2010摄影大赛

2010摄影大赛获奖作品

祝贺2010年的获奖者!
第一类:彩色图像

第一名:

托马斯Zirilli
飞思卡尔半导体法国SAS

硅晶片背面的光学图片给了逻辑电路一个很好的“窗口视图”。物理表征过程中的中间步骤可以通过化学降解来完成。

2:


艾尔·梅里诺，丽贝卡·伯金
在半导体

我应该走哪条路?

莱特斯蚀刻硅

3日:


Tom Lesniewski, Nicholas Saintarbor，
本•里德
诺斯罗普·格鲁曼公司

刷销连接器与尖端上的异物接触的自上而下照片。异物的蓝绿色是铜合金腐蚀副产物的标志。

第二类:黑白图像

第一名:

chiistophe DeNardi，泰利斯国际空间站和
法国中央研究中心的菲利普·珀杜

一颗恒星诞生了。运算放大器的重离子损伤:电离路径导致电容短路。通过二次电子成像，在电容氧化水平上定位和去层后，形成了亚微米星状。

2:


摩根·卡森，大卫·卡恰兰扎
意法半导体

高远的可乐!FIB截面损坏
功率DMOS电池。排水触点
被推入硅
发生电压力过大事件
在设备输出端。化学
装饰显示当前路径
漏液侧对基板，不带
涉及门和源连接器。

3日:

凯文Polito
高能耗的实验室

动态元件上从模具键下挤出的大晶须的S.E.M显微照片。一种潜在的导电外来粒子，如果它脱离，就能连接非普通元素。注意从键合垫金属化处开始挤压出更多的小晶须。
第三类:虚假彩色图像

第一名:

朱利安Goxe
飞思卡尔半导体法国SAS

这是一个扫描电镜图片的横截面电子元件显示金属颗粒嵌入在模具化合物。这是一个潜在的缺陷，在两个相邻的连接线之间造成了泄漏。伪彩色背散射电子图像使不同的粒子相清晰可见。

2:


Herve Deslandes博士
常规心电图系统

FA仪器，圣何塞，加利福尼亚州

NVIDIA图形设备。试图发现
设备内部需要几个mOhms
使用极低电阻的导线
他们是边做边点燃的人
实时锁定热成像。

3日:

卡尔Wintgens
UBM TechInsights

在功率MOSFET的深层p型隔离结构中变化掺杂浓度的3D可视化。
图像通过扫描电容显微镜(SCM)获得。