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拯救全球资源通过提高能源效率是最重要的全球社会今天必须解决的问题。为了达到这个目标,一个主要目标是发展高效和可靠的电力电子设备提供所需的高性能的硬件组件。功率半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术正变得越来越重要,因为他们允许较小的尺寸、较轻的重量,更低的成本和更高的电力电子系统的效率。这些创新的组件,仍有许多问题需要解决关于缺乏鲁棒性和可靠性。这来自于重大的失败风险在制造业和因此可能形成障碍障碍在大众市场。高度集成的复杂性碳化硅和氮化镓设备需要深入理解缺陷形成和退化机制以及适应失效分析方法。
分享你的经验,推进行业和职业生涯49国际研讨会的测试和故障分析,总理微电子失效分析社区的活动。我们邀请你提交你的作品发表,目前行业在凤凰城,亚利桑那州,ISTFA 49年。
2022年ISTFA赢家
2022最好的纸
“激光差动电压探针:基本技术”的新方法
(新兴FA技术和概念)
Kristofor迪克森先生,NXP半导体
2022年优秀论文
“x射线设备变更使用扫描x射线显微镜”
(新兴FA技术和概念)
William Lo博士,NVIDIA
2022人参加最好的纸
“一个创新技术为半导体器件的大规模减少层级nanometric-scale表面平面度”
(样品制备和设备Deprocessing)
Pawel Nowakowski博士电子艺界Fischione仪器公司。
2022最好的海报
“Decapsulating小轮廓晶体管(说)包装设备使用丙烯酸成型技术”
约翰先生迈克尔•Saputil模拟设备
2022年优秀的海报
”应用程序的PVC和进步FIB铣识别自上而下看不见的SRAM高级节点设备上的缺陷”
奥斯汀夫人Wiwy Wudjud,三星半导体有限责任公司
2022视频大赛冠军
“智能手机3 d电影”
艾伦顾,卡尔蔡司显微镜
