本文主要关注high-sputter-rate的原理及应用动态二次离子质谱(SIMS)进行深度分析和大量杂质分析。它开始于各种因素与溅射的概述。这是紧随其后的是讨论的影响离子注入和电子激发的电荷气急败坏的物种。各种工具组件的设计和操作的模拟人生了。depth-profiling SIMS分析细节,SIMS数据的定量分析,静态的操作模式的飞行时间西姆斯。提出了仪器功能所需的二次离子成像和四极和高分辨率磁过滤器质量之间的差异。本文还回顾了非金属样本的最优方法分析和高检测灵敏度的西姆斯。它以讨论各种各样的西姆斯应用的例子。