低能离子散射谱(花环)广泛用于分析固体表面。花环过程依赖于二进制弹性碰撞事故离子束和原子样品表面原子获得信息。散射离子的速度是用来确定原子的质量。本文介绍了花环和其原则。它描述了使用花环光谱定性和定量分析,和评论花环的工具和应用程序。

二次离子质谱仪(SIMS),一个充满活力的束聚焦离子是针对样品表面高或超高真空(特高压)环境。转移的势头冲击的主要离子溅射样品表面原因表面原子和分子。本文主要关注高溅射率的原理及应用动态模拟人生深度剖析和大部分杂质分析。它提供了宽束信息工具、离子探针和离子显微镜,详细描述系统组件和插图。本文用图形说明了模拟人生各种材料的光谱和深度资料。离子注入剖面的定量分析,二次离子成像所需仪器特性,分析非金属样品,检测灵敏度,西姆斯的应用进行了讨论。

场离子显微镜(鳍)可用于研究三维结构的材料,比如金属和半导体,因为连续的原子层可以从表面电离和删除字段蒸发。离子删除字段从表面蒸发可以被耦合到分析化学显微镜单粒子飞行时间质谱仪的灵敏度,称为原子探针(美联社)。本文描述了原理、样品制备和鳍的定量分析。它还提供了信息原则,仪器设计和操作,质谱和他们解释,美联社微量分析的应用。

离子色谱法(IC)是一种分析技术,使用列挤满了离子交换树脂分离离子在水溶液和动态洗提一个检测器。本文提供的信息检测的不同的模式,即eluent-suppressed电导检测、单柱离子色谱法和电导检测离子色谱与光谱光度测量的检测和测量电流的电化学检测。它描述了模式分离技术在集成电路和反相集成电路。本文讨论了集成电路的检测功能,程序准备固体和液体样品,以及集成电路的应用。

Ion-beam-assisted沉积(IBAD)是指由物理气相沉积过程中蒸发原子同时被一个独立生成的离子通量。本文讨论了这一过程的能量利用率。它描述了物理和化学过程发生在真空薄膜界面IBAD双离子束溅射和插图。本文还回顾了方法用于大面积、大容量实现IBAD和IBAD电影形成的模式。它包含一个表,展示信息在沉积和无机化合物的合成IBAD和结尾讨论改善涂层性能,IBAD的优势,限制,和应用。

本文开头列出的因素影响物理气沉积薄膜的性质。它描述了离子镀所涉及的步骤,即表面准备、成核、界面的形成,和电影的增长。本文论述了影响因素的性质ion-plated电影。潜在的来源应用于衬底表面,轰击物种,沉积物种得到解决。本文还提供了参数影响的信息轰炸。总结与讨论的优势,限制,和离子镀的应用。

固体材料的离子注入涉及轰炸medium-to-high-energy电离原子和合金提供了能力几乎任何元素种类的近地表地区任何衬底。本文描述了离子注入过程,讨论了基础优势,限制,和离子注入的应用程序。还回顾了一些典型的媒介目前半导体离子注入机用于植入金属借助插图。

(离子)等离子体渗氮是一种表面硬化方法使用仪技术引入新兴的表面(元素)氮的金属部分随后扩散到材料。本文描述的过程和应用等离子体渗氮钢的方法。这些方法包括直流等离子体渗氮,脉冲电流等离子体渗氮,活跃屏幕等离子渗氮。这篇文章评论cold-walled和hot-walled炉用于等离子体渗氮。它提供的信息控制的重要性三个工艺参数:大气、温度压力,部分。这篇文章包括一个讨论氮浓度的影响情况下结构形成氮化钢,并解释微观结构的意义,渗氮层的硬度和疲劳强度。它还讨论了处理、实验室研究和应用的气体碳氮共渗钢。

本文简要叙述低能离子散射谱(花环)确定固体表面的原子结构。它刚开始描述的花环的一般原则。这是紧随其后的是一节提供的信息设备用于花环。不同的样品制备步骤,校准和数据分析讨论。本文结尾部分的应用程序和解释花环在材料分析,包括表面结构分析,讨论了炉料(Frank-van der Merwe)增长,和低能atom-scattering光谱学。

本文提出了一个详细的离子色谱法(IC)账户。以描述常见的分离模式集成电路的原则。这是紧随其后的是一段在不同模式的检测,即抑制电导检测、nonsuppressed电导检测、光谱光度测量的检测和电化学检测。各种分离模式集成电路描述。本文进一步提供信息在不同的洗脱液的物种,分析物的范围,在集成电路样品制备技术。结果通过提供信息工具和集成电路的应用和未来的发展方向。

本文旨在为读者提供一个了解潜在的科学、技术和最常见的应用程序聚焦离子束(FIB)工具。它开始于一项调查的各种类型的FIB仪器及其配置,讨论了基本组件,并解释它们的功能只有在它帮助运营商获得期望的结果。的组件是如何的解释离子光学柱形状和引导离子束然后提供所需的目标位置。本文还回顾了许多不同的配件和选项,使仪器,充分发挥其潜力的所有不同的应用程序。这是紧随其后的是一个物理过程的详细分析与离子束与样品相互作用。最后,一个完整的调查最著名的FIB应用程序。

本文主要关注high-sputter-rate的原理及应用动态二次离子质谱(SIMS)进行深度分析和大量杂质分析。它开始于各种因素与溅射的概述。这是紧随其后的是讨论的影响离子注入和电子激发的电荷气急败坏的物种。各种工具组件的设计和操作的模拟人生了。depth-profiling SIMS分析细节,SIMS数据的定量分析,静态的操作模式的飞行时间西姆斯。提出了仪器功能所需的二次离子成像和四极和高分辨率磁过滤器质量之间的差异。本文还回顾了非金属样本的最优方法分析和高检测灵敏度的西姆斯。它以讨论各种各样的西姆斯应用的例子。