2003年摄影比赛

2003年摄影比赛得奖者

祝贺2003年的优胜者!
第一类:彩色图像

第一名:

吉尔Garteiz

以色列塔半导体公司

背面延迟(倒置)0.18um设备的高磁位光学照片。这里我们看到硅化活性区域在顶部(白色)，多晶硅门在后面(蓝色)，金属(黄色)在下面的另一层。《金属2》更有深度，但没有对焦。

2:


Ang Chong Yong

安捷伦科技，马来西亚

这是CMOS图像外壳结构的一部分
传感器设备。一种圆形盖玻璃是由
在镜头支架上涂一些环氧胶粘剂。的
照片揭示了分层之间的效果
盖上玻璃和镜头架。成型
覆盖的玻璃，形成了一个彩色的迷你彩虹。

3日:

Varaporn Suwanmethanond

加州Gemfire公司

在密封性测试过程中，出现的气泡显示了包装中的泄漏位置。这就指出了盖子之间最薄弱的焊接接头区域
还有包装。

第二类:黑白图像

第一名:

弗兰克马提尼

Zilog,爱达荷州

菲利普XL30 SFEG拍摄的破坏性闭锁地点的扫描电镜图像。钨塞和硅变形，寄生双极形成诱发闭锁电流。采用平行抛光法和湿法蚀刻法对样品进行脱模处理。

2:


Jay Kopycinski

摩托罗拉,亚利桑那州

冲浪的上升-在金属痕迹电过度压力
造成铝液“波”回流
通过ILD缺口并固化成
这个三维结构。

3日:

马歇尔Hiew

AMD、马来西亚

高分辨率扫描电镜观察到一个突出在一个存储器阵列的列。显微照片放大倍数为150KX。
第三类:虚假彩色图像

第一名:

江遥遥发

输入法,新加坡

扫描电容显微镜(SCM)成像0.80 μ m n通道晶体管。不同的颜色代表不同的材料类型:紫色/粉红色的N，红色的P，绿色/黑色的氧化物和重掺杂材料。

2:

杰瑞·m·索登和小艾德·i·科尔。

桑迪亚国家实验室，新墨西哥州

射频二极管的地下OBIV信号
具有蕨类结构的缺陷。

3日:


王志勇，Rajen Dias, Jan Gaudestad, Antonio Orozco

王和Dias-Intel公司，亚利桑那州
马里兰州的Gaudestad和Orozco-Neocera

三维电流辉光。信号1通过光多路复用器金属密封圈外缘短接到信号9。电流密度图像显示通过短位置的平行电流路径，包括在密封圈中流动的电流。