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通过提高能源效率来节约全球资源是当今全球社会必须解决的最重要问题之一。为了实现这一目标，一个主要目标是开发高效可靠的电力电子设备，以提供所需的高性能硬件组件。基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的功率半导体正变得越来越重要，因为它们可以实现更小的尺寸、更轻的重量、更低的成本和更高的电力电子系统效率。对于这些创新组件，还存在许多缺乏健壮性和可靠性的问题需要解决。这源于制造过程中的重大故障风险，因此可能会在进入大众市场的道路上形成障碍。高度集成SiC和GaN器件的复杂性要求深入了解缺陷形成和退化机制以及适应的故障分析方法。

在第49届测试与失效分析国际研讨会上分享您的经验，推动行业和您的职业发展，这是微电子失效分析社区的首要活动。我们邀请您提交您的作品以供出版，并在亚利桑那州凤凰城向业界展示ISTFA的第49年。

摘要提交截止日期:2023年4月21日

2022年ISTFA获奖者

2022年最佳论文

差分激光电压探头:一种基本技术的新方法
(新兴的FA技术和概念)
Kristofor Dickson先生，NXP Semiconductors

2022年优秀论文

使用扫描x射线显微镜改变x射线设备＂
(新兴的FA技术和概念)
William Lo博士，NVIDIA

最佳论文

具有纳米级表面平整度的半导体器件大规模去层的创新技术
(样品制备及设备处理)
Pawel Nowakowski博士，E.A. Fischione仪器公司。

2022年最佳海报

用亚克力成型技术解封装小轮廓晶体管(SOT)封装器件
John Michael Saputil先生，Analog Devices公司

2022年度优秀海报

聚氯乙烯和渐进FIB铣削在高级节点SRAM器件自顶向下不可见缺陷识别中的应用
Wiwy Wudjud女士，三星奥斯汀半导体有限责任公司

2022年视频大赛冠军

“智能手机3 d电影”
顾艾伦先生，卡尔蔡司显微镜