杰里米•约翰逊，S.V.阮
EDFA技术文章(2017) 19(2): 10-20。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-2.p010
发表:2017年5月1日
…曼弗雷德·芬克;杰里米·约翰逊;S.V. Nguyen正电子光谱学可以识别金属和半导体内部的缺陷，其分辨率优于单个原子晶格位置。本文讨论了正电子湮灭的基本原理和实现光谱学还有一把钥匙……
摘要
正电子光谱可以识别金属和半导体内部的缺陷，其分辨率优于单个原子晶格点。本文讨论了正电子湮灭光谱的基本原理和实现，以及使其成为半导体应用中更有用的工具的关键发展。
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CMOS图像传感器像素中不可见污染物的发现:DCS技术

Florian Domengie，皮埃尔·莫兰，丹尼尔Bauza
EDFA技术文章(2012) 14(4): 4 - 11。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012-4.p004
发表:2012年11月1日
…Florian Domengie;皮埃尔·莫林;本文讨论了暗电流的基本原理光谱学(DCS)，一种测量技术，可以检测和识别CMOS图像传感器中的低水平金属污染物。给出了用DCS来确定…
摘要
本文讨论了暗电流光谱(DCS)的基本原理，这是一种可以检测和识别CMOS图像传感器中低水平金属污染物的测量技术。文中给出了用DCS测定图像传感器中钨和金污染物的浓度并估计每种金属的单个原子产生的暗电流的实例。
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期刊文章

路线图:硅半导体工业分析计量的前沿

托马斯•沙夫纳，大卫西勒
EDFA技术文章(2001) 3(1): 4-9。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001-1.p004
发表:二一年二月一日
…光谱学是半导体行业使用的前三大光学工具。这些数据包括化合物半导体和硅。与此相关的是污染、杂质和物理缺陷，它们会反复出现。通常，小颗粒和lms的无机分析被降级…
摘要
1997年国家半导体技术路线图(NTRS)和1999年国际半导体技术路线图(ITRS)包括概述未来五年及以后硅半导体行业计量需求的章节1。巨大的挑战包括可负担的规模、新材料和结构、产量和可靠性。虽然这些类别中的附加要求是详细的，但分析专家或计量设备供应商通常很难将这些重大挑战转化为分析应用或仪器开发成功的详细和有意义的路线图。单个计量活动的影响路径并不总是清晰的。
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期刊文章

单片机和SCS在故障分析中的应用

哈尔爱德华兹
EDFA技术文章(2001) 3(2): 15-17。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001-2.p015
发表:五月一日
…扫描电容光谱学扫描电容显微镜(SCS)是一种利用扫描电容显微镜(SCM)描绘硅器件pn结的新方法。SCS生成二维pn结图，其特征小至10纳米。它还可以估计pn结耗尽宽度，因此…
摘要
扫描电容光谱(SCS)是利用扫描电容显微镜(SCM)来描绘硅器件pn结的一种新方法。SCS生成二维pn结图，其特征小至10纳米。它还可以估计pn结耗尽宽度，从而估计结附近的掺杂水平。本文解释了SCS和scm如何允许在Si器件和ic中探索全新的掺杂相关现象。
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期刊文章

太赫兹成像:一种检测和质量控制的新技术

丹尼尔·米特
EDFA技术文章(2001) 3(2): 1-12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2001-2.p001
发表:五月一日
…本文讨论了太赫兹时域的基本原理光谱学(THz-TDS)以及THz-TDS系统中关键部件的功能和局限性。它还提供了太赫兹- td成像单独使用和与其他分析方法结合使用的一些方法的示例。
摘要
本文讨论了太赫兹时域光谱(THz-TDS)的基本原理，以及太赫兹时域光谱系统中关键部件的功能和局限性。它还提供了太赫兹- td成像单独使用和与其他分析技术结合使用的一些方法的示例。
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期刊文章

利用EBIC技术在扫描透射电子显微镜下定位pn结

克里斯汀·李·邦克，特里·j·斯塔克，戴尔的后面，胡安·卡洛斯·冈萨雷斯，菲利普·e·罗素
EDFA技术文章(2002) 4(4): 29-33。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002-4.p029
发表:十一月一日
…同时收集z对比、EBIC和能量色散光谱学图像。pn结相对于量子阱的相对位置为距量子阱中心19±3 nm。版权所有©ASM Intbeplay体育官网地址ernational®2002 2002 ASM International电子束感应电流…
摘要
STEM-EBIC成像是一种纳米表征技术，已被用于研究Si - pn结的电活性缺陷、少数载流子扩散长度、表面复合速度和不均匀性。在本文中，作者解释了他们如何开发和构建STEM-EBIC系统，然后他们使用该系统来确定InGaN量子阱LED的结位置。他们还开发了一种新的基于纤维纤维的样品制备方法和定制样品支架，促进同时收集z对比，EBIC和能量色散光谱图像。pn结相对于量子阱的相对位置为距量子阱中心19±3 nm。
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期刊文章

电子衬底中过孔-陶瓷附着力差的鉴定

沃尔特Dauksher，斯科特•伯顿，大卫·奈尔斯，丹尼斯·h·伊顿
EDFA技术文章(2002) 4(1): 5-10。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2002-1.p005
发表:2002年2月1日
…他们用有限元分析法计算应力集中系数，用光学显微镜检查断口表面，并用电子显微镜证明了他们的假设光谱学测定化学成分。成功的结果证明了实力标准作为评估的调查工具的价值。
摘要
机械弯曲强度测量是陶瓷基板封装设计质量筛选过程的一部分，揭示了两种基板之间的显着差异，这种差异不能归因于组成材料或结构厚度效应。结构分析产生了一个假设，即金属过孔在结构上没有粘附到陶瓷孔上，从而导致应力集中，降低了基板的弯曲强度。在这个详细的案例研究中，作者解释了他们如何使用有限元分析来计算应力集中系数，光学显微镜来检查断裂表面，以及电子能谱来确定化学成分来证明他们的假设。成功的结果证明了强度标准作为评估电子封装衬底质量的研究工具的价值。
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期刊文章

EDS在硅集成电路制造及失效分析中的应用述评

赖Li-Lung
EDFA技术文章(2011) 13(2): 20-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011-2.p020
发表:2011年5月1日
…本文提供了一个实用的能量色散概述光谱学(EDS)及其在半导体器件制造和失效分析中的各种用途。它解释了EDS技术的典型实现方式，比较和对比了不同的方法，并讨论了…
摘要
本文提供了一个实用的概述，能量色散光谱(EDS)及其在半导体器件制造和失效分析中的各种用途。它解释了EDS技术的典型实现方式，比较和对比了不同的方法，并讨论了决定空间和能量分辨率、测量深度、灵敏度、信噪比和易用性的因素。
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期刊文章

TEM样品制备中FIB原位升出的变化

谢丽尔Hartfield，马特锤，冈萨洛Amador，汤姆•摩尔
EDFA技术文章(2011) 13(3): 18-26。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011-3.p018
发表:2011年8月1日
…全息摄影，断层摄影，高角度环形暗场扫描和电子能量损失光谱学。在大多数情况下，实现最佳质量需要使用交替的FIB铣削角度，如平面、侧面和背面铣削，所有这些都在讨论中。这篇文章讨论了……
摘要
本文讨论了基于fib的原位提出的实践，这是一种已被证明对失效分析特别有用的样品制备方法。它解释了现在如何为广泛的TEM技术制作样品，包括全息摄影，断层扫描，高角度环形暗场扫描和电子能量损失光谱。在大多数情况下，实现最佳质量需要使用交替的FIB铣削角度，如平面、侧面和背面铣削，所有这些都在讨论中。
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期刊文章

原子力显微镜的新兴技术:金刚石铣削和静电力显微镜

Stephen使役动词，肖恩·朱姆沃尔特“，安迪•埃里克森
EDFA技术文章(2015) 17(3): 4-10。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2015-3.p004
发表:2015年8月1日
…扫描电导，扫描电容，脉冲电流-电压和电容-电压光谱学。最近，出现了两种新技术:金刚石探针铣削和静电力显微镜(EFM)。正如文章的作者所解释的那样，金刚石探针铣削使用原子力…
摘要
在过去的十年中，原子力显微镜一直是集成电路纳米探测和失效分析的一个重要因素。在此期间，许多新的原子力测量技术被集成电路分析界所采用，包括扫描电导、扫描电容、脉冲电流-电压和电容-电压光谱。最近，出现了两种新技术:金刚石探针铣削和静电力显微镜(EFM)。正如文章的作者所解释的那样，使用原子力显微镜进行金刚石探针铣削是一种很有前途的原位、局部、精确去除IC分层的新方法，而主动EFM是一种非破坏性的替代EBAC显微镜来定位IC分析中的开口。
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期刊文章

铸造业务背后的失效分析实验室

琼斯涌
EDFA技术文章(2011) 13(4): 50-51。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2011-4.p050
发表:11月1日
…工作台、IC封装解封装工具等都是必备物品。一些铸造分析实验室可能配备无损IC封装分析能力，如声学显微镜和x射线。更豪华的FA实验室提供透射电子显微镜，俄歇/电子光谱学…
摘要
本专栏将解释如何建立和运行一个成功的基于铸造厂的故障分析实验室。
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期刊文章

G-19更新:假冒零件检验产生的测试和检验数据的管理

Bhanu Sood，保拉·乔治
EDFA技术文章(2012) 14(2): 28-29。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2012-2.p028
发表:2012年5月1日
…解封装和破坏性物理分析电气测试各种技术，如傅里叶变换红外，拉曼，和x射线光电子光谱学扫描声学显微镜扫描电子显微镜和光学检查放射学…
摘要
假冒电子零件已成为电子零件供应链中一个重要的问题。导致造假者瞄准电气、电子和机电(EEE)零件市场的几个因素包括零件过时、交货时间延长、缺乏验证工具、报废或回收零件的可用性以及与检验/测试程序相关的高成本。本文报道了SAE国际G-19委员会为应对供应链中越来越多的假冒零件而制定标准的现状。
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期刊文章

用TEM表征VLSI的最新进展

弗里德·鲍曼
EDFA技术文章(2019) 21(3): 26-32。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-3.p026
发表:2019年8月1日
…，noise reduction processing for low dose EELS mapping of ultra-low-k materials, and EDX tomography for elemental 3D imaging of defects on a nanometer scale. Copyright © ASM International® 2019 2019 ASM International electron diffraction electron energy loss光谱学基本电子…
摘要
在过去的二十年里，透射电子显微镜已经以各种方式得到了改进，从而产生了新的表征技术。本文讨论的创新包括场发射枪的引入，CCD相机和x射线探测器的结合，以及透镜校正系统的使用。通过新的TEM技术的出现，这些改进对失效分析产生了重大影响，包括用于晶粒和应变分析的进动电子衍射，用于超低k材料的低剂量EELS测绘的降噪处理，以及用于纳米尺度上缺陷元素3D成像的EDX断层扫描。
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