2009摄影比赛

2009摄影比赛得奖者

祝贺2009年的获奖者!
第一类:彩色图像

第一名:

．

黛博拉·罗梅罗
国际整流器公司

电力设备解封装后的EOS站点图像。它看起来像一个笑脸。

2:


哈米德·沙尼
中展国际有限公司

这张照片是从a的冲平端子触点拍摄的
蚀刻后的隔离器。由于脱金不足，金锡不足
在焊接过程中形成了金属间化合物。
接头的脆化导致焊料出现裂纹。

3日:


金元高
国家纳米实验室中心

具有效率失效的太阳能电池结构的光学显微镜视图。

第二类:黑白图像

第一名:

杨国鹏，马正坤，王志勇
英特尔Corporaiton

在组装的倒装芯片封装中，暴露了造成2个一级互连凸点之间短的花瓣状金属薄片。

2:

罗伯特·威尔金，惠特尼·韦斯特，泰勒·伦齐
微米

氮化镓薄膜用260C蚀刻8分钟
氢氧化钾来测定它们的密度
电影中出现的不同类型的脱位。

3日:

杰克Borgeson
古德里奇

较低区域的断裂线可以识别控制IC物理应力的起始点。IC热失效，金属化从结构中回流，留下了美洲原住民悬崖民居的外观，如亚利桑那州的Hohokam。
第三类:虚假彩色图像

第一名:

Sumanth Thirunavukkarasu, Jerome Pons
nonalab技术

印刷电路板压装引脚的三维层析成像。单按配合销在侧面显示不同程度的褪色，以显示不同深度的细节。

2:

Natasha Erdman博士，N.菊池，R. Campbell
JEOL美国

钝化金属线的电压对比
(“手指舔”)IC。蓝色线是接地线，橙色线
行自由浮动。SE图像使用0.3 kV，然后伪彩色。

3日:

Valentin库利科夫

图片显示的光电发射中心，由Hamamtsu Phemos-1000显微镜获得，在CMOS电路的输出二极管。该二极管导致引脚泄漏，导致CMOS单元故障。发现并确定其根本原因是活跃区边界残留的多晶硅，加上KOI缺陷导致二极管。