2004摄影比赛

2004年摄影比赛得奖者

祝贺2004年的优胜者!
第一类:彩色图像

第一名:

史蒂夫·艾
飞思卡尔,亚利桑那州

传入的!这个射频设备在金属漏指处遭受了严重的电过度应力，导致了这种三维“爆炸”效果!这个事件已经结束了，还是还在进行中?

2:


林天翁

新加坡微电子研究所
颗粒在低K的晶圆上
介电薄膜。像火焰一样
缺陷看起来像汉字
“火”代表火。

3日:

雷Haythornthwaite

加拿大Semiconductor Insights
“爆炸”失效的发光二极管(LED)图像。

第二类:黑白图像

第一名:

Murali Hanabe, Sesil Mathew和Sridhar Canumalla

诺基亚,德州
芯片尺度封装(CSP)中的SnAgCu焊锡球被蚀刻掉，以显示CSP铜垫上的非湿润区域。图为Cu6Sn5扇形金属间相在Cu垫层上生长成树枝状Ag3Sn金属间相。Cu6Sn5金属间化合物也形成六角形棒状晶体。非湿润区域作为裂纹萌生点，有助于早期破坏。

2:



Jay Kopycinski

飞思卡尔,亚利桑那州

静电诱导过应力的扫描电镜图像
MOS晶体管栅极多晶硅的损伤。
可以看到熔融多晶硅拉伸
从门多边形(左)到源
接触面积。

3日:

布雷特·恩格尔和约翰·佩特鲁斯

IBM，纽约

三维扫描电镜图像描述热循环诱导剪切在隔离堆叠通过铜互连结构
第三类:虚假彩色图像

第一名:

Carl Wintgens和Michael Phaneuf

Wintgens - Semiconductor Insights，加拿大
Phaneuf - fiics，加拿大

EFTEM彩色图像的横截面通过铝金属线和W“插头”接触。在这幅图中，Si是蓝色的，Ti是红色的，TiN是黄色的。可以看到一个富含硅的结节，以及TiN屏障中可能导致“火山”形成的潜在失效点。

2:


奥利维尔·克雷佩尔，所罗门·伍兹和李·克瑙斯

Crepel -飞利浦，法国

Woods and Knauss -马里兰州，Neocera

磁场的分布
射频电感测量与一个
磁阻传感器。

3日:

Otwin Breitenstein

马克斯普朗克微结构物理研究所，德国

集成电路ESD应力后的锁相热图(t调制振幅图像，Tmax = 10 mK)。亮点是泄漏电流的位置，最弱的地方耗散约100微瓦。