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事件
摄影比赛
2006年
祝贺2006年的赢家!
第一名:
比尔明天MEFAS Inc .,森林湖,加州,美国EOS受损的砷化镓衬底上薄膜电阻器。
2:
拉梅什Kuchibhatla半导体的见解,Kanata,加拿大安大略省光学的地形视图激光透过镜头结束。
3日:
文森特·刘微米半亚洲,新加坡钝化层离
圣扎迦利Gemmill美国国家半导体公司,美国加州圣克拉拉“动脉硬化”。FIB cross-section of a copper wire showing oxidation layers after thermal stress. (secondary electron image taken with the ion beam)
钟诺尔销乔伊PhuaAMD、新加坡这表明SOI器件的晶体管。芯片是deprocessed从与体硅背后,盒子和活性硅移除,揭示了频道,氮化硅垫片和阿。这是用于salicide缺陷检查背后的死亡。
苏布朗半导体的见解,Kanata,加拿大安大略省SEM的树突增长IC的表面
Tsan-Cheng壮族Cha-Ming沈乔恩·c·李台积电,台南,台湾,中华民国SCM形象(扫描电容显微镜)表明,P +掺杂浓度/分布异常显示在VDD节点。
拉梅什Kuchibhatla半导体的见解,Kanata,加拿大安大略省光学图像的III-V LaserDiode使用线性地方创建Equilization技术。
哈迪Winata微米半亚洲,新加坡背后发射