2008摄影比赛

2008年摄影比赛得奖者

祝贺2008年的获奖者!
第一类:彩色图像

第一名:

哈米德·沙尼
COM DEV国际有限公司，剑桥，安大略省

这张照片是从氧化铝PCB的镀金孔中拍摄的。这张照片的意义在于表明镀金上的裂纹是由氧化铝衬底引起的。照片是对焦拍摄的
通过扩展的10密耳的景深，从横切面上沿着裂缝。

2:


卡尔钉

国家半导体公司，加州圣克拉拉
由于铜枝晶生长，两个焊盘短路
这是由PCB制造过程中的酸残渣引起的
的过程。板是背景，从
背面通过剩余的板树脂。暗视野
照明,200 x。

3日:


肯•特纳

Hi-Rel实验室，斯波坎，华盛顿

场效应晶体管中的铜枝晶，起因于集管材料的腐蚀。

第二类:黑白图像

第一名:

拉斐尔·韦尔塔

国家半导体公司，加州圣克拉拉

ESD的根源。这是设备上发射器/收集器区域之间的ESD损坏/短路。硅已从发射极短路区迁移到集电极区。

2:


迈克尔·德雷克

英特尔公司，钱德勒，亚利桑那州

“海星”腐蚀形成的扫描电镜图像
主板插座j引线导致触点过高
电阻/打开失败。

3日:

Jérôme庞斯和内森·福尔松

纳米实验室技术公司，加州圣何塞

图像代表了一个多聚水平的缺陷。
第三类:虚假彩色图像

第一名:


娜塔莎·厄德曼医生和维恩·罗伯逊

JEOL USA，皮博迪，马萨诸塞州

一个EBSD(电子背散射衍射)地图的电线键合，显示晶粒尺寸和晶体晶粒取向。颜色代表晶体的相对关系
它们在x, y,z (H,K,L)坐标系中相对于另一个在三维空间中的位置。的横截面
用JEOL CP离子抛光机对样品进行了抛光。

2:

吉姆•科尔文

FA仪器，圣何塞，加利福尼亚州

OBIC/SIFT激光组合分析
在654nm处扫描一个多聚电阻。没有信号
使用TIVA/OBIRCH在该地区发现
技术风格。INSB热示
在右上方的插入图像识别
泄漏源。

3日:

罗杰Yacobucci

LSI公司，科罗拉多州柯林斯堡

位于密封圈顶部金属层和两个输入缓冲器之间的损伤激光扫描显微镜图像。倒装芯片器件在仍然附着在封装基板上时进行了脱模处理，并且从机械减薄器件的背面查看。